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[发明专利]涉及多组双管道存储器电路的系统和方法-CN201580035542.5有效
发明人： M-H·黄;R·海格;P·常;L-L·舒 -专利权人： GSI科技公司
申请日： 2015-06-05 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： G06F12/06 文献下载
摘要：公开了多组双管道SRAM系统、方法、操作这样的SRAM的处理、和/或制造多组双管道SRAM的方法。例如，一个说明性多组双管道SRAM可以包括用于以下的特征：捕获读地址和写地址，经由一个或多个划分/组合处理对它们进行划分和/或组合，和/或将它们用总线运送到SRAM存储器组，其中，它们可以被读和写到特定的组。本文中的说明性多组双管道SRAM和方法还可以包括用于以下的特征：捕获两节拍的写数据，经由一个或多个划分/组合处理对它们进行划分和/或组合，以及将它们用总线运送到每个SRAM组，其中，它们经由一个或多个划分/组合处理被划分/组合/重组以对特定的组写数据。
涉及双管存储器电路系统方法

[发明专利]涉及多存储体存储器电路系统的系统和方法-CN201580035410.2有效
发明人： L-L·舒;R·海格 -专利权人： GSI科技公司
申请日： 2015-06-05 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： G06F12/06 文献下载
摘要：公开了多存储体SRAM设备、系统、操作多存储体SRAM的方法、和/或制造多存储体SRAM系统的方法。例如，例示性的多存储体SRAM和方法可以包括或涉及用于以下的特征：以特定频率捕获读地址和写地址，经由一个或多个拆分/组合过程拆分和/或组合它们，并且将它们送到每个SRAM存储体，在那里它们可以经由一个或多个拆分/组合过程被拆分和/或组合，以读和写特定的存储体。本文的一些实现还可以涉及用于以下的特征：以特定频率捕获两个节拍的写数据，经由一个或多个拆分/组合过程拆分和/或组合它们，并且将它们送到每个SRAM存储体，在那里它们可以经由一个或多个拆分/组合过程被拆分和/或组合以便写到特定的存储体。对存储体的读和写可以以小于或等于捕获频率的一半发生。
涉及存储存储器电路系统方法