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[发明专利]静电放电保护装置-CN201780072781.7有效
发明人： M·迪塞尼亚 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：在所描述的实例中，一种半导体装置(400)包含二极管(210)及电阻器(220)。所述半导体装置(400)包含具有表面(422)的衬底(408)。第一掺杂半导电区域(410)在所述衬底(408)中安置于所述表面(422)下方。第二掺杂半导电区域(420)安置于所述衬底(408)中，且在所述表面(422)与所述第一掺杂半导电区域(410)之间延伸。所述第二掺杂半导电区域(420)至少部分地接触所述第一掺杂半导电区域(410)。所述第一掺杂半导电区域(410)与所述第二掺杂半导电区域(420)一起界定隔离槽(424)。第三掺杂半导电区域(430)安置于所述隔离槽(424)中且接触所述表面(422)。所述第二掺杂半导电区域(420)与所述第三掺杂半导电区域(430)形成所述二极管(210)。所述隔离槽(424)中的至少一个开口(434)在所述衬底(408)与所述第三掺杂半导电区域(430)之间形成用于电流流动的电阻性路径。
静电放电保护装置

[发明专利]用于改善脉冲宽度可伸缩性的高电压双极结构-CN201680057406.0有效
发明人：修洋;A·C·阿帕索瓦米;A·萨勒曼;M·迪塞尼亚 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2016-10-03 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：在用于集成电路中的静电放电ESD管理的双极晶体管(200)的所描述实例中，所述双极晶体管(200)在被配置用于ESD保护的双极晶体管单元中实现垂直电流。所述双极晶体管(200)包括选择性嵌入P型浮动掩埋层PBL(230)。在ESD事件期间，所述双极晶体管(200)的基极(260)以极小电流量延伸到所述PBL层(230)。所述PBL层(230)可提供较多孔以支持所述电流，引起所述双极晶体管(200)的降低的保持电压。通过选择性添加所述PBL层(230)，所述双极晶体管(200)在较长脉冲宽度下的电流可伸缩性可显著改善。
用于改善脉冲宽度伸缩性电压结构

[发明专利]提供多个保护级别的ESD保护电路-CN201310148998.5无效
发明人： M·迪塞尼亚;G·博塞利 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2013-04-26 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及提供多个保护级别的静电放电（ESD）保护电路。静电放电（ESD）保护电路包括具有半导体表面的衬底。多个堆叠ESD保护单元在半导体表面中，每个ESD保护单元具有围绕的隔离结构，其中ESD保护单元通过互连串联连接，并且包括至少与第二ESD保护单元串联的第一ESD保护单元。多个保护管脚包括跨第一ESD保护单元但不跨第二ESD保护单元的第一保护管脚，从而提供第一额定电压，以及跨第一和第二ESD保护单元两者的第二保护管脚，从而提供比第一额定电压更高的第二额定电压。
提供保护级别 esd 电路