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[发明专利]制造完全可再循环的采矿筛网的方法-CN201980084685.3在审
发明人： M·洛伦佐;J·P·罗德里格斯 -专利权人：科思创有限公司
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： B29C65/00 文献下载
摘要：本发明提供了环境友好的、完全可再循环的复合材料采矿筛网，其具有足够的刚性以替代现有的金属采矿筛网和金属覆盖塑料采矿筛网。本发明的复合材料筛网插入件包含硬性增强纤维（玻璃纤维、碳纤维等等），并表现出金属采矿筛网插入件和金属覆盖塑料采矿筛网插入件的刚性，由此使得使用中的挠度最小化。本发明的采矿筛网还是完全可再循环的，因为在其使用寿命结束时，可以将破损的和用过的筛网研磨成聚合物颗粒，并将颗粒并入到新的筛网或其它部件中。
制造完全再循环采矿筛网方法

[发明专利]用于手动浇铸聚合物的方法和系统-CN201980072902.7在审
发明人： J·P·罗德里格斯;R·郭;S·高;P·让坦;R·马莱卡 -专利权人：科思创知识产权两合公司
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： B29C39/02 文献下载
摘要：一种用于手动浇铸聚合物、特别是聚氨酯的方法用于生产模塑部件。模塑部件的生产包括以下步骤：提供具有用于手动浇铸的型腔的模具，根据制法来制备液体聚合物，将液体聚合物手动浇铸到模具的型腔中，以及使模具中的液体聚合物凝固，从而得到模塑部件。一种系统包括模具和至少一个传感器，其中传感器在模塑部件的生产之前和/或期间检测参数。传感器向所述系统提供参数数据，其中所述系统使用参数的参数数据以便计算所述制法。所述制法是在模塑部件的生产之前和/或期间计算的，其中所述制法包括生产参数的至少一个所计算的设定点。所述系统包括电子设备和显示器，其中电子设备控制显示器。显示器在模塑部件的生产期间示出根据所述参数数据而计算的所述制法的至少一个生产步骤的至少一部分。
用于手动浇铸聚合物方法系统

[发明专利]系统最大电流保护-CN201580063668.3有效
发明人： E·罗特姆;N·罗森茨维格;D·拉杰万;N·舒尔曼;G·列波维茨;T·泽维;A·加拜;J·P·罗德里格斯;J·A·卡尔森 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-11-09 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： G05F1/10 文献下载
摘要：一种用于提供主动电流保护的方法和装置。在一个实施例中，所述方法包括：在变换到集成电路(IC)的新状态之前，通过基于所述新状态下的单独域频来计算多个域中的每个域的预期电流并且将所述预期电流与其针对所述新状态的所述多个域中的每个域的相关联电压相乘来计算所述IC中的所述多个域的预期功率之和；将所述和与功率限值进行比较；以及如果所述和大于所述功率限值则降低与所述多个域中的至少一个域相关联的所述单独域频以便将所述IC的总瞬时功率维持为低于所述功率限值。
系统最大电流保护

[发明专利]至少部分地基于平台电容来控制处理器的电流消耗-CN201780046655.4在审
发明人： A·N·阿南塔克里什南;J·P·罗德里格斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2017-08-03 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： G06F1/32 文献下载
摘要：在一个实施例中，处理器包括：至少一个核，用于执行指令；功率控制器，用于控制处理器的功耗；以及存储，用于存储多个条目，所述多个条目用于将动态电容与电流尖峰将暴露至功率递送组件所持续的持续时间相关联。描述并要求保护其他实施例。
控制处理器多个条目存储功率控制器电流尖峰电流消耗动态电容功率递送电容处理器功耗指令关联暴露

[发明专利]通过主动平台功耗管理的AC适配器最小化-CN201180002729.7有效
发明人： J·G·赫尔默丁二世;J·P·罗德里格斯;V·斯里尼瓦桑 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2011-06-29 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： G06F1/32 文献下载
摘要：管理平台功耗的系统和方法可以包括：至少部分地基于AC适配器提供的电流来确定平台的功耗水平。可以至少部分地基于该平台的功耗水平来确定该平台中的集成电路的功率限度，其中所述功率水平可以应用于该集成电路。
通过主动平台功耗管理 ac 适配器最小化

[发明专利]带电容器的集成电路封装-CN02807091.7有效
发明人： D·G·菲格罗亚;D·马利克;J·P·罗德里格斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2002-02-11 - 公布日： 2004-11-17 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：一种装置，包括含有第一表面和暴露在所述第一表面上的外部导电触点的封装。电容器在所述封装内。所述电容器具有暴露在所述电容器第一表面的第一导电触点。所述第一导电触点的第一部分跨越所述电容器的所述第一表面宽度。所述电容器的所述第一表面基本上平行于所述封装的所述第一表面。第一导电通路，将所述电容器所述第一导电触点的所述第一部分连接到邻近封装第一表面的第一导电触点。
带电容器集成电路封装