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[发明专利]鳍片型反熔丝及其制造方法-CN200510108264.X有效
发明人： E·J·诺瓦克;C·H·兰;M·J·布赖特韦什 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-10-08 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：一种形成反熔丝的方法，其中形成材料层，然后将材料层构图为鳍片。将鳍片的中心部分转换成基本不导电的区域，并将鳍片的端部转换成导体。将鳍片的中心部分转换成绝缘体的工艺允许在高于预定温度的温度下加热鳍片的工艺，以将绝缘体转换成导体。从而，利用加热工艺可以选择性地将鳍片型结构从绝缘体转换成永久导体。
鳍片型反熔丝及其制造方法

[发明专利]使用相变材料存储器元件的非易失性内容可寻址存储器-CN200680016650.9有效
发明人： L·L·C·苏;B·L·季;C·H·兰;H－S·P·翁 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2006-03-09 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： G11C11/24 文献下载
摘要：一种非易失性内容可寻址存储器单元包括：第一相变材料元件，所述第一相变材料元件具有连接到匹配线的一端；第一晶体管，所述第一晶体管具有连接到字线的栅极、连接到真位－读－写－搜索－线的源极、以及连接到所述第一相变材料元件的另一端的漏极；第二相变材料元件，所述第二相变材料元件具有连接到所述匹配线的一端；以及第二晶体管，所述第二晶体管具有连接到字线的栅极、连接到互补位－读－写－搜索－线的源极、以及连接到所述第二相变材料元件的另一端的漏极。
使用相变材料存储器元件非易失性内容寻址

[发明专利]采用双极可编程电阻存储元件的非易失存储器结构-CN200710096456.2有效
发明人： C·H·兰;G·I·梅杰;J·G·伯德诺兹 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2007-04-18 - 公布日： 2007-11-21 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：一种非易失存储器阵列，包括：多个字线，多个位线，多个源极线和多个非易失存储器单元。该多个存储器单元中至少一个子集中的每一个具有与多个字线之一相连的第一端子、与多个位线之一相连的第二端子以及与多个源极线之一相连的第三端子。至少一个该存储器单元包括：用于存储该存储器单元的逻辑状态的双极可编程存储元件，该双极可编程存储元件的第一端子与相应的第一位线和相应的第一源极线之一相连；以及金属氧化物半导体器件，其包括第一和第二源极/漏极和栅极。第一源极/漏极与双极可编程存储元件的第二端子相连，第二源极/漏极与相应位线/源极线对的第二线相连，并且该栅极与相应的一个字线相连。至少对于该多个存储器单元中的子集而言，与给定字线相连的每对相邻的存储器单元共用相同的位线或者相同的源极线。
采用可编程电阻存储元件非易失存储器结构

[发明专利]可再编程熔丝结构及方法-CN200610091839.6有效
发明人： C·蒂贝格;R·L·威斯涅夫;刘小虎;S·M·罗斯纳格尔;G·W·伯尔;C·科塔德拉曼;C·H·兰 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2006-06-12 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：一种集成电路中的可逆熔丝结构，通过采用具有与过孔接触的相变材料短细线的熔丝单元以及能够使电流流经相变材料线(熔丝单元)的线结构获得。使电流流经熔丝单元，以通过将结晶态下的相变材料加热到熔点然后将该材料快速淬火至非晶态，使材料从低阻材料转变为高阻材料。通过使低电流流经熔丝单元以使高阻非晶材料转变为低阻结晶材料，获得可逆编程。集成合适的传感电路以读取熔丝中储存的信息，其中使用所述传感电路来启动或截止电路。
编程结构方法