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[发明专利]具有减少谐波的瞬态电压抑制二极管及其制造和使用方法-CN201710930501.3有效
发明人： M.戈尔班扎德;J.克拉克;W.A.拉塞尔 -专利权人：商升特公司
申请日： 2017-10-09 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本申请涉及具有减少谐波的瞬态电压抑制二极管及其制造和使用方法。半导体器件包括半导体管芯。在半导体管芯中形成瞬态电压抑制（TVS）结构。在半导体管芯上形成电容器。在一个实施例中，通过在半导体管芯上沉积第一导电层、在第一导电层上沉积绝缘层、以及在半导体管芯上沉积第二导电层来形成电容器。在另一个实施例中，通过在半导体管芯中形成沟道、在沟道中沉积绝缘材料、以及在沟道中沉积导电材料来形成电容器。
具有减少谐波瞬态电压抑制二极管及其制造使用方法

[发明专利]编码VEGF-A多肽的经修饰的RNA、配制品和关于它们的用途-CN202310693718.2在审
发明人： L.K.帕林德;R.D.弗里特谢丹尼尔森;K.M.汉松;L.M.甘;J.克拉克;A-C.E.艾格内尔;K.R.基恩 -专利权人：摩登纳特斯有限公司
申请日： 2017-06-06 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C12N15/12 文献下载
摘要：本发明涉及编码VEGF‑A多肽的经修饰的RNA、配制品和关于它们的用途。本披露涉及编码VEGF‑A多肽的经修饰的RNA分子和包含该经修饰的RNA的配制品。本披露的多方面还涉及包含该经修饰的RNA的配制品的制备和在治疗患有对VEGF‑A疗法有反应的疾病的受试者中的用途。
编码 vegf 多肽修饰 rna 配制关于它们用途

[发明专利]堆叠半导体管芯以用于系统级ESD保护的半导体装置和方法-CN202310474789.3在审
发明人：黄昌俊;J.克拉克 -专利权人：商升特公司
申请日： 2017-02-28 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明公开制造半导体装置的方法和半导体装置。所述方法包括：提供包括第一分立瞬态电压抑制(TVS)二极管的第一半导体管芯；提供包括第二分立TVS二极管的第二半导体管芯；将所述第二半导体管芯设置在所述第一半导体管芯上方，其中所述第一分立TVS二极管和所述第二分立TVS二极管并联电耦合；将所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯设置在引线框上方；以及在所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯上方沉积密封剂。
堆叠半导体管芯用于系统 esd 保护装置方法

[发明专利]用于电过应力和静电放电保护的方法和器件-CN202310611092.6在审
发明人： D.J.罗斯;W.A.拉塞尔;J.克拉克 -专利权人：商升特公司
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及用于电过应力和静电放电保护的方法和器件。由沿信号源与负载之间的传输线串联电耦合的串联保护电路保护半导体器件免于电过应力(EOS)和静电放电(ESD)事件。串联保护电路包括串联电耦合在信号源与负载之间的第一场效应晶体管(FET)。并联保护电路电耦合在传输线与接地节点之间。并联保护电路可以包括瞬态电压抑制(TVS)二极管。
用于应力静电放电保护方法器件

[发明专利]用于电过应力和静电放电保护的方法和器件-CN201810263749.3有效
发明人： D.J.罗斯;W.A.拉塞尔;J.克拉克 -专利权人：商升特公司
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本发明涉及用于电过应力和静电放电保护的方法和器件。由沿信号源与负载之间的传输线串联电耦合的串联保护电路保护半导体器件免于电过应力（EOS）和静电放电（ESD）事件。串联保护电路包括串联电耦合在信号源与负载之间的第一场效应晶体管（FET）。并联保护电路电耦合在传输线与接地节点之间。并联保护电路可以包括瞬态电压抑制（TVS）二极管。
用于应力静电放电保护方法器件

[发明专利]编码VEGF-A多肽的经修饰的RNA、配制品和关于它们的用途-CN201780048447.8有效
发明人： L.K.帕林德;R.D.弗里特谢丹尼尔森;K.M.汉松;L.M.甘;J.克拉克;A-C.E.艾格内尔;K.R.基恩 -专利权人：摩登纳特斯有限公司
申请日： 2017-06-06 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： C07K14/52 文献下载
摘要：本披露涉及编码VEGF‑A多肽的经修饰的RNA分子和包含该经修饰的RNA的配制品。本披露的多方面还涉及包含该经修饰的RNA的配制品的制备和在治疗患有对VEGF‑A疗法有反应的疾病的受试者中的用途。
编码 vegf 多肽修饰 rna 配制关于它们用途

[发明专利]可重复使用的导管柄部系统-CN201880067948.5有效
发明人： J.舒尔茨;C.罗苏;D.吉多利;S.京;J.克拉克 -专利权人：韦伯斯特生物官能（以色列）有限公司
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： A61B17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种可操纵导管(10)，其具有细长的管状导管主体(14)以及柄部(12)，所述导管主体具有至少一个偏转构件(30)，所述至少一个偏转构件可滑动地设置在管腔(26、28)内，在远侧端部处固定到末端节段(16)并终止于在近侧端部处的互连件(46)中，所述柄部可释放地附接到所述导管主体的近侧端部。所述柄部具有耦接到致动器(18)的至少一个滑动构件(54)，使得所述致动器的操纵引起相对于所述柄部的相对纵向运动，其中当所述柄部附接到所述导管主体时，所述互连件和所述滑动构件接合，使得所述滑动构件的所述相对纵向运动被传递到所述偏转构件，并且其中当所述柄部从所述导管主体释放时，所述互连件和所述滑动构件脱离接合。
重复使用导管系统

[发明专利]单步封装-CN201710675601.6有效
发明人： K.K.候;J.克拉克;J.麦克劳德 -专利权人：商升特公司
申请日： 2017-08-09 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明公开了单步封装。一种半导体装置，包括半导体晶片。在半导体晶片之上形成多个柱状凸块。在柱状凸块之上沉积焊料。当半导体晶片在载体上时，在形成柱状凸块之后，将半导体晶片单片化成多个半导体管芯。当半导体管芯保持在载体上时，在半导体管芯和柱状凸块周围沉积密封剂。密封剂覆盖在柱状凸块之间的半导体管芯的有源表面。
封装

[发明专利]具有可移动消融脊的套索导管-CN201610890805.7有效
发明人： I.方;J.克拉克;K.达塔 -专利权人：韦伯斯特生物官能（以色列）有限公司
申请日： 2016-10-12 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： A61B5/24 文献下载
摘要：本发明题为“具有可移动消融脊的套索导管”。本公开涉及一种具有包括可移动脊的套索电极组件的导管。套索电极组件可具有一系列感测电极并且可被配置成接合患者的脉管口。可移动脊可具有消融电极并且可围绕套索电极组件的周边沿着轨道行进。通过调节可移动脊的位置，可消融组织以围绕脉管的周边形成消融灶。
具有移动消融套索导管

[发明专利]具有多个传感器的灌注消融导管-CN201510821619.3有效
发明人： J.舒尔茨;M.J.杜尔特;D.格吉多里;K.楚尤;M.巴-塔尔;J.克拉克;A.伯格;A.哈赞 -专利权人：韦伯斯特生物官能（以色列）有限公司
申请日： 2015-11-24 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： A61B18/12 文献下载
摘要：本发明题为“具有多个传感器的灌注消融导管”。本发明公开了用于提供以及使用灌注消融导管的系统和方法。导管可包括具有灌注孔的远侧外壳电极。设置在电极内的插入件具有与电极的外壳中的孔口配合的突起。每个突起具有与插入件中的至少一个内腔连通的端口，并且传感器被设置在每个端口中。支撑物密封电极的近侧端部，并且接合插入件。多个传感器可被用于测量围绕电极的电特性和热特性，并且可帮助估计在电极和组织之间的接触和/或确定在消融期间电极的运动。
具有传感器灌注消融导管

[发明专利]使用开关调节器和电压限制器的电压倍增器-CN201880063972.1在审
发明人： J.克拉克 -专利权人：交互数字CE专利控股公司
申请日： 2018-08-13 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H02M3/156 文献下载
摘要：电压倍增器电路配置包括：具有可变输入电压和调节的电压的开关调节器；以及利用开关调节器的调节的电压的电压倍增器电路。电压倍增器电路包括：输出电容器，其从电压倍增器电容器接收升高的电压；以及电钳，其限制电压倍增器电容器不超过调节的电压。输出电压是调节的电压的两倍减去电路损耗。
使用开关调节器电压限制器倍增器

[发明专利]用于现场可编程量子阵列的设备和方法-CN201910150188.0在审
发明人： J.克拉克;S.约里;A.霍尔姆斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： G06F8/41 文献下载
摘要：描述了一种用于现场可编程量子阵列的设备和方法。例如，设备的一个实施例包括：包括多个量子比特（qbit）位置的qbit晶格；用来执行量子运行时间代码的量子控制器；用来分析量子运行时间代码以检测量子运行时间代码内的量子计算模式的动态调度器；用来基于检测的量子计算模式来动态配置qbit晶格的自适应机器配置控制器，利用被qbit占用的一些位置和未被qbit占用的其他位置来动态配置qbit晶格；并且所述动态调度器用来基于qbit晶格的重新配置来修改量子运行时间代码的至少一部分。
量子时间代码晶格动态调度器动态配置量子计算控制器可编程占用方法描述机器配置重新配置自适应检测分析

[发明专利]具有改善的功率谱密度性能的硅抛光组合物-CN201280006116.5有效
发明人： B.雷斯;J.克拉克;L.琼斯;M.怀特 -专利权人：嘉柏微电子材料股份公司
申请日： 2012-01-17 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明涉及化学机械抛光组合物，其包括二氧化硅、一种或多种四烷基铵盐、一种或多种碳酸氢盐、一种或多种碱金属氢氧化物、一种或多种氨基膦酸、一种或多种速率加速剂化合物、一种或多种多糖、以及水。该抛光组合物使经抛光的基材的表面粗糙度和PSD减小。本发明进一步涉及使用本文中所述的抛光组合物对基材、尤其是硅基材进行化学机械抛光的方法。
具有改善功率密度性能抛光组合

[发明专利]用于抛光大体积硅的组合物及方法-CN201180029365.1有效
发明人： B.赖斯;M.怀特;L.琼斯;J.克拉克 -专利权人：嘉柏微电子材料股份公司
申请日： 2011-04-06 - 公布日： 2013-02-20 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供了包含以下的抛光组合物：(a)二氧化硅、(b)一种或多种提高硅移除速率的化合物、(c)一种或多种四烷基铵盐、和(d)水，其中，该抛光组合物具有7至11的pH值。本发明进一步提供了用该抛光组合物抛光基板的方法。
用于抛光体积组合方法

[发明专利]用于抛光大体积硅的组合物及方法-CN201080041294.2有效
发明人： B.雷斯;J.克拉克;L.琼斯;J.吉利兰;M.怀特 -专利权人：嘉柏微电子材料股份公司
申请日： 2010-09-13 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明提供了包含以下的抛光组合物：(a)二氧化硅、(b)一种或多种提高硅移除速率的化合物、(c)一种或多种四烷基铵盐、和(d)水，其中，该抛光组合物的pH值为7至11。本发明进一步提供了用该抛光组合物抛光基板的方法。
用于抛光体积组合方法

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