专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]用于双极存储器写入验证的方法和装置-CN201680053000.5有效
  • N·伯杰;B·S·路易;M·艾尔-巴拉吉 - 芯成半导体(开曼)有限公司
  • 2016-06-16 - 2023-03-28 - G11C11/16
  • 公开了一种用于双极存储器器件的有利的写入验证操作。验证操作在与写入操作相同的偏置条件下执行。因此,该验证操作减少了在以与写入操作相反的偏置执行验证操作时引起的干扰状况。有利的写入验证操作可以利用源线和位线上的控制逻辑来执行。在另一实施例中,利用耦合到控制逻辑的多路复用器执行有利的写入操作。多路复用器根据程序锁存器中的数据确定是应该执行验证(0)还是验证(1)操作。此外,多路复用器可以基于寄存器位选择用于读取操作的偏置条件。微调电路可选地提供保护带并修改参考电压,用于以与正常读取操作相反的极性执行的验证操作。
  • 用于双极存储器写入验证方法装置

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