专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果5个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]具有稳健的亚阈值操作的MOSFET晶体管-CN201780012917.5有效
  • X·吴;C·M·汤普森 - 德克萨斯仪器股份有限公司
  • 2017-03-06 - 2023-09-05 - H01L27/088
  • 在具有形成在衬底上的晶体管区(106)的集成电路的所描述示例中,每个晶体管区(106)包括沟道区(116)和端子区(112,114)。沟道区(116)沿着横向尺度定位,并且其包括沿着纵向尺度的沟道边缘区。端子区(112,114)邻近沟道区(116)定位,并且其用第一导电类型的第一掺杂剂掺杂。每个晶体管区(106)可以包括边缘阻挡区,该边缘阻挡区沿着纵向尺度定位并且与沟道边缘区相邻。边缘阻挡区用与第一导电类型相反的第二导电类型的第二掺杂剂掺杂。沟道区(116)用掺杂剂掺杂并具有第一掺杂浓度。每个晶体管区(106)可以包括边缘恢复区(218),该边缘恢复区(218)与沟道边缘区重叠并且具有高于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度。
  • 具有稳健阈值操作mosfet晶体管

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top