包含结晶衬底(1)的激光二极管,其中沉积随后的n-型层的组、光学活性层(5)的组和p-型层的组。n-型层的组至少包含缓冲层(2)、底部n-型覆盖层(3)和n-型底部波导层。p-型层的组至少包含含有电子阻挡层的p-型上部波导、上部p-型覆盖层(7)和p-型接触层(8)。所述电子阻挡层包含掺杂有镁的Inx,AlyGa1-x-y,N合金,其中1≥x>0,001 a 1≥y≥0。制造本发明的方法是基于随后的n-型层(2,3,4)的组、光学活性层(5)的组和p-型层(6,7,8)的组的外延沉积,其中p-型波导层(6)和p-型接触层(7)在铟存在下以等离子体辅助的分子束外延方法沉积。