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[发明专利]用于在垂直功率器件中减小接触注入物向外扩散的氧插入的Si层-CN201910728974.4有效
发明人： R.哈瑟;S.里奥曼;A.梅瑟;M.波茨尔;M.罗施 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2019-08-08 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：用于在垂直功率器件中减小接触注入物向外扩散的氧插入的Si层。一种半导体器件包括：延伸到Si衬底中的栅沟槽，该栅沟槽包括栅电极和将栅电极与Si衬底分离的栅电介质。该半导体器件进一步包括：在Si衬底中与栅沟槽相邻的本体区，该本体区包括沿栅沟槽的侧壁延伸的沟道区；在本体区上方、在Si衬底中的源区；延伸到Si衬底中并且填充有导电材料的接触沟槽，该导电材料接触源区和在接触沟槽底部处的高掺杂本体接触区；以及扩散阻挡结构，其沿沟道区的至少一部分延伸，并且设置在沟道区与高掺杂本体接触区之间。该扩散阻挡结构包括Si和氧掺杂Si的交替层。
用于垂直功率器件减小接触注入向外扩散插入 si

[发明专利]用于在功率器件中减小衬底掺杂剂向外扩散的氧插入的Si层-CN201910728973.X在审
发明人： M.波茨尔;B.格勒;R.哈瑟;R.K.约希;S.里奥曼;A.梅瑟;M.罗施 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2019-08-08 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：用于在功率器件中减小衬底掺杂剂向外扩散的氧插入的Si层。该半导体器件包括：掺杂的Si基底衬底，形成在掺杂的Si基底衬底的主表面之上的一个或多个器件外延层，扩散阻挡结构，以及形成在扩散阻挡结构上方的栅极。扩散阻挡结构包括Si和氧掺杂Si的交替层，该Si和氧掺杂Si的交替层形成在与掺杂的Si基底衬底的主表面相邻的掺杂的Si基底衬底的上部中、形成在与掺杂的Si基底衬底的主表面相邻的一个或多个器件外延层的下部中、或者形成在被设置在掺杂的Si基底衬底的主表面与一个或多个器件外延层之间的一个或多个附加外延层中。
用于功率器件减小衬底掺杂向外扩散插入 si

[发明专利]用于在垂直功率器件中减小接触注入物向外扩散的氧插入的Si层-CN201910729101.5在审
发明人： M.波茨尔;O.布兰克;T.菲尔;B.格勒;R.哈瑟;S.里奥曼;A.梅瑟;M.罗施 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2019-08-08 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：用于在垂直功率器件中减小接触注入物向外扩散的氧插入的Si层。一种半导体器件包括：延伸到Si衬底中的栅沟槽；在Si衬底中的本体区，该本体区包括沿栅沟槽的侧壁延伸的沟道区；在本体区上方、在Si衬底中的源区；延伸到Si衬底中并且通过源区的一部分和本体区的一部分与栅沟槽分离的接触沟槽，该接触沟槽填充有导电材料，该导电材料接触在接触沟槽的侧壁处的源区和在接触沟槽的底部处的高掺杂本体接触区；以及沿接触沟槽的侧壁形成并且被设置在高掺杂本体接触区和沟道区之间的扩散阻挡结构，该扩散阻挡结构包括Si和氧掺杂Si的交替层。
用于垂直功率器件减小接触注入向外扩散插入 si

[发明专利]垂直沟槽功率器件中的氧插入的Si层-CN201910729102.X在审
发明人： R.哈瑟;T.菲尔;B.格勒;R.K.约希;S.里奥曼;M.波茨尔;M.罗施 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2019-08-08 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：垂直沟槽功率器件中的氧插入的Si层。半导体器件包括延伸到Si衬底中的栅沟槽；在与栅沟槽相邻的Si衬底中的本体区；在本体区上方的Si衬底中的源区；延伸到Si衬底中并且填充有导电材料的接触沟槽，该导电材料接触在接触沟槽的侧壁处的源区和在接触沟槽的底部处的高掺杂本体接触区；沿着栅沟槽的侧壁形成的扩散阻挡结构，该扩散阻挡结构包括Si和氧掺杂Si的交替层以及在Si和氧掺杂Si的交替层上的Si覆盖层；以及形成在Si覆盖层中并且沿着栅沟槽的侧壁垂直延伸的沟道区。还描述了对应的制造方法。
垂直沟槽功率器件中的插入 si

[实用新型]半导体器件和集成降压转换器-CN201320118095.8有效
发明人： M.菲莱迈耶;W.里格;M.罗施 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2013-03-15 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体器件，包含：漂移层（4）；在所述漂移层(4)上的体区(7)；在所述体区(7)上的源区(8)；沟槽，其贯穿所述源区(8)、体区(7)并且延伸到所述漂移层(4)中；沟槽中的场板（13）和电极（12）；将场板（13）和电极（12）彼此分开的绝缘结构（16）。其中，场板（13）的顶面和电极（12）的底面其中至少一个是平坦的。本实用新型还提供一种集成降压转换器，其包括以上提到的半导体器件。
半导体器件集成降压转换器

[实用新型]半导体器件-CN201320118023.3有效
发明人： M.波尔兹尔;R.西米尼克;M.罗施 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2013-03-15 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体器件，包括：第一导电型的漂移层(4)；在所述漂移层(4)上的第二导电型的体区(7)；在所述体区(7)上的第一导电型的源区(8)；沟槽结构(9)，其贯穿所述源区(8)、体区(7)并且延伸到所述漂移层(4)中，所述沟槽结构包括绝缘结构(10)、场板(13)和/或栅电极(12)。所述绝缘结构(10)的至少一部分是厚度渐变的。
半导体器件

[实用新型]半导体器件-CN201320118049.8有效
发明人： M.波尔兹尔;M.罗施 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2013-03-15 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：第一导电类型的第一区；位于所述第一区之上的第二导电类型的第二区；位于所述第二区之上的第一导电类型的第三区；以及从所述第三区的上表面嵌入在所述第三区、所述第二区、所述第一区中的多个沟槽，所述多个沟槽彼此间隔开，并且每个沟槽的底表面位于所述第一区中。相邻沟槽之间的半导体台面的宽度<400nm，并且沟道形成在所述第一导电类型的第一区和所述第一导电类型的第三区之间，所述沟道的长度<300nm。在这种情况下，可以获得最小的栅极长度，即栅极长度<350nm。采用本实用新型的半导体器件结构，能够降低器件的总导通电阻和栅极等效电容，从而能够改善器件性能，尤其是开关特性。
半导体器件