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[发明专利]低泄漏GaN MOSFET-CN201180016639.3有效
发明人： J·拉达尼 -专利权人：美国国家半导体公司
申请日： 2011-01-12 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：通过在AlGaN（或InAlGaN）势垒层（118）上利用SiO2/Si3N4栅绝缘层（124）来形成增强模式GaN MOSFET（100）。SiO2/Si3N4栅绝缘层（124）的Si3N4部分（120）减少了栅绝缘层（124）和势垒层（118）之间的结处的界面态的形成，同时SiO2/Si3N4栅绝缘层（124）的SiO2部分（122）减少了泄漏电流。
泄漏 gan mosfet

[发明专利]常关型氮化镓基半导体器件-CN201180014938.3有效
发明人： J·拉达尼 -专利权人：美国国家半导体公司
申请日： 2011-01-27 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种方法包括在半导体器件（100,500）中形成（604）弛豫层（106,506）。该方法还包括在弛豫层上形成（606）张力层（108，510），其中张力层具有张应力。该方法进一步包括在弛豫层上形成（606）压缩层（110,508），其中压缩层具有压应力。压缩层的压电极化强度近似等于或大于弛豫层、张力层和压缩层中的自发极化强度。压缩层中的压电极化强度与压缩层中的自发极化强度方向相反。弛豫层可以包括氮化镓，张力层可以包括氮化铝镓，并且压缩层可以包括氮化铝铟镓。
常关型氮化半导体器件