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[发明专利]为了磁力测定应用而优化的含氮单晶金刚石材料-CN201680080219.4有效
发明人： W·卢;G·S·布鲁斯;A·M·埃德蒙斯;M·L·马卡姆;A·D·斯泰西;H·K·迪隆 -专利权人：六号元素技术有限公司;六号元素技术美国公司
申请日： 2016-12-06 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：一种单晶金刚石材料，其包含：中性氮‑空位缺陷(NV0)；带负电荷的氮‑空位缺陷(NV‑)；和单一取代的氮缺陷(Ns)，所述氮缺陷将它们的电荷转移到中性氮‑空位缺陷(NV0)，以将它们转化为带负电荷的氮‑空位缺陷(NV‑)，其特征在于所述单晶金刚石材料具有的磁力测定品质因数(FOM)为至少2，其中所述磁力测定品质因数由(I)定义，其中R是带负电荷的氮‑空位缺陷与中性氮‑空位缺陷的浓度比率([NV‑]/[NV0])，[NV‑]是以所述单晶金刚石材料的百万分率(ppm)的原子测量的带负电荷的氮‑空位缺陷的浓度，[NV0]是以所述单晶金刚石材料的百万分率(ppm)原子测量的中性氮‑空位缺陷的浓度，且T2'是NV‑缺陷的退相干时间，其中T2'是对于DC磁力测定而言的T2*或对于AC磁力测定而言的T2。
为了磁力测定应用优化含氮单晶金刚石材料

[发明专利]合成金刚石材料-CN201980014621.6在审
发明人： M·L·马卡姆;A·M·埃德蒙斯 -专利权人：六号元素技术有限公司
申请日： 2019-01-24 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：合成金刚石材料包含表面，其中该表面包含第一表面区域，所述第一表面区域包含量子自旋缺陷的第一浓度。第二表面区域具有预定的面积并且定位与该第一表面区域相邻，该第二区域包含量子自旋缺陷的第二浓度。量子自旋缺陷的第一浓度是量子自旋缺陷的第二浓度的至少十倍大，并且该第一或第二表面区域中的至少一个包含化学气相沉积(CVD)合成金刚石。还公开了制备该合成金刚石材料的方法。
合成金刚石材料

[发明专利]通过化学气相沉积的单晶合成金刚石材料-CN201780074414.0在审
发明人： M·L·马卡姆;A·M·埃德蒙斯;H·K·迪隆;D·W·哈德曼 -专利权人：六号元素技术有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：公开了单晶CVD金刚石材料，该材料包含通过二次离子质谱法(SIMS)测量的至少3ppm的总氮浓度；和低的光学双折射，使得:在具有至少1.3mm×1.3mm面积的该单晶CVD金刚石材料的样品中，并且使用在1×1μm²至20×20μm²范围内的面积的像素尺寸测量，Δn_[平均]的最大值不超过1.5×10^‑4，其中Δn_[平均]是将对于与慢轴和快轴平行偏振的光而言的折射率之差遍及样品厚度取平均的平均值。还公开了制备该材料的方法。
单晶二次离子质谱法化学气相沉积金刚石材料尺寸测量单晶合成双折射折射率快轴慢轴偏振像素总氮制备平行测量

[发明专利]金刚石传感器、探测器和量子装置-CN201280030089.5在审
发明人： D·J·台特申;M·L·马卡姆 -专利权人：六号元素有限公司
申请日： 2012-05-04 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：单晶合成CVD金刚石材料，包含：生长扇区；该生长扇区内的一个或多个类型的多个点缺陷，其中至少一个类型的点缺陷在该生长扇区内择优对齐，其中所述至少一个类型的点缺陷的至少60%显示了所述择优对齐，且其中至少一个类型的点缺陷为带负电的氮空位缺陷(NV-)。
金刚石传感器探测器量子装置

[发明专利]金刚石光学元件-CN201180038128.1无效
发明人： D·J·特维臣;J·M·多德森;M·L·马卡姆;F·耶勒兹克 -专利权人：六号元素有限公司;斯图加特大学
申请日： 2011-08-02 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： B82Y20/00 文献下载
摘要：一种制造光学元件的方法，该方法包括：通过使用具有第一氮浓度的气相的化学气相沉积技术生长第一单晶金刚石材料层；通过使用具有第二氮浓度的气相的化学气相沉积技术在所述第一层上生长第二单晶金刚石材料层，其中该第二氮浓度低于第一氮浓度；由该第二单晶金刚石材料层的至少一部分形成光学元件；和在该光学元件的表面处形成出光耦合结构以提高光的出光耦合。
金刚石光学元件