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[发明专利]用于控制并联的功率半导体开关的方法和设备-CN201580074438.7有效
发明人： S.布茨曼;P.陶费尔;B.埃克特 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2015-09-22 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H03K17/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于控制至少两个并联的功率半导体开关（LHS1…LHSn）来开关总电流（I_ges）的方法（200）和控制设备（1）。至少两个并联的功率半导体开关（LHS1…LHSn）分别具有用于控制相应的功率半导体开关（LHS1…LHSn）的栅端子。提供：用于供给总电流（I_ges）的输入端子（EA）、用于排出总电流（I_ges）的输出端子（AA）和用于接受共同的控制信号（SI）的共同的控制端子（S），所述共同的控制信号具有状态断开或闭合。所述至少两个并联的功率半导体开关（LHS1…LHSn）在输入侧与输入端子（EA）连接并且在输出侧与输出端子（AA）连接。提供至少一个确定单元（EE），所述确定单元被设立用于在输入侧接收共同的控制信号（SI）并且根据用于控制至少两个功率半导体开关（LHS1…LHSn）的共同的控制信号（SI）来确定至少两个单独控制信号（SI1…SIn）并且在输出侧将至少两个所确定的单独控制信号输出到至少两个功率半导体开关的相应的栅端子。所述至少两个单独控制信号（SI1…SIn）分别具有状态断开或闭合并且至少有时不同。
用于控制并联功率半导体开关方法设备

[发明专利]用于控制并联的功率半导体开关的方法和设备-CN201580074446.1有效
发明人： S.布茨曼;P.陶费尔;B.埃克特 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2015-09-29 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H03K17/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于控制至少两个并联的功率半导体开关（LHS1…LHSn）来开关总电流（I_ges）的方法（200）和控制设备（1）。至少两个并联的功率半导体开关（LHS1…LHSn）分别具有用于控制相应的功率半导体开关（LHS1…LHSn）的栅端子。提供：用于供给总电流（I_ges）的输入端子（EA）、用于排出总电流（I_ges）的输出端子（AA）和用于接受共同的控制信号（SI）的共同的控制端子（S），所述共同的控制信号具有状态断开或闭合。所述至少两个并联的功率半导体开关（LHS1…LHSn）在输入侧与输入端子（EA）连接并且在输出侧与输出端子（AA）连接。提供至少一个确定单元（EE），所述确定单元被设立用于在输入侧接收共同的控制信号（SI）并且根据用于控制至少两个功率半导体开关（LHS1…LHSn）的共同的控制信号（SI）来确定至少两个单独控制信号（SI1…SIn）并且在输出侧将至少两个所确定的单独控制信号输出到至少两个功率半导体开关的相应的栅端子。所述至少两个单独控制信号（SI1…SIn）分别具有状态断开或闭合并且至少有时不同。
用于控制并联功率半导体开关方法设备

[发明专利]用于冷却电结构元件的装置-CN201680048998.X有效
发明人： P.陶费尔;S.布茨曼;B.埃克特 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2016-06-21 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L23/433 文献下载
摘要：用于冷却多个电结构元件（BE1、BE2 .. BEn）的装置（100），其中，所述电结构元件（BE1、BE2 .. BEn）具有各一个有待冷却的结构元件冷却面（BEK1、BEK2 .. BEKn），其中，所述装置（100）具有带有第一冷却体冷却面（KF1）的第一冷却体（K1）和带有第二冷却体冷却面（KF2）的第二冷却体（K2），其中，所述冷却体冷却表面（KF1、KF2）相对置地平坦布置，其特征在于，所述第一冷却体冷却面（KF1）被构造用于安装所述多个电结构元件（BE1、BE2 .. BEn）的结构元件冷却面（BEK1、BEK2 .. BEKn）的第一子集，并且所述第二冷却体冷却面（KF2）被构造用于安装所述多个电结构元件（BE1、BE2 .. BEn）的结构元件冷却面（BEK1、BEK2 .. BEKn）的第二子集，并且固定器件（BM1、BM2 .. BMn）被设置用于将所述多个电结构元件（BE1、BE2 .. BEn）的有待安装的结构元件冷却面（BEK1、BEK2 .. BEKn）固定到所述冷却体冷却面（KF1、KF2）处。
用于冷却结构元件装置

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