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[发明专利]差动型MEMS声换能器-CN201510622580.2有效
发明人： G·尼科利尼;S·阿多尔诺;A·巴拜利;F·巴拜利;S·康蒂;E·马里诺;S·珀尼西 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H04R19/00 文献下载
摘要：一种差动型MEMS声换能器，其具有：检测结构，根据所检测的声信号生成电检测量；以及电子接口电路，操作性地耦合至检测结构并被配置为根据电检测量生成电输出量。检测结构具有电容类型的第一微机械结构和电容类型的第二微机械结构，每个微机械结构均包括面向刚性电极且电容性地耦合至刚性电极的隔膜，微机械结构限定相应的第一检测电容器和第二检测电容器；电子接口电路，限定偏置线和参考线之间的第一检测电容器和第二检测电容器的串联的电连接，并且进一步具有第一单输出放大器和第二单输出放大器，单输出放大器耦合至第一检测电容器和第二检测电容器中的相应一个并具有相应的第一输出端和第二输出端，电输出量存在于第一输出端和第二输出端之间。
差动 mems 声换能器

[发明专利]用于具有减少的启动时间的MEMS声换能器的偏置电路-CN201510432225.9有效
发明人： G·尼科利尼;A·巴拜利;F·巴拜利;A·达尼奥尼;E·马里诺;S·珀尼西 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2015-07-21 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H04R19/04 文献下载
摘要：MEMS声换能器器件具有电容微机电感应结构以及偏置电路。偏置电路包括在输出端子上供应升高电压的升压电路，以及被设置在输出端子与感应结构的端子之间的、定义与绝缘电路元件相关联的第一高阻抗节点的高阻抗绝缘电路元件。偏置电路具有：预充电级，该预充电级在其第一输出上生成作为所述升高电压的函数并与该升高电压不同的第一预充电压；以及第一开关元件，其被设置在第一输出与第一高阻抗节点之间。第一开关元件可操作用于在偏置电路的启动阶段期间将第一高阻抗节点可选择地连接至第一输出，以用于将第一高阻抗节点偏置到第一预充电压。
用于具有减少启动时间 mems 声换能器偏置电路

[实用新型]MEMS声换能器以及电子设备-CN201520753865.5有效
发明人： G·尼科利尼;S·阿多尔诺;A·巴拜利;F·巴拜利;S·康蒂;E·马里诺;S·珀尼西 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： H04R19/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及MEMS声换能器以及电子设备，其中一种差动型MEMS声换能器，其具有：检测结构，根据所检测的声信号生成电检测量；以及电子接口电路，操作性地耦合至检测结构并被配置为根据电检测量生成电输出量。检测结构具有电容类型的第一微机械结构和电容类型的第二微机械结构，每个微机械结构均包括面向刚性电极且电容性地耦合至刚性电极的隔膜，微机械结构限定相应的第一检测电容器和第二检测电容器；电子接口电路，限定偏置线和参考线之间的第一检测电容器和第二检测电容器的串联的电连接，并且进一步具有第一单输出放大器和第二单输出放大器，单输出放大器耦合至第一检测电容器和第二检测电容器中的相应一个并具有相应的第一输出端和第二输出端，电输出量存在于第一输出端和第二输出端之间。
mems 声换能器以及电子设备

[实用新型]MEMS声换能器器件和电子装置-CN201520533099.1有效
发明人： G·尼科利尼;A·巴拜利;F·巴拜利;A·达尼奥尼;E·马里诺;S·珀尼西 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2015-07-21 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： H04R19/04 文献下载
摘要：一种MEMS声换能器器件，具有电容微机电感应结构以及偏置电路。偏置电路包括在输出端子上供应升高电压的升压电路，以及被设置在输出端子与感应结构的端子之间的、定义与绝缘电路元件相关联的第一高阻抗节点的高阻抗绝缘电路元件。偏置电路具有：预充电级，该预充电级在其第一输出上生成作为所述升高电压的函数并与该升高电压不同的第一预充电压；以及第一开关元件，其被设置在第一输出与第一高阻抗节点之间。第一开关元件可操作用于在偏置电路的启动阶段期间将第一高阻抗节点可选择地连接至第一输出，以用于将第一高阻抗节点偏置到第一预充电压。
mems 声换能器器件电子装置