专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]操作装置、特别是用于电子家用设备的操作装置-CN201680083813.9有效
  • A·迈格勒;B·富格;J·林斯楚斯;R·斯托尔;T·弗罗梅尔特;M·施温德 - 迪尔阿扣基金两合公司
  • 2016-03-21 - 2022-04-15 - H03K17/969
  • 一种设计为滑动控制器的操作装置包括:覆盖板(10),该覆盖板具有面向用户的用户侧(10a),其中,该覆盖板(10)具有一个操作区(12),该操作区具有多个沿着一条操作线设置的操作区段(12a至12f);多个光学传感器,其中,所述多个操作区段(12a至12f)中的每个操作区段都设有所述多个光学传感器的用于发射电磁辐射的至少一个发送器(16a至16f)和所述多个光学传感器的用于检测电磁辐射的至少一个接收器(18a至18f);以及电子控制器件(30),用于分析由所述多个光学传感器的所述至少一个接收器(18a至18f)产生的测量信号。在此,所述覆盖板(10)的操作区(12)的多个操作区段(12a至12f)分别这样设计,使得所述操作区段能通过来自覆盖板(10)的用户侧(10a)的压力(28)至少部分弹性地变形和/或运动,并且使得所述操作区段至少部分地反射由与所述操作区段相配的发送器(16a至16f)发射的辐射。所述至少一个接收器(18a至18f)这样设置和/或设计,使得所述至少一个接收器能实现位置分辨地检测由操作区段(12a至12f)反射的辐射,该操作区段与所述至少一个接收器相配,并且所述电子控制器件(30)根据所反射的辐射在所述至少一个接收器(18a至18f)上的检测位置来探测对操作区段(12a至12f)的操纵,该操作区段与所述至少一个接收器相配。
  • 操作装置特别是用于电子家用设备
  • [发明专利]磁热级联和制造磁热级联的方法-CN201580068084.5在审
  • F·沙夫;M·施温德;D·范阿斯滕;S·A·雅各布斯 - 巴斯夫欧洲公司
  • 2015-12-07 - 2017-08-29 - H01F1/00
  • 本发明涉及一种磁热级联,其包含具有不同居里温度TC的磁热材料层的序列,其中‑磁热材料层包括冷侧外层、热侧外层以及介于冷侧外层与热侧外层之间的至少三个内层,且磁热级联的每个下一相邻磁热层对在其各自的居里温度之间具有各自的居里温度差量ΔTC,其中‑热侧外层或冷侧外层或热侧外层与冷侧外层二者具有比任何内层更大的比值mΔS最大/ΔTC,其中m表示相应磁性材料层的质量,ΔS最大表示相应磁性材料层的磁相变中可获得的等温磁熵变的最大量。
  • 级联制造方法
  • [发明专利]磁热级联和制造磁热级联的方法-CN201580068083.0在审
  • F·沙夫;M·施温德;D·范阿斯滕;S·A·雅各布斯 - 巴斯夫欧洲公司
  • 2015-12-07 - 2017-08-29 - H01L37/00
  • 本发明涉及一种包含具有不同居里温度TC的磁热材料层序列的磁热级联,其中‑磁热材料层包括冷侧外层、热侧外层以及介于冷侧外层与热侧外层之间的至少三个内层,‑对于磁热级联的每个下一相邻磁热材料层对,存在相应的交叉温度,在该交叉温度下,两个相邻磁热材料层各自的熵参数mΔS具有相同的交叉点值,其中熵参数mΔS定义为相应磁热材料层的质量m与其在相应磁热材料层的磁相变中的等温磁熵变ΔS的量的乘积,‑至少两个内层具有彼此不同的质量m,和‑所有下一相邻内层对的熵参数mΔS的所有交叉点值与磁热级联的所有下一相邻内层对的所有交叉点值的平均值相等—精确相等或处于±15%的幅度内。
  • 级联制造方法
  • [发明专利]辐射探测器-CN200480028387.6有效
  • H·哈斯;F·莫尔默;M·施温德 - 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
  • 2004-08-24 - 2006-11-08 - H01L31/0203
  • 本发明涉及一种用于以预定的光谱灵敏度分布(14)探测辐射的辐射探测器,该灵敏度分布(14)在预定的波长λ0处具有灵敏度最大值,其中,辐射探测器优选地含有一种III-V半导体材料并且特别优选地包括至少一个半导体芯片(1)和至少一个被布置在该半导体芯片的后面的光学滤波器,其中,该半导体芯片含有至少一种III-V半导体材料,并且光学滤波器吸收波长大于灵敏度最大值的波长λ0的辐射。
  • 辐射探测器

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