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[发明专利]集成电子器件及其制造方法-CN201710197884.8有效
发明人： M·萨姆比;F·F·R·托亚;M·马彻西;M·莫里利;R·德佩特罗;G·巴里拉罗;L·M·斯特拉姆比尼 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：一种具有半导体本体(30)的集成电子器件包括：第一电极区域(32)，该第一电极区域具有第一导电类型；以及第二电极区域(28，34，38)，该第二电极区域具有第二导电类型，该第二电极区域与该第一电极区域形成结。该集成电子器件进一步包括：纳米结构半导体区域(48)，该纳米结构半导体区域在该第一和第二电极区域(32；28，34，38)之一中延伸。
集成电子器件及其制造方法

[发明专利]大规模的集成AMR磁电阻器-CN201510860677.7有效
发明人： D·帕希;M·马彻西;M·莫里利 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本公开涉及大规模的集成AMR磁电阻器。集成AMR磁电阻传感器具有布置在彼此顶部上的磁电阻器、设置/重置线圈、以及屏蔽区域。设置/重置线圈定位在磁电阻器和屏蔽区域之间。磁电阻器由细长形状的磁电阻条体形成，磁电阻条体具有在平行于优选磁化方向的第一方向上的长度和在垂直于第一方向的第二方向上的宽度。设置/重置线圈具有横向于磁电阻条体延伸的至少一个伸展。屏蔽区域为铁磁材料，并且具有在第二方向上的大于磁电阻条体的宽度的宽度，以便于衰减遍历磁电阻条体的外部磁场并且增加磁电阻传感器的灵敏度尺度。
大规模集成 amr 磁电

[实用新型]集成电路-CN201920056837.6有效
发明人： F·F·维拉;M·莫里利;M·马彻西;S·D·马里亚尼;F·F·R·托亚 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2019-01-14 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及集成电路。一种集成电路，包括：半导体本体，包括前侧和背侧，并且被配置成支撑电子电路；埋置区域，被设置在半导体本体中，位于电子电路和背侧之间的位置处，埋置区域包括导电材料层和电介质层，其中电介质层被布置在导电材料层和半导体本体之间；以及导电路径，在埋置区域和前侧之间延伸，以形成用于电气接入导电材料层的路径。由此形成电容器，其中导电材料层提供电容器极板，并且电介质层提供电容器电介质。另一个电容器极板由半导体本体提供，或者由埋置区域中的另一导电材料层提供。
导电材料层半导体本体埋置电介质层集成电路电容器极板电子电路电容器电容器电介质导电路径电气接入位置处延伸配置支撑

[发明专利]具有埋置电容器的半导体裸片以及制造半导体裸片的方法-CN201910033479.1在审
发明人： F·F·维拉;M·莫里利;M·马彻西;S·D·马里亚尼;F·F·R·托亚 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2019-01-14 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及具有埋置电容器的半导体裸片以及制造半导体裸片的方法。半导体本体包括前侧和背侧，并且被配置成支撑电子电路。埋置区域被设置在半导体本体中，位于电子电路和背侧之间的位置处。埋置区域包括导电材料层和电介质层，其中电介质层被布置在导电材料层和半导体本体之间。导电路径在埋置区域和前侧之间延伸，以形成用于电气接入导电材料层的路径。由此形成电容器，其中导电材料层提供电容器极板，并且电介质层提供电容器电介质。另一个电容器极板由半导体本体提供，或者由埋置区域中的另一导电材料层提供。
导电材料层半导体本体半导体裸片埋置电介质层电容器极板埋置电容器电子电路电容器电容器电介质导电路径电气接入位置处制造延伸配置支撑

[发明专利]霍尔传感器和感测方法以及对应设备-CN201610377997.1有效
发明人： M·克雷斯森蒂尼;M·塔塔格尼;A·罗马尼;R·卡内加罗;M·马彻西;D·克里斯陶多 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2016-05-31 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： G01D5/14 文献下载
摘要：提供霍尔传感器和感测方法以及对应设备。霍尔传感器可以包括：霍尔感测元件，配置用于当由电流穿过时产生指示磁场的霍尔电压；以及第一对偏压电极，在第一方向上跨霍尔感测元件相互相对。霍尔传感器可以包括在第二方向上跨霍尔感测元件相互相对的第二对偏压电极。霍尔传感器可以包括：第一对感测电极，在第三方向上跨霍尔感测元件相互相对；以及第二对感测电极，在第四方向上跨霍尔感测元件相互相对。第四方向可以正交于第三方向，每个感测电极处于第一对的偏压电极和第二对的偏压电极之间。
霍尔传感器方法以及对应设备

[实用新型]集成电子器件-CN201720324426.1有效
发明人： M·萨姆比;F·F·R·托亚;M·马彻西;M·莫里利;R·德佩特罗;G·巴里拉罗;L·M·斯特拉姆比尼 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：一种的集成电子器件，其具有半导体本体(30)，包括：第一电极区域(32)，该第一电极区域具有第一导电类型；以及第二电极区域(28，34，38)，该第二电极区域具有第二导电类型，该第二电极区域与该第一电极区域形成结。该集成电子器件进一步包括：纳米结构半导体区域(48)，该纳米结构半导体区域在该第一和第二电极区域(32；28，34，38)之一中延伸。
第二电极集成电子器件第一电极半导体区域纳米结构第一导电类型半导体本体导电类型区域形成延伸

[实用新型]霍尔传感器和电子设备-CN201620518761.0有效
发明人： M·克雷斯森蒂尼;M·塔塔格尼;A·罗马尼;R·卡内加罗;M·马彻西;D·克里斯陶多 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2016-05-31 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： G01D5/14 文献下载
摘要：提供霍尔传感器和电子设备。霍尔传感器可以包括：霍尔感测元件，配置用于当由电流穿过时产生指示磁场的霍尔电压；以及第一对偏压电极，在第一方向上跨霍尔感测元件相互相对。霍尔传感器可以包括在第二方向上跨霍尔感测元件相互相对的第二对偏压电极。霍尔传感器可以包括：第一对感测电极，在第三方向上跨霍尔感测元件相互相对；以及第二对感测电极，在第四方向上跨霍尔感测元件相互相对。第四方向可以正交于第三方向，每个感测电极处于第一对的偏压电极和第二对的偏压电极之间。
霍尔传感器电子设备

[实用新型]磁电阻传感器和集成传感器-CN201520975867.9有效
发明人： D·帕希;M·马彻西;M·莫里利 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本公开涉及磁电阻传感器和集成传感器以提高灵敏度尺度。集成AMR磁电阻传感器具有布置在彼此顶部上的磁电阻器、设置/重置线圈、以及屏蔽区域。设置/重置线圈定位在磁电阻器和屏蔽区域之间。磁电阻器由细长形状的磁电阻条体形成，磁电阻条体具有在平行于优选磁化方向的第一方向上的长度和在垂直于第一方向的第二方向上的宽度。设置/重置线圈具有横向于磁电阻条体延伸的至少一个伸展。屏蔽区域为铁磁材料，并且具有在第二方向上的大于磁电阻条体的宽度的宽度，以便于衰减遍历磁电阻条体的外部磁场并且增加磁电阻传感器的灵敏度尺度。
磁电传感器集成

[发明专利]宽范围磁性传感器及其制造方法-CN200910258485.3有效
发明人： C·里瓦;M·莫雷利;M·马彻西 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2009-12-03 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： G01R33/07 文献下载
摘要：本发明涉及宽范围磁性传感器及其制造方法。一种磁性传感器由集成在同一集成设备中的磁通门传感器和至少一个霍尔传感器形成，其中磁通门传感器的磁芯由磁性区域形成，该磁性区域也操作为用于霍尔传感器的集中器。磁性区域在后置加工阶段中制造在金属化层上，其中磁通门传感器的激励线圈和感测线圈被形成；激励和感测线圈形成在容纳霍尔传感器的导电区域的半导体衬底上。
范围磁性传感器及其制造方法

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