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[发明专利]磁体组件、包括该磁体组件的装置和方法-CN201910783647.9有效
发明人：托尼·威尔比;史蒂夫·伯吉斯;艾德里安·托马斯;R·辛德曼;斯科特·海莫尔;克莱夫·韦迪克斯;I·蒙克里夫 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：公开了磁体组件、包括该磁体组件的装置和方法，该磁体组件用于在脉冲DC物理气相沉积过程期间使在基板上形成材料层时使用的离子转向。所述装置和方法包括用于控制经由脉冲DC物理气相沉积形成的材料层的厚度变化的组件。磁体组件包括用于产生靠近基板的磁场的磁场产生装置，和用于使离子转向磁场产生装置相对于基板围绕旋转轴线旋转的装置。磁场产生装置包括多个磁体，所述多个磁体被配置成围绕旋转轴线延伸的阵列，其中，磁体阵列被配置成沿着相对于旋转轴线的径向方向产生变化的磁场强度。
磁体组件包括装置方法

[发明专利]SAW器件及制造方法以及包括其的电子电路和电子器件-CN201811061576.3有效
发明人： R·辛德曼;史蒂夫·伯吉斯 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H10N30/88 文献下载
摘要：本发明涉及一种使表面声波(SAW)器件的谐振频率的不均匀性降低的方法，该SAW器件包括通过反应溅射沉积在压电基底上的叉指式换能器上的含硅的氧化物的硅氧化物层。该方法包括：将具有叉指式换能器的压电基底定位在基底支撑件上；随后，在所述压电基底和所述叉指式换能器上沉积含硅的氧化物的硅氧化物层以形成SAW器件。所述基底支撑件相对于溅射靶定位，从而所述SAW器件的硅氧化物层具有11埃或更低的算术平均表面粗糙度(Ra)。本发明还涉及该表面声波器件、包括其的电子电路以及电子器件。
saw 器件制造方法以及包括电子电路电子器件

[发明专利]沉积方法、含添加物的氮化铝膜及包括该膜的压电器件-CN201610884531.0有效
发明人：斯蒂芬·R·伯吉斯;R·辛德曼;阿米特·拉斯托吉;斯科特·海莫尔;康斯坦尼·弗拉戈斯 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2016-10-10 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种通过脉冲DC反应溅射沉积含添加物的氮化铝膜的方法，该氮化铝膜含有选自Sc、Y、Ti、Cr、Mg和Hf中的至少一种添加元素，该方法包括以下步骤：利用施加至膜基底的电偏压功率，通过脉冲DC反应溅射在所述膜基底上沉积所述含添加物的氮化铝膜的第一层；以及未对所述膜基底施加电偏压功率或利用施加至所述膜基底的比在溅射沉积所述第一层期间所施加的电偏压功率低的电偏压功率，通过脉冲DC反应溅射在所述第一层上沉积所述含添加物的氮化铝膜的第二层，所述第二层与所述第一层具有相同的组成。
沉积方法添加物氮化包括压电器件

[发明专利]沉积材料的方法和设备-CN201610201666.2有效
发明人：斯蒂芬·R·伯吉斯;R·辛德曼;阿米特·拉斯托吉;保罗·埃杜拉多·利马;C·L·威迪克斯;保罗·理查;斯科特·海莫尔;丹尼尔·库克 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及沉积材料的方法和设备。本发明提供一种在腔室内用脉冲DC磁控装置通过脉冲DC磁控溅射将介电材料沉积到衬底上的方法，所述脉冲DC磁控装置产生一个或多个初级磁场；其中，溅射材料从靶材中溅射出，其中，所述靶材和所述衬底隔开2.5～10cm的间隙，并且在所述腔室内产生次级磁场，所述次级磁场引起由所述脉冲DC磁控装置产生的等离子体向所述腔室的一个或多个壁扩展。
沉积材料方法设备

[发明专利]控制脉冲直流PVD形成的材料层中应力变化的方法及设备-CN201810230437.2在审
发明人：安东尼·威尔比;史蒂夫·伯吉斯;I·蒙克里夫;克莱夫·韦迪克斯;斯科特·海莫尔;R·辛德曼 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2018-03-20 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种控制脉冲直流物理气相沉积(PVD)形成的材料层中应力变化的方法及设备。该方法包以下步骤：设置一腔室，其包括形成材料层的靶和在其上能够形成材料层的衬底；以及向腔室内引入气体。该方法还包括在腔室内生成等离子体并且将第一磁场施加到靶附近以将所述等离子体基本上定位成邻近该靶。RF偏压被施加到衬底上以将来自等离子体的气体离子吸引到衬底上，并且第二磁场被施加在衬底附近以将来自等离子体的气体离子引导到形成在衬底上的材料层上的选择性区域。
等离子体衬底材料层控制脉冲气体离子形成材料应力变化直流物理气相沉积施加室内选择性区域磁场施加引入气体磁场邻近吸引

[发明专利]DC磁控溅射设备和方法-CN201710228703.3在审
发明人：斯科特·海莫尔;阿米特·拉斯托吉;R·辛德曼;史蒂夫·伯吉斯;I·蒙克里夫;克里斯·肯德尔 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2017-04-10 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于在基底上沉积膜的DC磁控溅射设备，所述DC磁控溅射设备包括腔室；放置在所述腔室内的基底支撑件；DC磁控管；以及用于提供电偏压信号的电信号供应装置，在使用期间所述电偏压信号致使离子轰击放置在所述基底支撑件上的基底；其中，所述基底支撑件包括被边缘区域环绕的中心区域，所述中心区域相对于所述边缘区域是凸起的。本发明还涉及一种用于在基底上沉积膜的方法。
dc 磁控溅射设备方法

[发明专利]沉积铝层的方法-CN201210035053.8有效
发明人： R·辛德曼;S·伯吉斯 -专利权人： SPTS技术有限公司
申请日： 2012-02-16 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种沉积铝层的方法。特别地，本发明涉及在薄基材上沉积铝层或铝膜。本发明包括将基材放置在支撑体上；将第一铝层沉积到基材上，该基材处于未固定条件；将基材固定到支撑体上，并且沉积与第一层连续的第二铝层，其中第二层比第一层厚，并且在小于22℃的基材温度下沉积第二层。
沉积方法