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[发明专利]21-(乙酰氧基)-17-(1-丙酰氧基)-孕甾-4-烯-3,20-二酮的制备方法-CN202180071629.3在审
发明人： R·莱纳;C·德尔弗拉特;D·里加蒙蒂;S·杰诺韦塞 -专利权人：工业化学有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C07J7/00 文献下载
摘要：本发明涉及具有下式的21‑(乙酰氧基)‑17‑(1‑氧代丙氧基)‑孕甾‑4‑烯‑3,20‑二酮(VI)的制备方法：化合物(VI)可用作合成治疗痤疮的甾类化合物克拉司酮的前体。
21 乙酰 17 丙酰氧基孕甾 20 制备方法

[发明专利]有安装构造及外部可访问电连接结构的密封电子芯片器件-CN201510564392.9有效
发明人： A·凯斯勒;E·克瑙尔;R·莱纳;W·肖贝尔;S·舒尔特斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-07-31 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L23/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种有安装构造及外部可访问电连接结构的密封电子芯片器件。一种电子器件(100)包括：具有安装表面(104)的载体(102)；安装在所述安装表面(104)上的至少一个电子芯片(108)；安装在所述安装表面(104)上的至少一个电连接结构(106)；密封剂(110)，至少部分密封所述载体(102)及所述至少一个电子芯片(108)，并且部分密封所述至少一个电连接结构(106)，使得所述至少一个电连接结构(106)的表面的部分暴露于环境；以及安装构造(112)，配置用于在外围器件(902)处安装所述电子器件(100)。
安装构造外部访问连接结构密封电子芯片器件

[发明专利]未抛光半导体晶片和用于制造未抛光半导体晶片的方法-CN200610141238.1有效
发明人： W·亨泽尔;R·莱纳;H·施文克 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2006-09-29 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造未抛光半导体晶片的方法，包括以下步骤：a)拉制半导体材料的单晶，b)将半导体晶片研磨成圆形，c)从该晶体分离半导体晶片，d)磨圆该半导体晶片的边缘，e)表面研磨半导体晶片的至少一侧，f)用蚀刻剂处理半导体晶片，g)最终清洗半导体晶片。本发明还涉及一种未抛光半导体晶片，具有前侧和后侧，其中研磨至少前侧并蚀刻前和后侧，其具有至少在前侧上的95％或更高的反射度、至少在前侧上的3nm或更小的表面粗糙度、80－2500μm的厚度、5μm或更小的全部平整度值GBIR，这基于3mm的边缘裕度，具有0.8μm的光刻分辨率，并且还包括分别在前侧和后侧上的具有0.5－3nm厚度的自然氧化层。
抛光半导体晶片用于制造方法

[发明专利]抗体靶向化合物-CN02825631.X有效
发明人： C·F·巴巴斯;C·拉德尔;S·C·辛哈;R·莱纳 -专利权人：斯克里普斯研究学院
申请日： 2002-10-22 - 公布日： 2005-04-13 - 主分类号： A61K39/395 文献下载
摘要：本发明提供抗体靶向化合物，其中通过将靶向制剂共价或非共价连接于抗体结合位点已经将抗体的特异性重新编程。通过这个方法，共价修饰的抗体对靶向制剂呈现结合特异性。化合物可以具有由靶向制剂或分开的生物制剂提供的生物学活性。提供本发明化合物的各种用途。
抗体靶向化合物