专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]具有分段的字线和位线的MRAM阵列-CN200480033163.4无效
  • 臧大化;R·P·莫里斯 - 磁旋科技公司
  • 2004-02-27 - 2006-12-13 - G11C11/14
  • 本发明公开了一种用于提供和使用磁随机存取存储器(MRAM)阵列的方法和系统。该方法和系统包括提供磁存储器单元(C11-C44),全局字线(102,114)和全局字线段(170-182),全局位线(104,108,116,120)和位线段(150,164),以及选择器件(T1a-T4a)。每一字线段(170)都与至少一个全局字线(102)连接,以便字线段(170-182)是可选的。每一字线段(170)也都连接到磁存储器单元(C11-C44)的一部分。每一位线段(150)都与至少一个全局位线(104)连接,以便位线段(150-164)是可选的。每一位线段(150)都邻近于并且用于写入到磁存储器单元(C11-C44)的一部分。位线段(150-164)与字线段(170-182)连接在一起并且可用该多个选择器件(T1a-T4a)选择。
  • 具有分段mram阵列

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