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[发明专利]半导体器件和有隔离源区的反向导电绝缘栅双极晶体管-CN201910187329.6有效
发明人： R.巴布尔斯克;M.戴内塞;J.G.拉文;P.莱希纳;H-J.舒尔策 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-05-12 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件和有隔离源区的反向导电绝缘栅双极晶体管。一种半导体器件，包括半导体台面，其具有与源区形成第一pn结并且与漂移区形成第二pn结的至少一个本体区。在与至少一个本体区相对的漂移区的一侧处的基底层包括至少一个本体区的导电类型的第一区、以及漂移区的导电类型的第二区。电极结构在半导体台面的相对侧上。电极结构中的至少一个包括控制了流过至少一个本体区的电荷载流子的栅电极。在源区中的两个源区之间的分离区域中，（i）栅电极与半导体台面之间的电容耦合或者（ii）漂移区的多数电荷载流子的导电率低于分离区域的外侧。
半导体器件隔离反向导电绝缘双极晶体管

[发明专利]功率半导体器件的二极管结构-CN202210268887.7在审
发明人： R.巴布尔斯克;P.C.布兰特;J.G.拉文 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-09-20 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开功率半导体器件的二极管结构。功率半导体器件包括：半导体主体，耦合到第一负载端子和第二负载端子。主体包括：至少一个二极管结构，被配置为在端子之间传导负载电流并且包括电气连接到第一负载端子的阳极端口和电气连接到第二负载端子的阴极端口；以及相同导电类型的漂移区和场停止区。阴极端口包括具有相对导电类型的第一端口部分和第二端口部分。第二端口部分中的每个和场停止区之间的过渡形成沿第一横向方向延伸的相应pn结。第二端口部分中的紧邻的第二端口部分之间的横向分离距离在第二组中比在第一组中小。
功率半导体器件二极管结构

[发明专利]半导体器件-CN201811228445.X有效
发明人： R.巴布尔斯克;T.巴斯勒;P.C.布兰特;M.科托罗格亚;J.G.拉文 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-12-17 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件。提出一种半导体器件。半导体器件包括：半导体区域，半导体区域呈现第一导电类型的电荷载流子；晶体管单元，被包含在半导体区域中；半导体沟道区域，被包含在晶体管单元中，半导体沟道区域呈现与第一导电类型互补的第二导电类型的第一掺杂浓度的电荷载流子，其中半导体沟道区域和半导体区域之间的过渡区形成第一pn结。半导体器件进一步包括被包含在半导体区域中并且不同于半导体沟道区域的半导体辅助区域，半导体辅助区域呈现第二导电类型的第二掺杂浓度的电荷载流子，第二掺杂浓度与第一掺杂浓度相比更高至少30%，其中半导体辅助区域和半导体区域之间的过渡区形成第二pn结。
半导体器件

[发明专利]功率半导体器件的二极管结构-CN201710850954.5有效
发明人： R.巴布尔斯克;P.C.布兰特;J.G.拉文 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-09-20 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开功率半导体器件的二极管结构。一种功率半导体器件，包括耦合到第一负载端子和第二负载端子中的每一个的半导体主体。半导体主体包括具有第一导电类型的掺杂剂的漂移区；至少一个二极管结构，其配置成在所述端子之间传导负载电流并且包括电气连接到第一负载端子的阳极端口和电气连接到第二负载端子的阴极端口；具有以比漂移区更高的掺杂剂浓度的第一导电类型的掺杂剂的场停止区，其中场停止区布置在阴极端口与漂移区之间。阴极端口包括具有第一导电类型的掺杂剂的第一端口部分和具有与第一导电类型互补的第二导电类型的掺杂剂的第二端口部分，第二端口部分中的每一个与场停止区之间的过渡形成相应pn结，所述pn结沿第一横向方向延伸。
功率半导体器件二极管结构

[发明专利]具有dV/dt可控性的功率半导体装置-CN202111086111.5在审
发明人： C.耶格;J.G.拉文;A.菲利波;M.C.赛费尔特;A.韦莱 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及具有dV/dt可控性的功率半导体装置。一种功率半导体装置包括：半导体主体，耦合到功率半导体装置的第一负载端子和第二负载端子并且包括漂移区域，漂移区域被配置为在所述端子之间传导负载电流，漂移区域包括第一导电型的掺杂物；源极区域，被布置为与第一负载端子电接触并且包括第一导电型的掺杂物；沟道区域，包括第二导电型的掺杂物并且隔离源极区域与漂移区域；至少一个功率单位基元，包括至少一个第一类型沟槽、至少一个第二类型沟槽和至少一个第三类型沟槽，所述沟槽被布置为横向彼此相邻，其中所述沟槽中的每个沟槽沿着延伸方向延伸到半导体主体中并且包括绝缘体，绝缘体将相应的沟槽电极与半导体主体绝缘。
具有 dv dt 可控性功率半导体装置

[发明专利]半导体器件和用于形成半导体器件的方法-CN201610913348.9有效
发明人： J.G.拉文;H-J.舒尔策;W.舒施特雷德 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-10-20 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件和用于形成半导体器件的方法。用于形成半导体器件的方法包括将掺杂离子注入到半导体衬底中。在将掺杂离子注入到半导体衬底中期间，在注入掺杂离子的掺杂离子束的主方向与半导体衬底的主晶向之间的偏差小于±0.5°。所述方法还包括在掺杂离子的注入期间控制半导体衬底的温度，使得半导体衬底的温度在用于注入掺杂离子的注入工艺时间的70%以上中在目标温度范围内。目标温度范围从目标温度下限达到目标温度上限。目标温度下限等于目标温度减去30°C。目标温度高于80°C。
半导体器件用于形成方法

[发明专利]具有dV/dt可控性的功率半导体装置-CN201710826878.4有效
发明人： C.耶格;J.G.拉文;A.菲利波;M.C.赛费尔特;A.韦莱 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及具有dV/dt可控性的功率半导体装置。一种功率半导体装置包括：半导体主体，耦合到功率半导体装置的第一负载端子和第二负载端子并且包括漂移区域，漂移区域被配置为在所述端子之间传导负载电流，漂移区域包括第一导电型的掺杂物；源极区域，被布置为与第一负载端子电接触并且包括第一导电型的掺杂物；沟道区域，包括第二导电型的掺杂物并且隔离源极区域与漂移区域；至少一个功率单位基元，包括至少一个第一类型沟槽、至少一个第二类型沟槽和至少一个第三类型沟槽，所述沟槽被布置为横向彼此相邻，其中所述沟槽中的每个沟槽沿着延伸方向延伸到半导体主体中并且包括绝缘体，绝缘体将相应的沟槽电极与半导体主体绝缘。
具有 dv dt 可控性功率半导体装置

[发明专利]功率半导体装置-CN201710906126.9有效
发明人： J.G.拉文;F.D.普菲尔施 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种功率半导体装置包括：半导体主体，具有正面和背面；布置在正面的第一负载端子和布置在背面的第二负载端子；漂移区域，被包括在半导体主体中并且具有第一导电型的掺杂物；和第一基元，被布置在正面。功率半导体装置还包括第二基元。另外，所述功率半导体装置包括：第一背面发射极区域，被包括在半导体主体中，第一背面发射极区域以电气方式与第二负载端子连接并且具有第二导电型的掺杂物，其中第一背面发射极区域和第一基元具有第一共同横向延伸范围；和第二背面发射极区域，被包括在半导体主体中，第二背面发射极区域以电气方式与第二负载端子连接并且具有第一导电型的掺杂物，其中第二背面发射极区域和第二基元具有第二共同横向延伸范围。
功率半导体装置

[发明专利]用于产生超级结器件的方法-CN201710574489.7有效
发明人： F.希尔勒;J.G.拉文;A.毛德;H-J.舒尔策;W.舒施特雷德;M.特赖贝尔;D.图图克;A.韦尔克尔;H.韦伯 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及用于产生超级结器件的方法。公开的是一种方法，该方法包括使多个半导体布置一个在另一个上面形成。在该方法中，形成多个半导体布置中的每一个包括：形成半导体层；在该半导体层的第一表面中形成多个沟槽；以及将第一类型和第二类型中的至少一个的掺杂剂原子注入到该半导体层的多个沟槽中的每一个的第一侧壁和第二侧壁中的至少一个中。
用于产生超级器件方法

[发明专利]半导体器件，测试半导体器件的方法和形成半导体器件的方法-CN201710623101.8有效
发明人： M.科托罗贾;E.格里布尔;J.G.拉文;A.菲利波 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-07-27 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：一种半导体器件包括连接到晶体管结构的多个源极掺杂区部分的第一源极配线子结构。该半导体器件还包括连接到多个源极场电极的第二源极配线子结构，多个源极场电极位于延伸到半导体器件的半导体衬底中的多个源极场沟槽中。第一源极配线子结构的触点配线部分和第二源极配线子结构的触点配线部分位于层堆叠的配线层中，层堆叠的配线层位于半导体衬底上。第一源极配线子结构的触点配线部分和第二源极配线子结构的触点配线部分各自具有足够触点用于至少临时测试测量的横向尺寸。包括触点配线部分的配线层被定位成比第一源极配线子结构和第二源极配线子结构之间的任何欧姆电连接更接近半导体衬底。
半导体器件测试方法形成

[发明专利]温度传感器-CN201510967259.8有效
发明人： C.克格勒;J.G.拉文;J.马勒;G.鲁尔;H-J.舒尔策 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： G01K7/16 文献下载
摘要：本发明涉及温度传感器。提供了温度传感器器件和对应的方法。温度传感器可以包含在温度范围内本质上是非传导的第一层以及在所述温度范围内具有变化的电阻的第二层。
温度传感器

[发明专利]用于控制功率半导体开关的方法和电路-CN201510331730.4有效
发明人： C.耶格;J.G.拉文 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-06-16 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：本发明涉及用于控制半导体开关的方法和电路。描述一种用于控制半导体开关的控制电路。根据本发明的一个实例，控制电路包括与半导体开关连接的过载探测电路，该过载探测电路被构造用于探测半导体开关的过载状态。控制电路此外包括与半导体开关的控制端子连接的驱动电路，该驱动电路被构造用于在探测过载状态时产生具有这样的电平的驱动信号，使得半导体开关被关断或防止接通。驱动电路此外被构造用于按照控制信号产生用于控制半导体开关的驱动信号，其中为了接通晶体管在第一时间点产生具有第一电平的驱动信号，并且如果直至预先给定的时间段结束之后没有探测到过载状态，那么将电平提高到第二电平。
用于控制功率半导体开关方法电路

[发明专利]具有dV/dt可控性和低栅极电荷的IGBT-CN201910249737.X在审
发明人： A.菲利普;R.巴伯斯克;C.耶格尔;J.G.拉文;H.梅克尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：提供了一种具有势垒区的IGBT。IGBT的功率单位单元具有可以二者延伸到势垒区中的至少两个沟槽。所述至少两个沟槽可以二者具有耦合到IGBT的控制端的相应沟槽电极。例如，沟槽电极被结构化以便减少IGBT的总体栅极电荷。势垒区可以是p掺杂的并且通过漂移区竖直限域，即在延伸方向上并且对向延伸方向。势垒区可以电气浮置。
势垒区沟槽电极栅极电荷延伸功率单位电气浮结构化可控性漂移区耦合到对向竖直限域

[发明专利]具有晶体管单元和辅助单元的可减饱和的半导体器件-CN201610553186.2有效
发明人： R.巴布尔斯克;J.G.拉文 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-07-14 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：提供了具有晶体管单元和辅助单元的可减饱和的半导体器件。一种半导体器件（500）包括晶体管单元（TC），其当施加到栅电极（155）的栅电压超过第一阈值电压（Vthn）时将第一负载电极（310）与漂移结构（120）连接，漂移结构（120）与本体区（115）形成第一pn结（pn1）。在第一负载电极（310）的垂直投影中并且与第一负载电极（310）电连接的第一辅助单元（AC1）配置为至少在第一pn结（pn1）的正向偏置模式中将电荷载流子注入到漂移结构（120）中。第二辅助单元（AC2）配置为当在第一pn结（pn1）的正向偏置模式中栅电压低于比第一阈值电压（Vthn）低的第二阈值电压（Vthp）时以高发射极效率将电荷载流子注入到漂移结构（120）中，并且当栅电压超过第二阈值电压（Vthp）时以低发射极效率将电荷载流子注入到漂移结构（120）中。
具有晶体管单元辅助饱和半导体器件

[发明专利]具有晶体管单元和增强单元的半导体器件-CN201510975028.1有效
发明人： R.巴布尔斯克;M.戴内泽;C.耶格;J.G.拉文 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-12-23 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：提供了具有晶体管单元和增强单元的半导体器件。一种半导体器件包括晶体管单元（TC）和增强单元（EC）。每个晶体管单元（TC）包括与漂移结构（120）形成第一pn结（pn1）的本体区（115）。晶体管单元（TC）可以在第一控制信号（C1）超过第一阈值（Vthx）时在本体区（115）中形成反型沟道（115x）。反型沟道（115x）形成漂移结构（120）与第一负载电极（310）之间的连接的一部分。延迟单元（400）生成第二控制信号（C2），第二控制信号（C2）的后沿相对于第一控制信号（C1）的后沿延迟。增强单元（EC）在第二控制信号（C2）下降到低于比第一阈值（Vthx）低的第二阈值（Vthy）时在漂移结构（120）中形成反型层（120y）。反型层（120y）作为少数电荷载流子发射极起效。
具有晶体管单元增强半导体器件

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