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[发明专利]横向生长的纳米管和形成方法-CN200680043309.2无效
发明人： M·K·奥罗斯基;S·拉弗;P·L·G·文特泽克 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2006-09-27 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明公开一种横向生长纳米管的方法以及半导体。半导体器件(10)具有由诸如碳的纳米管形成的横向导体或轨迹。形成在衬底(12)上面的牺牲层(16)。形成在牺牲层上面的电介质层(18)。通过去除电介质层的一部分和位于金属催化剂的两个柱体之间的牺牲层而形成横向开口(34)。横向开口包含颈状部分和用作生长纳米管的受限空间的空腔部分。等离子体(36)被用于施加电荷，该电荷形成控制纳米管的形成方向的电场。源自金属催化剂的各柱体的纳米管(42、44)横向生长并且邻接或合并成一个纳米管。可以从颈状部分(24)或金属催化剂(20、22)的柱体形成与纳米管的接触。
横向生长纳米形成方法

[发明专利]用于评价个体变应原敏感性的方法-CN200680004343.9无效
发明人： A·普罗希特;C·梅茨－法夫尔;A·韦罗特;G·保利;S·拉弗;R·瓦伦塔;N·莫特－卢克施;P·瓦郎 -专利权人：碧欧美公司
申请日： 2006-02-09 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： G01N33/68 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于评价个体的变应原敏感性和/或变应原免疫治疗临床效果的方法，其包括以下步骤：采集至少两个来自接受或打算接受用至少一种纯的变应原或其衍生物免疫治疗个体的样本，所述样本选自血液或者其成分、结缔组织、鼻的、支气管的、皮肤或者消化道的活组织检查物质，其中所述样本包含对所述变应原产生应答时能够释放介质的细胞，将所述样本与所述变应原或其衍生物接触，并且确定从所述样本中释放出的介质的量，并且通过比较所述量来评价个体在治疗前的变应原敏感性和/或评价免疫治疗的临床效果。
用于评价个体变应原敏感性方法