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[发明专利]包括聚合物电极的铁电聚合物存储器件及其制备方法-CN200580032639.7有效
发明人： L·洛克福德;E·安迪德 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2005-09-21 - 公布日： 2007-12-19 - 主分类号： H01L27/28 文献下载
摘要：公开了一种制备具有导电聚合物电极的铁电存储模块的方法，和根据该方法制备的铁电存储模块。铁电聚合物存储模块包括第一组层，该第一组层包括：在其中限定沟槽的ILD层(102)；布置在沟槽中的第一电极层(104)；布置在第一电极层(104)上的第一导电聚合物层(106)；和布置在第一导电聚合物层(106)上的铁电聚合物层(108)。该模块还包括第二组层，该第二组层包括：在其中限定沟槽的ILD层(114)；布置在第二组层的ILD层(114)的沟槽中的第二导电聚合物层(112)；和布置在第二导电聚合物层(112)上的第二电极层(116)。第一导电聚合物层(106)和第二导电聚合物层(112)覆盖电极层(104，116)，用以在电极层(104，116)和铁电聚合物层(108)之间提供反应和/或扩散阻挡。
包括聚合物电极存储器件及其制备方法

[发明专利]由掺杂的玻璃形成源/漏-CN96198466.X无效
发明人： S·E·汤普森;C·－H·詹;P·A·帕坎;T·哈尼;E·安迪德;F·K·莫哈达姆;M·T·波尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 1996-10-03 - 公布日： 1999-09-08 - 主分类号： H01L21/385 文献下载
摘要：一种制造源和漏区的工艺，该源和漏区包括与栅相邻的较轻掺杂的源和漏接点区和与栅隔开的较重掺杂的源和漏区的主要部分。玻璃(2%BSG)的第一层(16)可作为接点区的掺杂源，玻璃(6%BSG)的第二层(35)为更重掺杂的源和漏区的主要部分的掺杂源。在玻璃层之间形成间隔层(31)以限定接点区与源和漏区主要部分。
掺杂玻璃形成