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[发明专利]封装体-CN201980098280.5在审
发明人：间濑淳;河野浩 -专利权人：日本碍子株式会社;NGK电子器件株式会社
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：封装体(800)具有基部(810)和布线部(820)。基部(810)设置有腔室(CV)。基部(810)的底部(811)具有安设面(SM)。基部(810)的框部(812)在底部(811)上以包围腔室(CV)的方式设置于安设面(SM)的外侧，具有供用于密封腔室(CV)的盖体(907)安装的安装面(SF)。框部(812)由包含作为主成分的Al2O3和作为添加物的MnO及SiO2的陶瓷构成。布线部(820)从基部(810)的腔室(CV)延伸并贯通基部(810)。陶瓷的SiO2的含量相对于MnO的含量的重量比在框部(812)的内部定义为R1且在框部(812)的安装面上定义为R2，满足R1＞R2。
封装

[发明专利]端子构造、封装体以及端子构造的制造方法-CN202080047546.6在审
发明人：石崎正人;久保昇;大西笃 -专利权人： NGK电子器件株式会社;日本碍子株式会社
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：基体(10)由绝缘体陶瓷构成，且具有设置有沟槽(TR)的主面(MS)，沟槽(TR)包括与主面(MS)相连的平坦面(FP)。第一焊盘(21)设置在基体(10)的主面(MS)上，且由金属构成。引线(321)以与第一焊盘(21)电连接的方式设置在第一焊盘(21)上。第一焊盘(21)在沟槽(TR)的平坦面(FP)的外插面上具有侧面(FS)。在与基体(10)的主面(MS)垂直的至少一个剖视中，第一焊盘(21)在与主面(MS)平行的方向上的中点具有第一厚度(T1)，并且在侧面(FS)具有第二厚度(T2)，并满足第二厚度(T2)大于第一厚度(T1)的一半这样的厚度条件。
端子构造封装以及制造方法

[发明专利]封装体-CN201980097998.2在审
发明人：间濑淳;伊藤阳彦 -专利权人：日本碍子株式会社;NGK电子器件株式会社
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：封装体(800)具有：安设面(SM)，其供安装电子部件(902)；腔室(CV)，其位于安设面(SM)上；及安装面(SF)，其供安装用于密封腔室(CV)的盖体(907)。封装体(800)包括：基部(810)，由陶瓷构成且具有腔室(CV)；及布线部(820)，从基部(810)的腔室(CV)延伸并贯通基部(810)。基部(810)包括底部(811)和框部(812)。底部(811)具有安设面(SM)，该安设面(SM)具有将具有10mm以上的长边的长方形包含在内的大小。框部(812)在底部(811)上以包围腔室(CV)的方式设置于安设面(SM)的外侧，并具有陶瓷的烧成面作为安装面(SF)。
封装

[发明专利]布线基板-CN202011551560.8在审
发明人：久保昇;石崎正人 -专利权人： NGK电子器件株式会社;日本碍子株式会社
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H05K1/03 文献下载
摘要：本发明提供一种在高频下也能够得到良好的传输特性的布线基板。层叠体(LM)具有由陶瓷构成的绝缘层(LD)和层间接地导体(LG)。第一～第N绝缘层(LD1)～(LDN)(N≥3)与第一～第(N－1)层间接地导体(LG1)～(LG(N－1))在厚度方向(Z)交替地层叠。层叠体(LM)具有第一绝缘层(LD1)所形成的电极安装面(SB)、第一侧面(SO)以及第二侧面(SI)。第j1～第k1层间接地导体(LGj1)～(LGk1)(1≤j1＜k1≤N－1)到达第一侧面(SO)。第一贯通接地导体(MO)在第一侧面(SO)在与厚度方向Z交叉的方向(Y)隔开间隔地排列。第j1～第k1层间接地导体(LGj1)～(LGk1)在第一侧面(SO)通过第一贯通接地导体(MO)分别互相电连接。
布线

[发明专利]陶瓷布线基板以及陶瓷布线基板的制造方法-CN202010954233.0在审
发明人：绪方孝友;伊藤阳彦 -专利权人： NGK电子器件株式会社;日本碍子株式会社
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种能够降低贯通绝缘层的贯通导体部的电阻的陶瓷布线基板以及陶瓷布线基板的制造方法。第一绝缘层的第一周缘部设置在第一绝缘层的第一贯通孔部的周围。第一绝缘层的第一平板部设置在第一周缘部的周围，并具有第一厚度的平板形状。第一贯通导体部设置在第一贯通孔部中。第一导体层设置在第一绝缘层的第一面上，且与第一贯通导体部连接。第二导体层设置在第一绝缘层的第二面上，且与第一贯通导体部连接。第一周缘部在至少一个剖视图中，具有在从第一平板部向第一贯通孔部的方向上连续地减少的厚度和比第一平板部的第一厚度大的第一宽度。
陶瓷布线以及制造方法

[发明专利]半导体装置用基板-CN201880098366.3在审
发明人：梅田勇治 -专利权人：日本碍子株式会社;NGK电子器件株式会社
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L23/15 文献下载
摘要：半导体装置用基板(2)具备陶瓷烧结体(3)、第1电路板(4)和第2电路板(4')。在陶瓷烧结体(3)中，将Mg的以MgO换算的含量设为S1质量％，将Zr的以ZrO2换算的含量设为S2质量％的情况下，下述的式1成立。将第1电路板(4)的厚度设为T1mm，将第2电路板(4')的厚度设为T2mm，并将陶瓷烧结体(3)的厚度设为T3mm的情况下，下述的式2、3、4成立。－0.004×S2+0.171＜S1＜－0.032×S2+1.427···(1)1.7＜(T1+T2)/T3＜3.5···(2)T1≥T2···(3)T3≥0.25···(4)。
半导体装置用基板

[发明专利]陶瓷烧结体以及半导体装置用基板-CN201880098368.2在审
发明人：梅田勇治;河野浩 -专利权人：日本碍子株式会社;NGK电子器件株式会社
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： C04B35/119 文献下载
摘要：陶瓷烧结体(3)包含Zr、Al、Y和Mg，Zr的含量以ZrO2换算为7.5质量％以上且23.5质量％以下，Al的含量以Al2O3换算为74.9质量％以上且91.8质量％以下，Y的含量以Y2O3换算为0.41质量％以上且1.58质量％以下，Mg的含量以MgO换算为0.10质量％以上且0.80质量％以下。陶瓷烧结体(3)的热老化后M相率为15％以下。
陶瓷烧结以及半导体装置用基板

[发明专利]陶瓷坯体-CN201980048264.5在审
发明人：河野浩;绪方孝友;间濑淳 -专利权人：日本碍子株式会社;NGK电子器件株式会社
申请日： 2019-10-15 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： C04B35/117 文献下载
摘要：一种陶瓷坯体，其包含Al2O3、SiO2和MnO作为必需成分，包含Mo和Cr2O3中的至少一者作为任意成分。在陶瓷坯体中，Al2O3的含量为82.0质量％以上且95.0质量％以下，SiO2的含量为3.0质量％以上且8.0质量％以下，MnO的含量为2.0质量％以上且6.0质量％以下，以MoO3换算计的Mo的含量与Cr2O3的含量的合计为4.0质量％以下，剩余部分的含量小于0.1质量％。
陶瓷

[发明专利]布线基板、封装体及模块-CN201980032015.7在审
发明人：石崎正人;久保昇 -专利权人： NGK电子器件株式会社;日本碍子株式会社
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：第二布线路径(52)通过第一布线路径(51)与第一接地图案(41)隔开，并与第一布线路径(51)并排延伸。第二接地图案(42)通过第二布线路径(52)与第一布线路径(51)隔开。电容器安装用的第一焊盘对(61)设置于第一布线路径(51)的中途，并具有比第一布线路径(51)的宽度大的宽度。电容器安装用的第二焊盘对(62)设置于第二布线路径(52)的中途，并具有比第二布线路径(52)的宽度大的宽度。陶瓷基体(10)具有：第一凹部(RC1)，设置在第一接地图案(41)与第一焊盘对(61)之间；以及第二凹部(RC2)，设置在第二接地图案(42)与第二焊盘对(62)之间。
布线封装模块

[发明专利]陶瓷基体及其制造方法-CN201780002583.3有效
发明人：河野浩;梅田勇治;伊藤阳彦 -专利权人：日本碍子株式会社;NGK电子器件株式会社
申请日： 2017-06-15 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： C04B35/119 文献下载
摘要：一种陶瓷基体，结晶相以Al2O3和ZrO2为主晶相，含有MgAl2O4和BaAl2Si2O8。X射线衍射图案中，相对于ZrO2的单斜晶相和正方晶相各自的峰强度之和，前述单斜晶相峰强度的比例低于0.1％。
陶瓷基体及其制造方法

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