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[发明专利]光谱成像检测器-CN201510387113.6有效
发明人： R·A·马特森;R·P·卢赫塔;M·A·查波 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2009-10-29 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G01T1/00 文献下载
摘要：一种包括光电二极管阵列(122)的一维多元件光电检测器(120)，所述光电二极管阵列(122)具有第一上部行光电二极管像素和第二下部行光电二极管像素。光电二极管阵列(122)是所述光电检测器(120)的一部分。闪烁器阵列(126)包括第一上部行闪烁器像素和第二下部行闪烁器像素。第一上部行闪烁器像素和第二下部行闪烁器像素分别与第一上部行光电二极管像素和第二下部行光电二极管像素光耦合。光电检测器(120)也包括读取电子装置(124)，所述读取电子装置也是所述光电检测器(120)的一部分。电迹线(512)将光电二极管像素与读取电子装置(124)互连。
光谱成像检测器

[发明专利]成像探测器-CN201380063135.6有效
发明人： M·A·查波;R·P·卢赫塔 -专利权人：皇家飞利浦有限公司
申请日： 2013-11-22 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： G01T1/20 文献下载
摘要：探测器阵列(112)包括至少一个探测器像素(306)，所述至少一个探测器像素具有定义三维体积的空腔(400)。所述空腔的表面包括至少两个光敏区域和在它们之间的非光敏区域，定义至少两个子像素(306₁、306₂)，所述至少两个子像素探测在三维空腔内横穿的可见光子并且产生指示其的相应的信号。所述探测器阵列还包括闪烁体(302)，所述闪烁体包括被定位在所述空腔中的第一子部分，并且所述第一子部分响应于吸收X射线光子而发射可见光子。由所述第一子部分发射的可见光子是由所述至少两个子像素的全部两个探测的。
成像探测器

[发明专利]在读出电子器件和/或光传感器中具有抗混叠滤波器的成像探测器-CN201380022615.8有效
发明人： M·A·查波;R·P·卢赫塔 -专利权人：皇家飞利浦有限公司
申请日： 2013-04-15 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种成像装置(400)，包括探测器阵列(412)，所述探测器阵列(412)具有至少一个探测器片块(418)。所述探测器片块包括光传感器阵列(422)，所述光传感器阵列(422)具有定位于非光敏感区(426)内的个体光敏感探测器像素(424)的二维阵列。所述成像装置还包括读出电子器件(432)，所述读出电子器件(432)耦合到所述光传感器阵列并且包括对应于个体探测器像素的个体读出沟道阱(602，604)；所述成像装置还包括针对探测器像素的抗混叠滤波器(800)，所述抗混叠滤波器(800)定位于以下区域中的至少一个区域中对应于所述探测器像素的所述光传感器阵列的区域或对应于所述探测器像素的所述读出电子器件的区域。
读出电子器件传感器具有抗混叠滤波器成像探测器

[发明专利]光子计数探测器-CN201280051041.2有效
发明人： R·斯特德曼布克;R·P·卢赫塔;C·赫尔曼 -专利权人：皇家飞利浦有限公司
申请日： 2012-10-12 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： G01T1/24 文献下载
摘要：一种成像系统（300）包括具有直接转换探测器像素的探测器阵列（314），其探测穿越所述成像系统的检查区域的辐射，并生成指示所探测到的辐射的信号；脉冲成形器（316），其被配置为或者对由所述探测器阵列生成的指示所探测到的辐射的信号进行处理，或者对具有对应于不同的已知能量水平的不同的已知高度的一组测试脉冲进行处理，并被配置为生成具有指示经处理的所探测到的辐射的能量或者经处理的一组测试脉冲的能量的高度的输出脉冲；以及阈值调整器（330），其被配置为结合所述一组测试脉冲的高度以及一组预定的固定阈值，分析对应于所述一组测试脉冲的所述输出脉冲的高度，并被配置为基于所述分析的结果，生成指示基线的阈值调整信号。
光子计数探测器

[发明专利]具有带去耦合的每像素模拟沟道阱隔离的成像探测器-CN201380022623.2有效
发明人： M·A·查波;R·P·卢赫塔;C·J·弗列托斯 -专利权人：皇家飞利浦有限公司
申请日： 2013-04-11 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种成像装置(400)，其包括具有至少一个探测器片块(418)的探测器阵列(412)。所述探测器片块包括具有被定位在非光敏区域(426)内的独立光敏探测器像素(424)的二维阵列的光传感器阵列(422)，以及耦合到所述光传感器阵列的读出电子器件(432)。所述读出电子器件包括与所述独立探测器像素相对应的独立模拟读出沟道阱(602，604)，其中，模拟读出沟道阱将其中的模拟电气部件与其他模拟读出沟道阱中的模拟电气部件电气隔离。去耦合电路被任选地定位在所述独立模拟读出沟道的金属层中的至少一层中或者被定为在所述独立模拟读出沟道阱中。
具有耦合像素模拟沟道隔离成像探测器

[发明专利]谱成像探测器-CN201280014657.2有效
发明人： R·P·卢赫塔;R·A·马特森 -专利权人：皇家飞利浦有限公司
申请日： 2012-03-19 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： G01T1/20 文献下载
摘要：一种方法，包括获得具有两个相对的主表面的光电传感器基底（236）。所述两个相对的主表面中的一个主表面包括由至少一个光电传感器元件（232，234）构成的至少一个光电传感器行（230），并且所获得的光电传感器基底具有等于或大于一百微米的厚度。所述方法还包括将闪烁体阵列（310）光学耦合至所述光电传感器基底。所述闪烁体阵列包括由至少一个互补闪烁体元件（226，228）构成的至少一个互补闪烁体行（224），并且所述至少一个互补闪烁体行光学耦合至所述至少一个光电传感器行（230）且所述至少一个互补闪烁体元件光学耦合至所述至少一个光电传感器元件。所述方法还包括对光学耦合至所述闪烁体的所述光电传感器基底进行减薄，产生光学耦合至所述闪烁体并且厚度在小于一百微米的量级的减薄的光电传感器基底。
成像探测器

[发明专利]在X射线环境中使用的ECG电极-CN201280057445.2在审
发明人： R·P·卢赫塔;A·J·佩鲁塞克;B·K·理查兹;J·T·理查兹;D·D·索尔克 -专利权人：皇家飞利浦有限公司
申请日： 2012-11-13 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： A61B5/0408 文献下载
摘要：本发明提供一种ECG电极，所述ECG电极能够在成像扫描期间被放置在X射线的直接路径内，而不诱导X射线诱导的错误电流。ECG电极具有支持元件，在一侧的导电柱被电连接到在另一侧的导电板。在ECG电极中或附近的耗散防静电元件耗散在ECG电极中的绝缘部件的表面上形成的静电。例如，耗散防静电元件可以是用于制作绝缘材料的体材料的性质、或被添加到绝缘材料表面的导电涂层或被放置在ECG电极附近的分离元件。
射线环境使用 ecg 电极

[发明专利]X射线束传输分布整形器-CN201280031635.7有效
发明人： R·A·马特森;R·P·卢赫塔 -专利权人：皇家飞利浦有限公司
申请日： 2012-06-05 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： G21K1/10 文献下载
摘要：一种成像系统（300），包含辐射源（308），所述辐射源（308）从焦斑（312）向检查区域的方向发出辐射。所述成像系统还包含束整形器（314），所述束整形器（314）设置于所述焦斑和所述检查区域之间，对从所述源发出的并入射到所述束整形器上的所述辐射的x射线传输分布进行整形，使得离开所述束整形器的所述辐射具有预定的传输分布。
射线传输分布整形

[发明专利]成像探测器-CN201280027742.2有效
发明人： R·P·卢赫塔;M·A·查波;B·E·哈伍德;R·A·马特森 -专利权人：皇家飞利浦有限公司
申请日： 2012-04-05 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： G01T1/20 文献下载
摘要：一种成像探测器（214），包括闪烁体阵列（216）和光传感器阵列（218），所述闪烁体阵列包括闪烁体元件（228）和材料（230），所述光传感器阵列包括具有光敏感区域（224）和非敏感区域（226）的探测器元件（222）。所述光敏感区域与所述闪烁体元件被间隙分开，所述光敏感区域与所述闪烁体元件一对一地机械对准，并且所述非敏感区域与所述材料一对一地机械对准。所述探测器还包括结构（234），所述结构包括一个或多个无材料通道。所述结构定位于所述非敏感区域与所述材料之间并且不定位于所述光敏感区域与所述闪烁体元件之间。光学胶黏剂（232）位于所述间隙中，填充整个间隙，并且机械地和光学地耦合所述光敏感区域与所述闪烁体元件。
成像探测器

[发明专利]数据采集-CN201310232839.3有效
发明人： M·查波;R·P·卢赫塔;C·J·弗列托斯;B·E·哈伍德 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2010-02-18 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： G01T1/20 文献下载
摘要：一种成像探测器，包括处理电子器件（208），该电子器件具有大致等于探测器的光传感器阵列（204）和闪烁体阵列（202）的温度系数的和的负数的温度系数。在另一种情况下，所述成像探测器包括A/D转换器（302），其交替地将与撞击辐射对应的第一电荷转换为第一信号并将与衰减电荷对应的第二电荷转换为第二信号，以及逻辑单元（308），其基于所述第二信号校正所述第一信号。在另一种情况下，所述成像探测器包括A/D转换器（302）、积分器偏置电压信号确定器（318）和逻辑单元（308），其中，所述确定器（318）经由偏置电压诱发电流，所述A/D转换器（302）测量所述电流，并且所述逻辑单元（308）基于参考电压和所测量的电流计算所述光传感器阵列（204）的阻抗。
数据采集

[发明专利]数据采集-CN201310232254.1有效
发明人： M·查波;R·P·卢赫塔;C·J·弗列托斯;B·E·哈伍德 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2010-02-18 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： G01T1/20 文献下载
摘要：一种成像探测器，包括处理电子器件（208），该电子器件具有大致等于探测器的光传感器阵列（204）和闪烁体阵列（202）的温度系数的和的负数的温度系数。在另一种情况下，所述成像探测器包括A/D转换器（302），其交替地将与撞击辐射对应的第一电荷转换为第一信号并将与衰减电荷对应的第二电荷转换为第二信号，以及逻辑单元（308），其基于所述第二信号校正所述第一信号。在另一种情况下，所述成像探测器包括A/D转换器（302）、积分器偏置电压信号确定器（318）和逻辑单元（308），其中，所述确定器（318）经由偏置电压诱发电流，所述A/D转换器（302）测量所述电流，并且所述逻辑单元（308）基于参考电压和所测量的电流计算所述光传感器阵列（204）的阻抗。
数据采集

[发明专利]4D造影增强计算机断层摄影（CT）-CN201280005281.9有效
发明人： P·H·克拉尔;E·D·沙阿;S·K·波尔曼;R·P·卢赫塔 -专利权人：皇家飞利浦有限公司
申请日： 2012-01-11 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： A61B6/00 文献下载
摘要：一种方法，包括利用成像系统（100）对受试者的感兴趣组织执行造影增强计算机断层摄影（CT）扫描，所述成像系统（100）具有辐射源（112）和探测器阵列（118），其中，在所述成像系统的所述辐射源和所述探测器阵列在整个呼吸周期或呼吸周期的预定子部分上的单次旋转期间，同时对所述感兴趣组织的峰值造影增强、所述感兴趣组织的全运动范围以及所述感兴趣组织的整个感兴趣体积成像。
造影增强计算机断层摄影 ct

[发明专利]基于辐射剂量的成像探测器瓦片参数补偿-CN201080057215.7有效
发明人： M·A·查波;R·P·卢赫塔;R·A·马特森 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2010-11-18 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： G01T7/00 文献下载
摘要：一种成像系统（100）的探测器瓦片（116）包括光传感器阵列（204）；以及电耦合至所述光传感器阵列（204）的电子装置（208），其中所述电子装置包括剂量确定器（402），所述剂量确定器确定所述探测器瓦片（116）的沉积剂量以及产生指示所述沉积剂量的信号。在一个非限制性的示例中，该信号用于校正诸如增益和热系数的、可能随着辐射剂量变化的参数。
基于辐射剂量成像探测器瓦片参数补偿

[发明专利]多探测器阵列成像系统-CN201080022949.1有效
发明人： R·P·卢赫塔;M·A·查波;B·E·哈伍德;R·A·马特森;C·J·弗列托斯 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2010-04-15 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： A61B6/03 文献下载
摘要：一种成像系统(100)包括辐射源(108)和探测系统(114)，辐射源(108)发射贯穿检查区域(106)的辐射，探测系统(114)探测贯穿检查区域(106)的辐射并生成指示所述辐射的信号。探测系统(114)包括第一探测器阵列(1141-114N)和第二探测器阵列(1141-114N)。第一和第二探测器阵列(1141-114N)是分离独立的探测器阵列，探测器阵列(1141-114N)的至少一个能够相对于辐射射束移动。重建器(116)重建所述信号并生成指示所述信号的体图像数据。
探测器阵列成像系统

[发明专利]具有预聚焦抗散射栅格的检测器阵列-CN201080021763.4有效
发明人： R·P·卢赫塔;R·A·马特森;B·E·哈伍德 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2010-04-14 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： G01T1/29 文献下载
摘要：一种辐射敏感检测器阵列，包括相对于所述成像系统(100)沿z轴方向延伸并沿x轴方向排列的多个检测器模块(118)。检测器模块中的至少一个包括模块构架(124)和至少一个检测器组块(122)。所述至少一个检测器组块(122)通过非螺纹紧固件(142)耦合到模块构架(124)。所述至少一个检测器组块(122)包括二维检测器(126)和聚焦在成像系统(100)的焦斑(112)处的二维抗散射栅格(128)。
具有聚焦散射栅格检测器阵列

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