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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]智能栅极驱动单元-CN201480018005.5有效
发明人： B·兰涅斯泰德 -专利权人： KK风能解决方案公司
申请日： 2014-03-26 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H03K17/082 文献下载
摘要：一种用于控制一个或多个功率模块的一个或多个半导体开关的智能栅极驱动单元，所述智能栅极驱动单元至少包括栅极驱动器和模拟测量电路，其中，所述栅极驱动器便于控制一个或多个半导体开关，并且其中，所述模拟测量电路便于在一个或多个半导体开关处于导通模式时测量开关电压。另外，还公开了一种用于控制一个或多个半导体开关的方法。
智能栅极驱动单元

[发明专利]用于估计半导体芯片温度的方法和设备-CN201280043404.8无效
发明人： P·B·萨格森;B·兰涅斯泰德 -专利权人：科电公司
申请日： 2012-08-13 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： G01K7/01 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于估计容纳在工作中的诸如IGBT功率模块的功率半导体器件中的半导体芯片的温度的方法，所述方法包括以下步骤：在功率半导体器件工作中时，确定对于施加的负载电流的值的功率半导体器件上的电压降；基于半导体芯片的温度模型，通过评估确定的电压降与施加的负载电流的值之间的关系来估计半导体芯片的温度。本发明还涉及用于估计半导体芯片的温度的相应设备以及包括这种设备的风力涡轮机。
用于估计半导体芯片温度方法设备

[发明专利]用于估计功率半导体器件的寿命终点的方法-CN201280029967.1在审
发明人： P·B·萨格森;B·兰涅斯泰德 -专利权人：科电公司
申请日： 2012-06-21 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明关注一种用于估计诸如IGBT功率模块的功率半导体器件的寿命终点的方法，该方法包括下述步骤：确立该功率半导体器件的温度，对于至少一预定的电流确定功率半导体器件之上的电压降，当功率半导体器件不工作时施加该电流，其中依赖于所确定的多个电压降的变化来确定寿命终点。
用于估计功率半导体器件寿命终点方法

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