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[发明专利]用于背侧通孔显露处理的方法和设备-CN202180059631.9在审
发明人： P·利安托;朱仕兴;洪士超;颜斌然;R·F·文卢安;G·梅塔;R·奇丹巴拉姆;徐源辉;A·桑达拉江;U·V·乌姆萨拉;丘伟豪;M·A·D·B·阿布杜拉;M·C·库特内;M·M·怀利;A·L·阿萨德;G·T·莫瑞 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：使用对于多个工艺工具的集中式控制框架执行背侧通孔显露工艺的方法和设备。在一些实施例中，一种用于执行背侧通孔显露工艺的方法可包括：由中央控制器从背侧通孔显露工艺中涉及的工艺工具接收工艺工具操作参数；从背侧通孔显露工艺中涉及的工艺工具中的至少一者或多者接收传感器计量数据；并且至少部分地基于工艺工具操作参数和传感器计量数据，通过调整背侧通孔显露工艺中涉及的工艺工具中的两者或更多者来修改背侧显露工艺。轮廓参数被配置成防止在化学机械抛光(CMP)工艺期间的背侧通孔断裂。
用于背侧通孔显露处理方法设备

[发明专利]用于处理基板的方法和设备-CN202080082552.5在审
发明人：熊健刚;和田优一;G·T·莫瑞 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本发明提供用于处理基板的方法和设备。举例而言，方法可包括在第一基板上沉积第一金属层；在第一金属层顶上沉积第二金属层；在第二基板上沉积第三金属层；在第三金属层顶上沉积第四金属层；以及在足以通过扩散层使第一基板接合至第二基板的条件下，使第二材料层与第四材料层接触，所述扩散层由第一金属层的扩散穿过第二金属层中的部分和第三金属层的扩散穿过第四金属层中的部分形成。
用于处理方法设备

[发明专利]基板及处理基板的方法-CN201680056616.8有效
发明人： G·H·施;C·H·陶;G·T·莫瑞;A·桑达拉江 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-10-12 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：处理基板的方法包含以下步骤：提供基板，该基板具有聚合物介电层、形成在该聚合物介电层内的金属焊垫及形成在该聚合物介电层的顶上的第一金属层；在该基板的顶上沉积聚合物层；将该聚合物层图案化，以形成多个开口，其中该多个开口包括最靠近该金属焊垫所形成的第一开口；在该聚合物层的顶上沉积第一阻障层；在该第一阻障层的顶上沉积介电层；从该第一开口内及该聚合物层的场区蚀刻该介电层及该第一阻障层；在该基板的顶上沉积第二阻障层；在该基板的顶上沉积第二金属层，其中该第二金属层填充该多个开口；及从该聚合物层的场区的一部分蚀刻该第二金属层。
处理方法