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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于制造电极结构的方法-CN201210353858.7无效
发明人： S.加梅里特;R.克纳夫勒;A.莫德;K.佐尔沙格;H.韦伯 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2012-09-21 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了用于制造电极结构的方法。一种用于制造具有电极结构的半导体器件的方法包括：提供半导体本体，该半导体本体具有第一表面，并且具有在该半导体本体的垂直方向上从该第一表面延伸的第一牺牲层；以及形成从该第一表面延伸至该半导体本体中的第一沟槽。通过在邻近该第一表面的部分中去除该牺牲层来至少形成该第一沟槽。该方法还包括：通过在该第一沟槽中各向同性地蚀刻该半导体本体来形成第二沟槽；形成覆盖该第二沟槽的侧壁的介质层；以及在该第二沟槽中的该介质层上形成电极，该第二沟槽中的该电极和该介质层形成该电极结构。
用于制造电极结构方法

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