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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]利用细晶半导体吸收体的高效太阳能光伏电池及模块-CN201280049551.6在审
发明人： M·M·穆斯利赫;P·卡普尔;K·J·克拉默;V·V·雷纳;S·苏特;A·德什潘德;A·卡尔卡特拉;G·奥尔森;K·曼特齐;T·斯塔尔库普;G·D·卡米安;D·X·王;Y·苏;M·温格特 -专利权人：速力斯公司
申请日： 2012-08-09 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本文描述了背接触太阳能电池背板的制作方法和结构，所述背板提供了太阳能电池衬底的加固和电互连,本文还描述了形成薄膜背接触太阳能电池的制作方法和结构。
利用半导体吸收体高效太阳能电池模块

[发明专利]用于制造光电池和微电子器件的半导体衬底的双面可重复使用的模板-CN201180018589.2有效
发明人： M·M·穆斯利赫;K·J·克拉默;D·X·王;P·卡普尔;S·纳格;G·卡米安;J·亚西伊;T·米原隆夫 -专利权人：速力斯公司
申请日： 2011-02-12 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明提供了用于在可重复使用的半导体模板的两面制造TFSS的制造方法和设备，从而有效地提高衬底的产量并降低其制造成本。对于给定的模板重复使用循环次数，这种方法可将每一个制造出的衬底(TFSS)所分摊的起始模板成本降低一半。
用于制造光电池微电子器件半导体衬底双面重复使用模板

[发明专利]使用三维半导体吸收器的高效光伏背触点太阳能电池的结构和制造方法-CN201080063496.7有效
发明人： M·M·穆斯利赫;P·卡普尔;K·J·克拉默;D·X·王;S·苏特;V·V·雷纳 -专利权人：速力斯公司
申请日： 2010-12-09 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：提供了背结背触点三维太阳能电池及其制造方法。背结背触点三维太阳能电池包括三维衬底。该衬底包括具有钝化层的光捕获正面表面，掺杂的基极区域，和极性与掺杂的基极区域相反的掺杂的背面发射极区域。背面钝化层置于掺杂的背面发射极区域上。背面发射极触点和背面基极触点，其连接至金属互连件且选择性地在三维太阳能电池背面的三维特征上形成。
使用三维半导体吸收高效光伏背触点太阳能电池结构制造方法

[发明专利]用于薄晶片的可移动静电载具-CN201080064953.4有效
发明人： M·M·穆斯利赫;D·X·王 -专利权人：速力斯公司
申请日： 2010-12-30 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明在一个实施例中提供了一种载具，该载具包括具有由前侧沟槽划分的隔离的正电极区域和隔离的负电极区域的顶部半导体层，该前侧沟槽贯穿顶部半导体层至少至位于顶部半导体层和底部半导体层之间的基底绝缘层。一介质层覆盖载具的顶部的暴露表面。贯穿底部半导体层至少至绝缘层的背侧沟槽形成与前侧正电极区域和负电极区域对应的隔离的背侧区域。位于底部半导体层上且耦接至正电极区域和负电极区域的背侧触点允许了前侧电极区域的充电。
用于晶片移动静电

[发明专利]使用薄平面半导体的高效光伏背触点太阳能电池结构和制造方法-CN201080063494.8有效
发明人： M·M·穆斯利赫;P·卡普尔;K·J·克拉默;D·X·王;S·苏特;V·V·雷纳;A·卡尔卡特拉;E·范·科斯查伟 -专利权人：速力斯公司
申请日： 2010-12-09 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明提供了背结背触点太阳能电池及其制造方法。所述背结背触点太阳能电池包括衬底，所述衬底具有：具有钝化层的光捕获正面表面，掺杂的基极区域，以及掺杂的背面发射极区域，所述背面发射极区域的极性与掺杂的基极区域相反。发射极上的背面钝化层和图案化的反射层形成光捕获背面反射镜。在所述太阳能电池的背面设置交叉指状金属化图案，并且为该电池的支撑提供永久性加强物。
使用平面半导体高效光伏背触点太阳能电池结构制造方法

[发明专利]使用半导体晶片的高效率光伏背结背触点太阳能电池结构和制造方法-CN201080063303.8有效
发明人： M·M·穆斯利赫;P·卡普尔;K·J·克拉默;D·X·王;S·苏特;V·V·雷纳;A·卡尔卡特拉;E·范·科斯查伟;D·哈伍德;M·曼苏里;M·温格特 -专利权人：速力斯公司
申请日： 2010-12-09 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明提供一种使用半导体晶片的背结背触点太阳能电池及其制造方法。该背结背触点太阳能电池包括具有掺杂的基极区域、光俘获正面表面和掺杂的背面发射极区域的半导体晶片。正面和背面介电层和钝化层提供增强光阱和内反射。将背面基极和发射极触点连接至金属互连件，所述金属互连件在太阳能电池背面形成由叉指状电极和汇流条形成的金属化图案。
使用半导体晶片高效率光伏背结背触点太阳能电池结构制造方法

[发明专利]用于薄晶片处理的可移动真空载具-CN201080063771.5无效
发明人： D·X·王;M·M·穆斯利赫 -专利权人：速力斯公司
申请日： 2010-12-15 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提出可移动真空载具，该可移动真空载具可以用来支撑薄衬底，否则这些薄衬底因太易碎而不能传送和处理。本发明涉及薄半导体衬底的处理，并尤其具有在光伏太阳能电池、半导体微电子集成电路、微电子机械系统（MEMS）、光电器件（如发光二极管、激光器、光检测器）、数据存储器件等领域中的可应用性。
用于晶片处理移动空载

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