专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]用于高阶模式抑制的方法、系统和设备-CN201780080733.2有效
  • M·坎斯卡;陈之纲 - 恩耐公司
  • 2017-10-27 - 2023-06-06 - H01S5/20
  • 一种激光二极管垂直外延结构,包括:横向波导,所述横向波导包括在n型半导体层和p型半导体层之间的有源层,其中所述横向波导由在横向波导的n侧上的低折射率n包覆层和在横向波导的p侧上的低折射率p包覆层界定;侧向波导,所述侧向波导正交于所述横向波导,其中,所述侧向波导在纵向上在第一端由涂覆有高反射器(HR)涂层的腔面界定并且在第二端由涂覆有部分反射器(PR)涂层的腔面界定;以及高阶模式抑制层(HOMSL),所述高阶模式抑制层被设置为邻近侧向波导的至少一个侧边并且所述高阶模式抑制层在纵向上延伸。
  • 用于模式抑制方法系统设备
  • [发明专利]低发散高亮度宽条形激光器-CN201880051395.4有效
  • 陈之纲;M·坎斯卡 - 恩耐公司
  • 2018-06-07 - 2023-05-30 - G02B6/14
  • 一种装置包括:半导体波导,其沿纵轴延伸并且包括第一波导段和第二波导段,其中,就限定所述半导体波导的横向折射率差而言,所述第一波导段比所述第二波导段大;和输出端小面,其被定位在所述半导体波导的所述纵轴上,以便发射在所述半导体波导中传播的激光光束,其中,所述第一波导段被定位在所述第二波导段和所述输出端小面之间,并且其中,所述横向折射率差抑制了由所述输出端小面发射的激光光束中的高阶横模的发射。
  • 发散亮度条形激光器
  • [发明专利]可变放大倍数的无焦望远镜元件-CN202080071802.5在审
  • J·斯莫;陈之纲;M·坎斯卡 - 恩耐公司
  • 2020-08-14 - 2022-06-03 - G02B27/09
  • 装置包括透射型光学基板,该透射型光学基板被配置为接收以相对于透射型光学基板的光轴的相应的初始光束位移沿相应的平行光束轴传播的多个激光器光束,并且被配置为产生具有减小的位移的激光器输出光束,其中该透射型光学基板包括第一表面和第二表面,第一表面和第二表面各自的第一曲率和第二曲率被限定为由于相对于光轴线性地增加的输入光束位移而增加输出光束的放大倍数和非线性地增加相对于光轴的输出光束位移。
  • 可变放大倍数望远镜元件
  • [发明专利]用于高阶模抑制的方法、系统和装置-CN202080065748.3在审
  • M·坎斯卡;陈之纲;N·比克尔特 - 恩耐公司
  • 2020-08-13 - 2022-04-29 - H01S5/10
  • 一种激光二极管,包括横向波导和侧向波导,横向波导正交于侧向波导,侧向波导包括位于n型波导层和p型波导层之间的有源层,其中,横向波导由n侧上的n型覆层和p侧上的p型覆层界定,侧向波导沿纵向方向在第一端处由高反射器(HR)涂覆面界定且在第二端处由部分反射器(PR)涂覆面界定,侧向波导进一步包括掩埋的高阶模抑制层(HOMSL),其被设置在p型覆层下方且在侧向波导内或在侧向波导的一侧或两侧上或其组合,其中,HOMSL沿纵向方向从HR面延伸的长度小于HR面与PR面之间的距离。
  • 用于高阶模抑制方法系统装置
  • [发明专利]用于差分电流注入的方法、系统、设备-CN201980093209.8在审
  • M·坎斯卡;陈之纲 - 恩耐公司
  • 2019-12-20 - 2021-10-29 - H01S5/14
  • 一种激光二极管,其包括:横向波导,其包括位于n型半导体层和p型半导体层之间的有源层,其中,横向波导在横向波导的n侧上由较低指数的n包覆层定界,且在横向波导的p侧上由较低指数的p包覆层定界;腔,其与横向波导正交,其中,腔在纵向方向上在第一端处由高反射器(HR)小面定界,并且在第二端处由部分反射器(PR)小面定界;以及第一触点层,其电联接到波导,并被配置成改变在纵向方向上注入到波导内的电流量,以便在HR小面附近注入比在PR小面处更多的电流。
  • 用于电流注入方法系统设备
  • [发明专利]串联泵浦光纤放大器-CN201980077699.2在审
  • M·坎斯卡;J·张 - 恩耐公司
  • 2019-11-19 - 2021-07-23 - H01S3/067
  • 在一个示例中,串联泵浦光纤放大器可包括种子激光器、一个或多个二极管泵以及单或多活性芯光纤。单或多活性芯光纤可包括作为振荡器操作的第一部分和作为功率放大器操作的不同的第二部分。一个或多个二极管泵可以光学耦合到单或多活性芯光纤的第一部分,且种子激光器可以光学耦合到单活性芯或多活性芯光纤的最内层芯。
  • 串联光纤放大器
  • [发明专利]高亮度相干多结二极管激光器-CN201780026693.3有效
  • 陈之纲;M·坎斯卡 - 恩耐公司
  • 2017-04-04 - 2021-07-13 - H01S5/40
  • 本发明公开了激光二极管((210)、(230)),该激光二极管((210)、(230))形成在具有合适厚度和折射率的层((212)、(228))的公共衬底(236)上,并且产生相干耦合的输出光束。可以定位相位掩模以在所述输出光束中的一个或多个中产生相位差,以产生共同的波前相位。相位校正光束以比非相干耦合的传统激光器减小的角度发散传播,并且相干耦合激光二极管可以提供更高的光束亮度、增强的光束参数积和耦合到光纤激光器中的掺杂光纤中的优异功率。
  • 亮度相干二极管激光器
  • [发明专利]串联泵浦光纤放大器-CN201780076852.0有效
  • M·坎斯卡 - 恩耐公司
  • 2017-10-12 - 2021-05-11 - H01S3/067
  • 在示例中,串联泵浦光纤放大器可以包括种子激光器、一个或多个二极管泵浦以及包括第一芯和第二芯的多芯光纤,其中第二芯包围第一芯。多芯光纤可以包括用作振荡器的第一部分和用作功率放大器的不同的第二部分。一个或多个二极管泵浦可以被光学地耦接到多芯光纤的第一部分,种子激光器可以被光学地耦接到第一芯。
  • 串联光纤放大器
  • [发明专利]具有FAC透镜面外波束转向的二极管激光设备-CN201980023147.3在审
  • 陈之纲;M·坎斯卡;S·李;J·张;M·德夫兰扎;D·M·海明威;E·马丁;J·斯莫 - 恩耐公司
  • 2019-02-06 - 2020-11-10 - H01S5/40
  • 设备包括第一激光二极管、第一快轴准直器(FAC)、第二激光二极管以及第二快轴准直器(FAC),第一激光二极管被定位成沿着光轴从出射面发射波束,所发射的波束具有垂直于光轴的垂直快轴和慢轴,第一快轴准直器(FAC)光学耦合到从所述出射面发射的波束,所述第一快轴准直器被配置为沿着重定向波束轴引导所述波束,所述重定向波束轴相对于所述第一激光二极管的光轴具有非零角度,第二激光二极管被定位为从第二激光二极管的出射面沿着平行于第一激光二极管的光轴的光轴发射波束,所述波束的慢轴与第一激光二极管的慢轴位于共同平面中,所述第二快轴准直器(FAC)光学耦合到从第二激光二极管的出射面发射的波束,并被配置为沿着重定向波束轴引导波束,所述波束轴相对于所述第二激光二极管的光轴具有非零角度。
  • 具有fac透镜波束转向二极管激光设备
  • [发明专利]多喇叭形激光振荡器波导-CN201510656834.2有效
  • M·坎斯卡;Z·陈 - 恩耐公司
  • 2015-10-12 - 2020-10-16 - H01S5/22
  • 一种宽域半导体二极管激光器件,包括一个多喇叭形振荡器波导,所述多喇叭形振荡器波导包括多个组件喇叭形振荡器波导,每个组件喇叭形振荡器波导包括一个多模高反射器面、一个与所述高反射器面间隔开的部分反射器面、以及一个在所述多模高反射器面和所述部分反射器面之间延伸且变宽的喇叭形电流注入区,其中部分反射器面宽度与高反射器面宽度的比率是n:1,其中n>1,且其中所述多喇叭形振荡器波导的组件喇叭形振荡器波导被布置成行,使得邻近定位的组件喇叭形振荡器波导的喇叭形电流注入区的部分彼此重叠,或使得邻近定位的组件喇叭形振荡器波导的喇叭形电流注入区的部分彼此靠近且彼此之间的距离的数量级为由组件喇叭形振荡器波导发射的光的波长。
  • 喇叭激光振荡器波导

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