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[发明专利]基于快速存储器的主存储器-CN02160515.7无效
发明人： D·R·米尔斯;B·L·迪佩特;S·森班丹;B·麦科米克;R·D·帕什利 -专利权人：英特尔公司
申请日： 1995-06-01 - 公布日： 2003-07-16 - 主分类号： G06F12/08 文献下载
摘要：描述了可被切换至4种不同的读出方式的快速存储器芯片(320)。还描述了利用了这些方式的计算机系统(100、200、300、800、1300、1500)和体系。在第一种读出方式即异步快速方式中，快速存储器(130)被作为标准快速存储器读出。在第二种方式即同步快速方式中，向快速存储器芯片(320)提供时钟信号和每时钟信号一个地址地指定属于一数据串的一系列地址。在第三种方式即异步DRAM(动态随机存取存储器)方式中，快速存储器(130)模拟DRAM。在第四种读出方式即同步DRAM方式中，组合第二和第三种方式的特点，得到模拟同步DRAM的快速存储器。
基于快速存储器主存储器

[发明专利]基于快速存储器的主存储器-CN95193421.X无效
发明人： D·R·米尔斯;B·L·迪佩特;S·森班丹;B·麦科米克;R·D·帕什利 -专利权人：英特尔公司
申请日： 1995-06-01 - 公布日： 2003-03-05 - 主分类号： G06F12/08 文献下载
摘要：描述了可被切换至4种不同的读出方式的快速存储器芯片(320)。还描述了利用了这些方式的计算机系统(100、200、300、800、1300、1500)和体系。在第一种读出方式即异步快速方式中，快速存储器(130)被作为标准快速存储器读出。在第二种方式即同步快速方式中，向快速存储器芯片(320)提供时钟信号和每时钟信号一个地址地指定属于一数据串的一系列地址。在第三种方式即异步DRAM(动态随机存取存储器)方式中，快速存储器(130)模拟DRAM。在第四种读出方式即同步DRAM方式中，组合第二和第三种方式的特点，得到模拟同步DRAM的快速存储器。
基于快速存储器主存储器