专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]离子注入系统及控制方法-CN01819851.1无效
  • T·N·霍尔斯基;B·C·科恩;W·A·克鲁尔;G·P·小萨科 - 赛米奎珀公司
  • 2001-06-12 - 2004-02-25 - A61N5/00
  • 具有高亮度的离子注入,通过在电离箱(80;175)的出口孔(46;176)附近直接电子撞击电离例如,二聚物或癸硼烷的气体或蒸气得到离子束。较佳地,应保持能够产生一相当大的离子密度并将离子横向动能限制在0.7eV(电子伏特)以内的条件;出口孔附近的电离体积的宽度限制在约三倍出口孔的宽度以内;出口孔十分细长;避免或限制磁场;保持低离子束噪音;保持电离箱内的条件以阻止弧放电的形成。通过离子束光学装置,例如图(20)中的分批注入器,或连续注入器,将从离子源产生的离子传送到目标表面并注入;在有些情况下,结合加速-减速束线使用离子簇更加有利。本发明还揭示了电子枪构造、带状电子源以及电离箱构造。本发明展示了半导体设备,如CMOS(互补金属氧化半导体)设备的漏极扩展以及平面平台掺杂的形成特点。
  • 离子注入系统控制方法

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