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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用以减少端点处的电流拥塞的布局-CN202180077338.5在审
发明人： R·A·布兰查德;A·莫贾布 -专利权人：理想能量有限公司
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及用以减少端点处的电流拥塞的布局。至少一个实例是一种半导体装置，其包括：发射极区，其界定呈具有平行边的长圆形形状的内边界，且所述长圆形具有各自具有半径的半球形端；基极区，其具有第一端、与所述第一端相对的第二端，及基极长度，所述基极区安置于所述长圆形内，其中所述基极长度平行于所述平行边且在所述平行边之间居中，所述第一端与所述第一半球形端间隔开大于所述半径的第一间隙，且所述第二端与所述第二半球形端间隔开大于所述半径的第二间隙。
用以减少端点电流拥塞布局

[发明专利]发光设备-CN201180042401.8无效
发明人： W·J·雷;M·D·洛温索尔;N·O·肖顿;R·A·布兰查德;M·A·莱万多夫斯基;B·奥罗;M·J·斯坦哈特;C·M·比肖夫;E·M·塞维奇;K·S·麦克圭尔;E·J·哈泽内尔 -专利权人：宝洁公司
申请日： 2011-09-02 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种照明设备，所述照明设备包括多个二极管和被构造成接收电信号并将所述电信号传递到所述多个二极管的电接口。
发光设备

[发明专利]包含超晶格区的场效应半导体器件-CN200680042668.6无效
发明人： R·A·布兰查德 -专利权人：梅尔斯科技公司
申请日： 2006-09-22 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件(20)可包括衬底(21)和衬底中的在其间界定沟道区(24)的隔开的源区(13)和漏区(27)。衬底可在沟道和/或漏区中具有多个隔开的超晶格(25)。各超晶格可包含多个层叠的层组，各组包含界定基础半导体部分的多个层叠的基础半导体单层和其上的至少一个非半导体单层。所述至少一个非半导体单层在邻近的基础半导体部分的晶格内被约束。所述半导体器件可以是DMOS器件。
包含晶格场效应半导体器件

[发明专利]提供一种嵌入式闪速EEPROM技术的方法和装置-CN00801549.X有效
发明人： J·A·昆宁哈姆;R·A·布兰查德 -专利权人：皇家菲利浦电子有限公司
申请日： 2000-05-24 - 公布日： 2001-10-24 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：示范性实施例提供了一种与深亚微米尺度相兼容、适合直接集成到高性能逻辑技术的闪速EEPROM技术。与现有技术不同,示范性实施例给出了一分隔栅极单元结构的更小的单元面积。依据本发明生成闪速EEPROM的示范性过程包含以减小隧道阻挡层高度(202)的方式生成隧道氧化物(208),并要求对传统高性能逻辑技术产生最小的干扰,不影响逻辑功能性能。
提供一种嵌入式 eeprom 技术方法装置

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