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[发明专利]半导体气体传感器-CN201210470822.7有效
发明人： C·维尔贝茨;T·科莱特;H-P·弗雷里希斯 -专利权人：迈克纳斯公司
申请日： 2012-11-20 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： G01N27/403 文献下载
摘要：基于集成的场效应晶体管的半导体气体传感器具有半导体主体和通过间隙与通道区域分离的气体敏感的控制电极且构造为悬浮栅场效应晶体管，或者控制电极设置为具有间隙的电容器的第一板且电容器的第二板与电容性控制构造的场效应晶体管的栅极连接，控制电极具有半导体载体层和气体敏感层，半导体载体层具有增附剂层且气体敏感层位于增附剂层上，控制电极与参考电势连接，气体敏感层的表面朝着通道区域或第二板，在半导体主体表面上设有连接区，支撑区设置在连接区内，连接区具有第一连接区域和第二连接区域，第一连接区域借助第一连接剂与控制电极电连接和力锁合连接，第二连接区域借助第二连接剂与控制电极至少力锁合连接。
半导体气体传感器

[发明专利]湿度传感器-CN201010511712.1有效
发明人： H-P·弗雷里希斯 -专利权人：迈克纳斯公司
申请日： 2010-10-15 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： G01N27/22 文献下载
摘要：一种湿度传感器，该湿度传感器在衬底(2)上具有至少一个带有传感器区域(5、5′)的电位传感器和至少一个控制电极(7)。所述控制电极(7)与被构型成可对所述控制电极(7)施加可变控制电压的信号源相连接。在所述传感器区域(5、5′)上设置透湿性的、介电常数与湿度有关的传感器层(12)。所述控制电极(7)如此邻近所述传感器层(12)，使得所述电位传感器的电位测量信号与所述控制电压和所述湿度有关。所述电位传感器与分析处理装置相连接以便基于所述电位测量信号来求得所述湿度。所述控制电极(7)在所述衬底(2)的延伸平面的俯视图中设置在所述传感器区域(5)侧旁。
湿度传感器

[发明专利]用于测量气态介质的湿度的湿度传感器和方法-CN200880010736.X有效
发明人： M·莱曼;H-P·弗雷里希斯;I·弗罗因德 -专利权人：迈克纳斯公司
申请日： 2008-04-02 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： G01N27/22 文献下载
摘要：一种湿度传感器(1)，在其表面上具有用于湿度膜(5a，5b)(5a，5b)的容纳区域(4)，该湿度膜的层厚度(6a，6b)取决于该容纳区域(4)周围环境中的相对湿度，其中该湿度传感器(1)具有信号源，该信号源具有用于产生控制电压的装置，其中该信号源为了向湿度膜(5a，5b)施加控制电压而与至少一个与该容纳区域(4)上的至少一个馈入点(11)邻接的控制电极(10)连接。该湿度传感器(1)具有至少一个电位传感器，该电位传感器在容纳区域(4)下方具有至少一个与所述至少一个馈入点(11)分隔的传感器区域(9)。该传感器区域(9)通过介于该传感器区域和容纳区域(4)之间的绝缘层(3)而与容纳区域(4)电绝缘，使得借助该电位传感器能够电容地检测取决于湿度膜(5a，5b)的层厚度和控制电压的电位。
用于测量气态介质湿度传感器方法

[发明专利]用于测量气体浓度的方法-CN200910128099.2有效
发明人： H-P·弗雷里希斯 -专利权人：迈克纳斯公司
申请日： 2009-03-25 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：在用于测量目标气体的浓度的方法中，提供气体传感器(1)，其传感器信号(20)在恒定的温度下取决于目标气体浓度(21)并在第一个控制范围(29)内具有相比在第二个控制范围(30)内更低的测量敏感性。控制范围(29，30)的位置取决于温度。气体传感器(1)的温度这样调节，使得传感器信号(20)基本不依赖目标气体浓度(21)并位于第二个控制范围(30)内。这样，气体传感器(1)的温度为目标气体浓度(21)的度量。
用于测量气体浓度方法