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[发明专利]沉积方法-CN202310180876.8在审
发明人：朱驰宇;H·朱西拉;谢琦 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2019-02-07 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：提供了一种选择性地在具有第一和第二表面的基板上沉积材料的方法，其中所述第一表面不同于所述第二表面。在基板上沉积材料包括：向基板供给包含金属原子、卤素原子和至少一种不是金属或卤素原子的另外的原子的本体前体；和向基板供给反应物。本体前体和反应物相对于第二表面与第一表面具有反应以在第一表面上形成比在第二表面上更多的材料。
沉积方法

[发明专利]氧化物和氮化物的原子层沉积-CN202010086030.4在审
发明人： H·朱西拉;朱驰宇;谢琦;金智妍;T·E·布隆伯格 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2020-02-11 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：使用沉积增强前体的气相沉积方法，例如原子层沉积(ALD)方法可用于形成多种氧化物和氮化物膜，包括金属氧化物、金属氮化物、金属氮氧化物、氧化硅和氮化硅膜。举例来说，所述方法可用于沉积过渡金属氮化物，例如TiN、过渡金属氧化物和氧化硅和氮化硅，例如SiO2和SiN。在一些实施例中，所述沉积增强前体包含第II族金属，在一些实施例中例如Mg、Sr、Ba或Ca。在一些实施例中，提供包含沉积循环的原子层沉积方法，所述沉积循环包含第一子循环和第二子循环，在所述第一子循环中衬底与沉积增强前体和氧或氮反应物接触，在所述第二子循环中所述衬底与金属或硅前体和氧或氮反应物接触。在一些实施例中，所述方法有利地实现改进的薄膜形成，例如提高的沉积速率。由于沉积速率提高，可能需要更少沉积循环来获得所期望的膜。
氧化物氮化物原子沉积