专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]用于生产涂覆的基板的方法-CN201680024331.6有效
  • J·皮斯特纳;H·哈格多恩 - 布勒阿尔策瑙股份有限公司
  • 2016-03-31 - 2022-04-01 - C23C14/54
  • 本发明涉及一种用于在真空室中生产具有介电涂层材料的等离子体涂覆的表面的基板的方法,该真空室具有用交流电操作的等离子体装置,该方法包含:借助于移动装置沿着曲线相对于该等离子体装置来移动基板,且借助于该等离子体装置沿着位于该基板的表面上的轨迹,在涂层区中将涂层材料沉积于该基板的该表面上。在此设计以下方面:a)确定在该基板的移动方向上的该轨迹的至少部分上的所沉积涂层材料的层厚度的实际值,b)比较该轨迹的该至少部分上的该层厚度的该实际值与额定值,c)确定该等离子体装置的参数以用于取决于该基板的位置来改变每单位时间所沉积的涂层材料的量,使得所沉积的涂层材料的该层厚度的该实际值与该额定值偏离小于预定差,d)根据项目c)来设定该等离子体装置的参数以用于改变每单位时间所沉积的涂层材料的量,和e)借助于该等离子体装置用在项目d)中所设定的该参数来沉积涂层材料。本发明还涉及一种用于在真空室中生产具有介电涂层材料的等离子体涂覆的表面的基板(10、100)的装置,该真空室具有用交流电操作的等离子体装置(31、32、150、180),该装置包含:用于沿着曲线相对于该等离子体装置(31、32、150、180)来移动基板(10、100)的移动装置,其中借助于该等离子体装置(31、32、150、180),沿着位于该基板(10、100)的表面(11、101)上的轨迹(12、105),在涂层区中将涂层材料沉积于该基板的该表面上;控制模块(140),该控制模块经设计及设置以用于执行该方法。
  • 用于生产方法
  • [发明专利]基材真空处理设备-CN201480031978.2在审
  • H·哈格多恩;J·皮斯特纳;T·沃格特;A·米勒 - 布勒阿尔策瑙股份有限公司
  • 2014-03-26 - 2016-01-20 - C23C14/56
  • 基材(130)真空处理设备具有包括等离子体装置(160)的真空室(1)、处理室(110)和在处理室(110)内设于等离子体装置下方的用于基材(130)的容纳机构(135),其中处理室(110)包括具有侧壁(106a)的上半部(105a)和具有侧壁(106b)的下半部(105b),上半部(105a)和下半部(105b)可彼此相对竖向运动,在基材真空处理设备中规定,在上半部(105a)侧壁(106a)和下半部(105b)侧壁(106b)之间,下流动路径(105c)在处理室(110)的内部区域(140)和真空室(1)的设置在上半部(105a)之外的内部区域(1a)之间延伸。另外,在上半部(105a)的上边缘区(107)和设置在真空室(1)的内部区域(1a)的上部分中的密封件(109)之间设有在处理室(110)的内部区域(140)和真空室(1)的设置在上半部(105a)之外的内部区域(1a)之间的上流动路径(190),其中上半部(105a)可相对于真空室(1)运动至低位,上流动路径(190)在低位上是打开的,上半部(105a)可相对于真空室(1)运动至高位,上流动路径(190)在高位上是关闭的。
  • 基材真空处理设备
  • [发明专利]用于产生等离子体射束的方法以及等离子体源-CN201080027312.1有效
  • M·舍雷尔;J·皮斯特纳 - 莱博德光学有限责任公司
  • 2010-04-27 - 2012-05-16 - H01J37/32
  • 在用于产生等离子体射束的方法中,该等离子体射束被这样从一个由电场和磁场产生的等离子体中这样引出,使得一个高频电压被施加到一个引出电极和一个具有激励面的激励电极的高频电极装置上并且该等离子体相对引出电极在时间平均中位于一个较高的、被等离子体正离子加速的电位上并且该等离子体和引出的等离子体射束受一个磁场地影响,规定了,为了产生磁场使用一个平面的磁子,该磁子被设置在激励电极后面的背离该等离子体的一侧上并且其磁性北极和磁性南极指向等离子体腔室内部中,使得构成一个弯曲的、伸入到等离子体腔室内部的磁场。在用于实施所述方法的等离子体源中,具有一个带有引出电极和具有激励面的激励电极的高频电极装置的等离子体容器,该激励面通过一个适配网络可与一个高频振荡器连接或被与一个高频振荡器连接,其中,一个等离子体腔室位于该激励面与引出电极之间,在该等离子体腔室中可激励一个等离子体及其中,引出电极与激励面的面积大小被这样选择,使得几乎在引出电极上下降了全部高频电压;具有一个用于产生磁场的磁装置,规定了,该磁装置具有至少一个磁性北极和一个磁性南极,它们分别被设置在激励电极后面的背离等离子体腔室的一侧上并且指向该等离子体腔室的内部,使得可形成一个弯曲的、伸入到等离子体腔室内部中的磁场,其中,北极或南极中至少一个被长形地构造,使得可形成一个隧道状的区域,加载的粒子可被保持在该区域中并且它们可沿着该区域扩散。
  • 用于产生等离子体方法以及
  • [发明专利]用于制造基片上的层系统的方法及层系统-CN200980137482.2无效
  • J·皮斯特纳;T·施莫德;S·库珀 - 莱博德光学有限责任公司
  • 2009-07-23 - 2011-08-24 - C23C14/06
  • 本发明涉及制造在介电基片(12)上的层系统的方法,其中用涂镀步骤(110)将金属层(14)施加于基片(12)上,并随后用另一涂镀步骤(140)将另一层(24)以预定的厚度施加于基片上,其中所述金属层(14)具有>10MOhm的方块电阻以及>50%的平均反射率,当另一层(24)用另一涂镀步骤(140)以同样的层厚度施加于基片(12)上时,其具有<1MOhm的方块电阻,并且由金属层(14)和另一层(24)组成的层系统(10)具有>10MOhm的方块电阻。此外,本发明涉及介电基片(12)上的层系统,其中用涂镀步骤(110)将金属层(14)施加于基片(12)上,并随后用另一涂镀步骤(140)将另一层(24)以预定的厚度施加于基片上,其中所述金属层(14)具有>10MOhm的方块电阻以及>50%的平均反射率,当另一层(24)用另一涂镀步骤(140)以同样的层厚度施加于基片(12)上时,其具有<1MOhm的方块电阻,并且由金属层(14)和另一层(24)组成的层系统(10)具有>10MOhm的方块电阻。外壳可配备有根据本发明的层系统。
  • 用于制造基片上系统方法

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