专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]碳化硅晶体的生长系统-CN200480016482.4有效
  • G·瓦伦特;V·泊泽缇;O·克迪那;M·玛斯;N·斯派西亚勒;D·克里帕;F·普勒缇 - LPE公司
  • 2004-06-09 - 2006-07-19 - C30B25/00
  • 公开了在基底上生长碳化硅晶体的系统,该系统包括沿着轴延伸的腔室(1),其中该腔室(1)具有独立的用于含碳气体和含硅气体的输入设备(2,3),设置在腔室的第一终端区域(Z1)内的基底支撑设备(4),设置在支撑设备(4)附近的废气输出设备(5),和适于加热该腔室(1)至高于1800℃的温度的加热设备,对含硅气体的输入设备(2)进行设置并确定其形状和尺寸,其方式使含硅气体进入腔室的第二终端区域(Z2)内,对含碳气体的输入设备(3)进行设置并确定其形状和尺寸,其方式使碳和硅基本上在同时远离第一终端区域(Z1)和第二终端区域(Z2)的腔室的中心区域(ZC)内接触。
  • 碳化硅晶体生长系统

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