“A.范德西伊德”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体管芯-CN201910655581.5有效
发明人： A.范德西伊德;N.B.普费弗;Q.范沃尔斯特瓦德;P.施密特 -专利权人：亮锐控股有限公司
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明描述了一种半导体管芯(1)，包括至少第一发光二极管(L1)和第二发光二极管(L2)，其中第一发光二极管(L1)包括形成在第一管芯区域(A1)中的第一二极管(D1)和沉积在第一管芯区域(A1)上的第一磷光体层(P1)；第二发光二极管(L2)包括第二二极管(D2)和沉积在第二管芯区域(A2)上的第二磷光体层(P2)；第一二极管(D1)和第二二极管(D2)反并联电连接；并且其中第二磷光体层(P2)的光学属性与第一磷光体层(P1)的光学属性不同。
半导体管芯

[发明专利]包括多个VCSEL的光源阵列-CN201880013193.0有效
发明人： R.恩格伦;N.B.普费弗;A.范德西伊德 -专利权人：亮锐控股有限公司
申请日： 2018-02-14 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明描述了一种光源阵列（1），包括在衬底（3）之上彼此横向布置的多个VCSEL（2），其中每个VCSEL（2）包括由不发射光的电极结构（22）包围的发光区域（21），其中遮挡层（4）被涂敷在至少电极结构（22）之上，遮挡层（4）仅覆盖电极结构（22）的面向VECSEL（2）的一般发光方向（5）的表面（22s），遮挡层（4）是不透明层，并且被适配为将关闭状态下的阵列（10）与光源阵列（1）要被安装于其中的设备（10）的外壳（11）的外表面（11s）光学匹配。本发明还描述了包括这种阵列（1）的设备（10）和用于制造光源阵列（1）的方法（100）。
包括 vcsel 光源阵列