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[发明专利]半导体衬底中的缝隙应力调制-CN201780014139.3在审
发明人： J.马修;Y.何;Z.谢;H.S.金 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2017-01-27 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种用于调制半导体衬底中的缝隙应力的公开示例，其包括：控制第一过程以将第一材料应用于半导体衬底。半导体衬底包括相邻堆叠式晶体管层之间的缝隙。第一材料涂覆缝隙的壁以将相邻堆叠式晶体管层之间的缝隙的第一宽度减小到第二宽度。控制第二过程以将第二材料应用于半导体衬底。第二材料将被沉积在缝隙的第二宽度中。第一材料和第二材料将在相邻堆叠式晶体管层之间的缝隙中形成固体结构。
衬底半导体第二材料第一材料晶体管层相邻堆叠固体结构宽度减小应力调制沉积涂覆调制应用

[发明专利]再循环时数转换器（TDC）-CN201280071937.7有效
发明人： H.S.金;A.拉维;Y.W.李;K.钱德拉舍卡 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2012-04-10 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： H03L7/00 文献下载
摘要：再循环时数转换器（TDC）可以包括触发参考环形振荡器（TRRO）和延迟模块。触发参考环形振荡器可以在由参考信号边缘触发时产生具有环形振荡器周期的周期性环形振荡器信号，该环形振荡器周期是电压控制振荡器（VCO）周期的所选比率。延迟模块可以将由周期性环形振荡器信号定时的VCO信号的样本存储在多个锁存器中。每个锁存器可以产生样本的输出，并且每个锁存器输出可以代表VCO信号与TRRO信号之间的时间差极性。在另一个示例中，再循环TDC可以包括触发参考环形振荡器、数字锁频模块和TDC后处理模块。数字锁频模块可以产生环形振荡器控制信号，其对于触发参考环形振荡器设置环形振荡器周期。TDC后处理模块可以产生TDC输出，其可以是参考信号与VCO信号之间的相位差的二进制表示。
再循环转换器 tdc

[发明专利]增强的生物炭-CN201680028171.2在审
发明人： R.邦特切夫;H.S.金;R.W.威尔逊;R.W.贝尔彻;C.切尼;L.E.曼泽尔;M.L.加兰德;H.万;R.马尔雅拉 -专利权人：酷星球能源系统股份有限公司
申请日： 2016-05-16 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： C01B32/00 文献下载
摘要：提供了经处理以具备某些被发现对植物生长和/或土壤健康具有最大影响的化学和物理性质的生物炭。特别是，其中原生物炭的以下物理和/或化学性质等可通过处理来改变或强化以提高生物炭性能(1)体积密度，(ii)浸渍能力；(iii)粒径分布；(iv)固体颗粒密度；(v)表面积；(vi)孔隙率；(vii)总孔隙率；(viii)大孔隙率与总孔隙率之比；(ix)残余有机化合物含量；(x)挥发性有机化合物；(xii)灰分含量；(xiii)持水能力；(xiv)保水能力；和(xv)pH。处理还可提高/降低生物炭的孔径，提高亲水性/降低疏水性，从原生物炭去除二恶英，提高导电性，提高阳离子交换能力和提高阴离子交换能力等等。
增强生物