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[实用新型]微电子器件-CN202120260881.6有效
发明人： J·日默内·马蒂内 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开的各实施例涉及微电子器件。微电子器件包括竖直布置在P型掺杂半导体衬底中的PNP晶体管和NPN晶体管，通过以下步骤制造：在半导体衬底中形成用于PNP晶体管的N+掺杂隔离阱；在N+掺杂隔离阱中形成P+掺杂区；在半导体衬底上外延生长第一半导体层；形成用于NPN晶体管的N+掺杂阱，其中N+掺杂阱的至少一部分延伸到第一半导体层中；然后在第一半导体层上外延生长第二半导体层；在第二半导体层中形成P掺杂区，该P掺杂区形成PNP晶体管的集电极；以及在第二半导体层中形成N掺杂区，该N掺杂区形成NPN晶体管的集电极。通过本实用新型的实施例，可以在微电子器件的同一半导体衬底中集成两种类型的晶体管，而不会降低任一个的性能。
微电子器件

[发明专利]制造包括PNP双极晶体管和NPN双极晶体管的器件的方法-CN202110127097.2在审
发明人： J·日默内·马蒂内 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L21/8228 文献下载
摘要：本公开的各实施例涉及制造包括PNP双极晶体管和NPN双极晶体管的器件的方法。一种微电子器件，包括竖直布置在P型掺杂半导体衬底中的PNP晶体管和NPN晶体管。PNP晶体管和NPN晶体管通过以下步骤制造：在半导体衬底中形成用于PNP晶体管的N+掺杂隔离阱；在N+掺杂隔离阱中形成P+掺杂区；在半导体衬底上外延生长第一半导体层；形成用于NPN晶体管的N+掺杂阱，其中N+掺杂阱的至少一部分延伸到第一半导体层中；然后在第一半导体层上外延生长第二半导体层；在第二半导体层中形成P掺杂区，该P掺杂区形成PNP晶体管的集电极，并且该P掺杂区与P+掺杂区电接触；以及在第二半导体层中形成N掺杂区，该N掺杂区形成NPN晶体管的集电极，并且该N掺杂区与N+掺杂阱电接触。
制造包括 pnp 双极晶体管 npn 器件方法