“M·S·沙特洛娃”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

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[发明专利]用于减少应力半导体化合物中的穿透位错的外延技术-CN201380013532.2有效
发明人：孙文红;R·杰因;杨锦伟;M·S·沙特洛娃;A·杜博尔因斯基;R·格斯卡;M·舒尔 -专利权人：传感器电子技术股份有限公司
申请日： 2013-02-01 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：提供了一种用于制造半导体结构的解决方案。该半导体结构包括使用一组外延生长周期生长在基板上的多个半导体层。在每个外延生长周期期间，生长具有拉伸应力或压缩应力中的一个的第一半导体层，然后直接在第一半导体层上生长具有拉伸应力或压缩应力中的另一个的第二半导体层。一组生长条件中的一个或多个、一层或两层的厚度、和/或层之间的晶格失配，可以被配置成在层之间的界面的最小百分比内产生目标级别的压缩和/或拉伸应力。
用于减少应力半导体化合物中的穿透外延技术

[发明专利]深紫外发光二极管-CN201610127836.7有效
发明人： R·格斯卡;M·S·沙特洛娃;M·舒尔 -专利权人：传感器电子技术股份有限公司
申请日： 2011-06-17 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：提供深紫外发光二极管，该深紫外发光二极管包含n型接触层和与n型接触层相邻的光产生结构。光产生结构包含量子阱组。接触层和光产生结构可被配置为使得n型接触层的能量与量子阱的电子基态能量之间的差值大于光产生结构的材料中的极性光学声子的能量。另外，光产生结构可被配置为使得其宽度与用于通过注入到光产生结构中的电子发射极性光学声子的平均自由程相当。二极管可包含阻挡层，该阻挡层被配置为使得阻挡层的能量与量子阱的电子基态能量之间的差值大于光产生结构的材料中的极性光学声子的能量。二极管可包含复合接触，该复合接触包含至少部分地对于由光产生结构产生的光透明的粘接层和被配置为反射由光产生结构产生的光的至少一部分的反射金属层。
光产生深紫外发光二极管光学声子阻挡层电子基态能量二极管结构产生配置量子阱反射金属层平均自由程复合电子发射量子阱组接触层透明的粘接层反射

[发明专利]包括复合半导体层的异质结构-CN201480057571.7在审
发明人： M·S·沙特洛娃;R·杰因;杨锦伟;A·杜博尔因斯基;M·舒尔;R·格斯卡 -专利权人：传感器电子技术股份有限公司
申请日： 2014-10-21 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：提供了一种用于电子或光电器件中的异质结构。异质结构包括一个或多个复合半导体层。该复合半导体层可以包括形貌变化的子层，其中至少一个子层可以由一组柱状结构(例如，纳米线)形成。复合半导体层中的另一个子层可以是多孔的、连续的或部分连续的。
包括复合半导体结构

[发明专利]深紫外发光二极管-CN201180037699.3有效
发明人： R·格斯卡;M·S·沙特洛娃;M·舒尔 -专利权人：传感器电子技术股份有限公司
申请日： 2011-06-17 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：提供深紫外发光二极管，该发光二极管包含n型接触层和与n型接触层相邻的光产生结构。光产生结构包含量子阱组。接触层和光产生结构可被配置为使得n型接触层的能量与量子阱的电子基态能量之间的差值大于光产生结构的材料中的极性光学声子的能量。另外，光产生结构可被配置为使得其宽度与用于通过注入到光产生结构中的电子发射极性光学声子的平均自由程相当。二极管可包含阻挡层，该阻挡层被配置为使得阻挡层的能量与量子阱的电子基态能量之间的差值大于光产生结构的材料中的极性光学声子的能量。二极管可包含复合接触，该复合接触包含至少部分地对于由光产生结构产生的光透明的粘接层和被配置为反射由光产生结构产生的光的至少一部分的反射金属层。
深紫发光二极管