专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]用于生产涂覆的基板的方法-CN201680024331.6有效
  • J·皮斯特纳;H·哈格多恩 - 布勒阿尔策瑙股份有限公司
  • 2016-03-31 - 2022-04-01 - C23C14/54
  • 本发明涉及一种用于在真空室中生产具有介电涂层材料的等离子体涂覆的表面的基板的方法,该真空室具有用交流电操作的等离子体装置,该方法包含:借助于移动装置沿着曲线相对于该等离子体装置来移动基板,且借助于该等离子体装置沿着位于该基板的表面上的轨迹,在涂层区中将涂层材料沉积于该基板的该表面上。在此设计以下方面:a)确定在该基板的移动方向上的该轨迹的至少部分上的所沉积涂层材料的层厚度的实际值,b)比较该轨迹的该至少部分上的该层厚度的该实际值与额定值,c)确定该等离子体装置的参数以用于取决于该基板的位置来改变每单位时间所沉积的涂层材料的量,使得所沉积的涂层材料的该层厚度的该实际值与该额定值偏离小于预定差,d)根据项目c)来设定该等离子体装置的参数以用于改变每单位时间所沉积的涂层材料的量,和e)借助于该等离子体装置用在项目d)中所设定的该参数来沉积涂层材料。本发明还涉及一种用于在真空室中生产具有介电涂层材料的等离子体涂覆的表面的基板(10、100)的装置,该真空室具有用交流电操作的等离子体装置(31、32、150、180),该装置包含:用于沿着曲线相对于该等离子体装置(31、32、150、180)来移动基板(10、100)的移动装置,其中借助于该等离子体装置(31、32、150、180),沿着位于该基板(10、100)的表面(11、101)上的轨迹(12、105),在涂层区中将涂层材料沉积于该基板的该表面上;控制模块(140),该控制模块经设计及设置以用于执行该方法。
  • 用于生产方法
  • [发明专利]测试玻璃更换-CN201280052829.5有效
  • A·左勒;H·哈格多恩;E·沃斯;W·维因里希;T·格罗斯 - 莱博德光学有限责任公司
  • 2012-06-28 - 2017-10-03 - G01B11/06
  • 一种真空镀膜系统中用于光学测量膜特性的测试玻璃更换器,其具有能够移动的基片座(2),用于将至少一个基片引入通过至少一个镀膜材料流的路径,具有用于至少一个测试玻璃元件的底座(6),其刚性地连接至旋转轴(4)并且能够相对于基片座(2)围绕旋转轴(4)旋转,并且具有控制装置,用于每种情况下将一个测试玻璃元件插入光学测量装置的光路中并插入至少一个镀膜材料流中,其中底座(6)具有相对于轴(4)偏心地偏移的至少两个凹槽(7)以用于每种情况的一个测试玻璃元件,并且底座(6)相对于轴(4)的旋转运动可以由控制装置引起,其特征在于,提供定心装置(10),通过定心装置(10)可以对底座(6)施加扭转力矩和保持力矩,从而将布置在凹槽(7)之一中的测试玻璃元件带入测量装置的测量位置。在通过该装置的用于测试玻璃更换的方法中提出,在将布置在凹槽(7)之一中的测试玻璃元件移入测量装置的测量位置之前,通过控制装置引起底座(6)的旋转运动,所述旋转运动将所述测试玻璃元件带入第一位置,该位置与测量位置的角距离小于凹槽(7)之间的角距离,并且之后通过定心装置(10)将所述测试玻璃元件带入测量位置。
  • 测试玻璃更换
  • [发明专利]基材真空处理设备-CN201480031978.2在审
  • H·哈格多恩;J·皮斯特纳;T·沃格特;A·米勒 - 布勒阿尔策瑙股份有限公司
  • 2014-03-26 - 2016-01-20 - C23C14/56
  • 基材(130)真空处理设备具有包括等离子体装置(160)的真空室(1)、处理室(110)和在处理室(110)内设于等离子体装置下方的用于基材(130)的容纳机构(135),其中处理室(110)包括具有侧壁(106a)的上半部(105a)和具有侧壁(106b)的下半部(105b),上半部(105a)和下半部(105b)可彼此相对竖向运动,在基材真空处理设备中规定,在上半部(105a)侧壁(106a)和下半部(105b)侧壁(106b)之间,下流动路径(105c)在处理室(110)的内部区域(140)和真空室(1)的设置在上半部(105a)之外的内部区域(1a)之间延伸。另外,在上半部(105a)的上边缘区(107)和设置在真空室(1)的内部区域(1a)的上部分中的密封件(109)之间设有在处理室(110)的内部区域(140)和真空室(1)的设置在上半部(105a)之外的内部区域(1a)之间的上流动路径(190),其中上半部(105a)可相对于真空室(1)运动至低位,上流动路径(190)在低位上是打开的,上半部(105a)可相对于真空室(1)运动至高位,上流动路径(190)在高位上是关闭的。
  • 基材真空处理设备

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