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[发明专利]用于宽带UHF天线的陶瓷介电配方-CN201210460675.5无效
发明人： E·别尔莎德斯基;M·克拉夫钦克;R·卡特拉奥;D·本巴萨特;D·阿隆 -专利权人：威世科技公司
申请日： 2007-06-07 - 公布日： 2013-02-20 - 主分类号： C04B35/47 文献下载
摘要：本申请提供了介电陶瓷组合物，其在1MHz下的介电常数K为至少200，介电损耗DF为0.0006或者更小。所述介电陶瓷组合物可通过在空气中烧结而制得，而不需控制气氛。所述介电陶瓷组合物可以具有92.49-97.5重量%的主要组分和2.50-7.51重量%的次要组分，其中所述主要组分含有60.15-68.2重量%的钛酸锶、11.02-23.59重量%的钛酸钙以及7.11-21.32重量%的钛酸钡；所述次要组分含有1.18-3.55重量%的锆酸钙、0.50-1.54重量%的三氧化铋、0.2-0.59重量%的氧化锆、0.02-0.07重量%的二氧化锰、0.12-0.35重量%的氧化锌、0.12-0.35重量%的无铅玻璃料、0.24-0.71重量%的高岭土以及0.12-0.35重量%的氧化铈。所述介电陶瓷组合物可用于UHF天线和单片陶瓷元件。
用于宽带 uhf 天线陶瓷配方

[发明专利]体电容器和方法-CN201210313609.5无效
发明人： R·卡特拉奥;N·科亨;M·克拉夫契克-沃尔夫松;E·别尔莎德斯基;J·巴尔蒂图德 -专利权人：维莎斯普拉格公司
申请日： 2009-09-03 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01G9/00 文献下载
摘要：一种体电容器包括由金属箔形成的第一电极（12）以及形成于金属箔上的半导电多孔陶瓷体（18）。例如通过氧化在多孔陶瓷体上形成电介质层（22）。在多孔陶瓷体上沉积导电介质（16），填充多孔陶瓷体的空隙并形成第二电极。然后可以利用各层封装电容器，且电容器能够包括常规电气端子。一种制造体电容器的方法包括：在由金属箔形成的第一电极上形成导电多孔陶瓷体，氧化以形成电介质层并利用导电介质填充多孔体以形成第二电极。还可以在所述金属箔和所述多孔陶瓷体之间沉积薄的半导电陶瓷层。
电容器方法

[发明专利]体电容器和方法-CN200980139993.8无效
发明人： R·卡特拉奥;N·科亨;M·克拉夫契克-沃尔夫松;E·别尔莎德斯基;J·巴尔蒂图德 -专利权人：维莎斯普拉格公司
申请日： 2009-09-03 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： H01G9/042 文献下载
摘要：一种体电容器包括由金属箔形成的第一电极(12)以及形成于金属箔上的半导电多孔陶瓷体(18)。例如通过氧化在多孔陶瓷体上形成电介质层(22)。在多孔陶瓷体上沉积导电介质(16)，填充多孔陶瓷体的空隙并形成第二电极。然后可以利用各层封装电容器，且电容器能够包括常规电气端子。一种制造体电容器的方法包括：在由金属箔形成的第一电极上形成导电多孔陶瓷体，氧化以形成电介质层并利用导电介质填充多孔体以形成第二电极。还可以在所述金属箔和所述多孔陶瓷体之间沉积薄的半导电陶瓷层。
电容器方法

[发明专利]用于宽带UHF天线的陶瓷介电配方-CN200780053242.5无效
发明人： E·别尔莎德斯基;M·克拉夫钦克;R·卡特拉奥;D·本巴萨特;D·阿隆 -专利权人：威世科技公司
申请日： 2007-06-07 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： C04B35/645 文献下载
摘要：本申请提供了介电陶瓷组合物，其在1MHz下的介电常数K为至少200，介电损耗DF为0.0006或者更小。所述介电陶瓷组合物可通过在空气中烧结而制得，而不需控制气氛。所述介电陶瓷组合物可以具有92.49-97.5重量％的主要组分和2.50-7.51重量％的次要组分，其中所述主要组分含有60.15-68.2重量％的钛酸锶、11.02-23.59重量％的钛酸钙以及7.11-21.32重量％的钛酸钡；所述次要组分含有1.18-3.55重量％的锆酸钙、0.50-1.54重量％的三氧化铋、0.2-0.59重量％的氧化锆、0.02-0.07重量％的二氧化锰、0.12-0.35重量％的氧化锌、0.12-0.35重量％的无铅玻璃料、0.24-0.71重量％的高岭土以及0.12-0.35重量％的氧化铈。所述介电陶瓷组合物可用于UHF天线和单片陶瓷元件。
用于宽带 uhf 天线陶瓷配方