专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]屏蔽的共面线-CN201310177742.7有效
  • S·乔布洛特;P·巴尔 - 意法半导体有限公司
  • 2013-05-10 - 2018-04-17 - H01L23/528
  • 本发明公开了一种屏蔽的共面线。在一个实施例中公开了一种用于在半导体衬底中制造包括贯穿通路和共面线的集成电路的方法,该方法包括以下步骤形成有源部件和一组前金属化级;从衬底的后表面同时蚀刻贯穿通孔和穿过衬底的高度的至少50%的沟槽;用导电材料涂覆孔的和沟槽的壁和底部;以及用绝缘填充材料填充孔和沟槽;以及在沟槽前面并且与沟槽平行形成在衬底的后表面上延伸的共面线,从而共面线的侧部导体电连接到涂覆沟槽的壁的导电材料。
  • 屏蔽共面线
  • [实用新型]集成电路-CN201320263131.X有效
  • S·乔布洛特;P·巴尔 - 意法半导体有限公司
  • 2013-05-10 - 2014-01-01 - H01L23/528
  • 本实用新型的实施方式公开了一种集成电路,包括:半导体衬底,具有从第二表面被厚度间隔开的第一表面、在所述衬底的所述第二表面中形成的具有壁和底部的孔,所述孔延伸穿过所述衬底的所述厚度的至少50%;导电材料,覆盖所述孔的所述壁和所述底部;绝缘材料,在所述孔中位于所述导电材料之上;以及共面线,形成于所述衬底的所述第二表面之上,所述共面线包括位于中心导体的相对侧上的第一侧部导体和第二侧部导体,所述中心导体在所述孔前面并且与所述孔平行,并且其中所述共面线的所述第一侧部导体和所述第二侧部导体电连接到所述孔的所述壁之上的所述导电材料。
  • 集成电路

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