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[发明专利]绝缘栅双极晶体管-CN201811178890.X有效
发明人： C.科瓦西;A.科普塔;M.安登纳;M.拉希莫 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供了一种包括至少两个第一单元（1、1'）的IGBT，每个第一单元具有n掺杂源极层（2）、p掺杂基极层（3）、n掺杂增强层（4），其中基极层（3）将源极层（2）与增强层（4）、n掺杂漂移层（5）和p掺杂集电极层（6）分开。两个沟槽栅极电极（7、7'）被布置在第一单元（1、1'）的横向侧上。晶体管包括在两个相邻的第一单元（1、1'）的沟槽栅极电极（7、7'）之间的至少一个第二单元（15），其在发射极侧（90）上具有p+掺杂阱（8）和将阱（8）与相邻的沟槽栅极电极（7、7'）分开的另外的n掺杂增强层（40、40'）。绝缘体层堆（75）被布置在发射极侧（90）上在第二单元（15）的顶部上。
绝缘双极晶体管

[发明专利]具有厚的顶层金属设计的功率半导体器件和用于制造这样的功率半导体器件的方法-CN201680023722.6有效
发明人： S.马蒂亚斯;C.帕帕多波洛斯;C.克瓦斯塞;A.科普塔 -专利权人： ABB电网瑞士股份公司
申请日： 2016-04-13 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：提供用于制造功率半导体器件的方法。该方法包含以下的步骤：提供第一导电类型的晶圆（41），晶圆（41）具有第一主侧（42）和与第一主侧（42）相反的第二主侧（43），并且，晶圆（41）包括有源单元区（44）和终止区（45），在晶圆（41）的中心部分中，有源单元区（44）从第一主侧（42）延伸至第二主侧（43），在到与第一主侧（42）平行的平面上的正交投影中，终止区（45）环绕有源单元区（44）；在第一主侧（42）上形成金属化层（46；86），以在有源单元区（44）中与晶圆（41）电接触，其中，金属化层（46；86）的背对着晶圆（41）的表面限定与第一主侧（42）平行的第一平面（B）；在终止区（45）中的第一主侧（42）上形成隔离层（417），其中，隔离层（417）的背对着晶圆（41）的表面限定与第一主侧（42）平行的第二平面（A）；在形成金属化层（46；86）的步骤之后，且在形成隔离层（417）的步骤之后，将晶圆（41）以其第一主侧安装至卡盘（421）的平坦表面；以及此后，在通过在卡盘（421）与研磨轮（422）之间施加压力而将晶圆（41）的第二主侧按压到研磨轮（422）上的同时，通过研磨而使晶圆（41）从其第二主侧（43）变薄，其中，第一平面（B）比第三平面更远离晶圆（41），该第三平面与第二平面（A）平行，并且在朝向晶圆（41）的方向上布置在离第二平面（A）1µm的距离处。
具有顶层金属设计功率半导体器件用于制造这样方法

[发明专利]反向传导半导体装置-CN201580070745.8有效
发明人： L.斯托拉斯塔;C.科瓦斯塞;M.勒加洛;M.拉希莫;A.科普塔 -专利权人： ABB电网瑞士股份公司
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种具有有源单元区域（10）和端接区域（12）的反向传导MOS装置（1）被提供。在第一和第二主侧（20、25）之间。有源单元区域（10）包括带有第二传导性类型的基极层（4）的多个MOS单元（11）。在第一主侧（20）上，具有与基极层（4）相比更高的最大掺杂浓度的第二传导性类型的条（8）被布置在有源单元区域（10）和端接区域（12）之间，其中条（8）被电连接到第一主电极（2）。在端接区域（12）中的第一主侧（20）上，第二传导性类型的可变横向掺杂层（7）被布置。第二传导性类型的保护层（9）被布置在可变横向掺杂层（7）中，所述保护层（9）具有与附连于保护层（9）的区域中的可变横向掺杂层的最大掺杂浓度相比更高的最大掺杂浓度。
反向传导半导体装置

[发明专利]IGBT的智能栅极驱动器-CN201180074998.4有效
发明人： F.霍斯尼;M.莫汉;S.N.R.帕穆拉帕蒂;A.科普塔;M.拉希莫;R.施內里;U.施拉普巴奇 -专利权人： ABB技术有限公司
申请日： 2011-11-22 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： H03K17/0812 文献下载
摘要：反向传导绝缘栅双极晶体管（RC-IGBT）、特别地双模式绝缘栅晶体管（BIGT）通过持续第一时期（51）地施加高电平栅极电压来对导通命令作出响应而被控制，在该第一时期期间将电流馈送到连接点，它将从该连接点通过RC-IGBT或沿不同的路径而流动。基于此，确定RC-IGBT是采用它的前向/IGBT还是反向/二极管模式传导，并且以高（a）或低（b）栅极电压驱动RC-IGBT。随后的传导模式改变可采用相同的方式监测，并且可相应地调整栅极电压（c，d）。特殊关断规程可响应于在RC-IGBT采用反向模式传导的情况下的关断命令而应用，其中在栅极电压下跌到关断水平（b，c）之前持续第二时期（52）地施加高电平脉冲。
igbt 智能栅极驱动器

[发明专利]绝缘栅晶体管及其生产方法-CN201280034940.1有效
发明人： M.拉希莫;M.安登纳;C.科瓦斯塞;A.科普塔 -专利权人： ABB技术有限公司
申请日： 2012-07-06 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本文提供了在发射极侧(11)上的发射极电极(2)与在集电极侧(15)上的集电极电极(25)之间具有层的IGBT，包括：第一传导率类型的漂移层(8)，基极层(5)，其电接触发射极电极(2)并且与漂移层(8)完全分隔，第一源极区域(7)，其布置在基极层(6)上朝向发射极侧(11)并且电接触发射极电极(2)，第一沟槽栅电极(3)，其对基极层(5)横向布置并且通过第一绝缘层(31)与基极层(5)、第一源极区域(7)和漂移层(8)分隔，其中沟道可在发射极电极(2)、第一源极区域(7)、基极层(5)与漂移层(8)之间形成，第二绝缘层(32)，其布置在第一沟槽栅电极(3)之上，增强层(6)，其至少在与发射极侧(11)平行的平面中分隔基极层(5)和漂移层(8)，-接地栅电极(4)，其包括第二接地沟槽栅电极(41)和导电层(42)，其中，第二沟槽栅电极(41)对基极层(5)横向布置，并且第二沟槽栅电极(41)通过第三绝缘层(43)与基极层(5)、增强层(6)和漂移层(8)分隔，其中，导电层(42)覆盖第二沟槽栅电极(41)，并且延伸到其外至少到在基极层(5)上方的区域，其中，导电层(42)通过第四电绝缘层(44)与基极层(5)分隔；以及其中，导电层(42)接触第二沟槽栅电极(41)，第五绝缘层(45)，其布置在第二沟槽栅电极(41)之上，第五绝缘层(45)具有凹口(47)，使得导电层(42)电接触发射极电极(2)。
绝缘晶体管及其生产方法

[发明专利]绝缘栅双极晶体管-CN201280034911.5有效
发明人： M.拉希莫;M.安登纳;C.科瓦斯賽;A.科普塔 -专利权人： ABB技术有限公司
申请日： 2012-07-06 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：提供IGBT，其在发射极侧（11）上的发射极电极（2）与集电极侧（15）上的集电极电极（25）之间具有层，该IGBT包括：第一传导类型的漂移层（8），基极层（5），其电接触发射极电极（2）并且与漂移层（8）完全分离，第一和第二源区（7），其在基极层（6）上朝着发射极侧（11）布置并且电接触发射极电极（2），第一沟栅电极（3），其布置在基极层（5）侧面并且通过第一绝缘层（31）而与基极层（5）、第一源区（7）和漂移层（8）分离，其中沟道能在发射极电极（2）、第一源区（7）、基极层（5）和漂移层（8）之间形成，第二绝缘层（32），其布置在第一沟栅电极（3）顶部上，增强层（6），其至少在与发射极侧（11）平行的平面中使基极层（5）与漂移层（8）分离，接地栅电极（4），其包括第二接地沟栅电极（41）和导电层（42），其中第二沟栅电极（41）布置在基极层（5）侧面并且该第二沟栅电极（41）通过第三绝缘层（43）而与基极层（5）、增强层（6）和漂移层（8）分离，其中导电层（42）覆盖第二沟栅电极（41）并且在其外部延伸至少到基极层（5）上方的区，其中导电层（42）通过第四电绝缘层（44）而与基极层（5）分离并且其中导电层（42）接触第二沟栅电极（41），其中第二沟道能由发射极电极（2）、第二源区（75）、基极层（5）和漂移层（8）在第一沟栅电极（3）与第二沟栅电极（4）之间形成，第五绝缘层（45），其布置在第二沟栅电极（41）的顶部上，该第五绝缘层（45）具有凹槽（47）使得导电层（42）电接触发射极电极（2）。
绝缘双极晶体管

[发明专利]绝缘栅双极晶体管-CN201280033829.0有效
发明人： M.安登纳;M.拉希莫;C.科瓦斯塞;A.科普塔 -专利权人： ABB技术有限公司
申请日： 2012-07-06 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种IGBT，其具有发射极侧(11)上的发射极电极(2)与集电极侧(15)上的集电极电极(25)之间的层，包括：集电极侧(15)上的集电极层(9)，漂移层(8)，第二传导率类型的基极层(4)，第一源区(7)，其在基极层(4)上朝发射极侧(11)设置，沟槽栅电极(3)，其设置在基极层(4)的侧面，并且比基极层(4)更深地延伸到漂移层(8)中，阱(5)，其设置在基极层(4)的侧面，并且比基极层(4)更深地延伸到漂移层(8)中，增强层(6)，其围绕基极层(4)，使得增强层(6)将基极层(4)与漂移层(8)和阱(5)完全分隔，作为对发射极电极(2)的补充的导电层(32)，其覆盖阱(5)，其中导电层(32)通过第二电绝缘层(36)与阱(5)分隔，第三绝缘层(38)，其在导电层(32)之上具有凹口(39)，使得导电层(32)电接触发射极电极(2)。
绝缘双极晶体管

[发明专利]功率半导体装置-CN201180025732.0有效
发明人： M.拉希莫;A.科普塔;C.冯阿尔克斯;M.安德纳 -专利权人： ABB技术有限公司
申请日： 2011-03-23 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：提供功率半导体装置(1)，功率半导体装置(1)在发射极侧(11)上的发射电极(2)与集电极侧(15)上的集电极(25)之间具有不同导电类型的层。该装置包括：-第一导电类型的漂移层(6)，-第二导电类型的第一基极层(4)，第一基极层(4)设置在漂移层(6)与发射电极(2)之间，所述第一基极层(4)与发射电极(2)直接电接触，-第一导电类型的第一源区(5)，其设置在发射极侧(11)上嵌入第一基极层(4)中，并且接触发射电极(2)，所述第一源区(5)相比漂移层(6)具有更高的掺杂浓度，-第一栅电极(3)，其与第一基极层(4)、第一源区(5)和漂移层(6)电绝缘，并且所述第一栅电极(3)设置在与第一基极层(4)相同的平面中并且在其侧部，并且比第一基极层(4)更深地延伸到漂移层(6)中。-第二导电类型的第二基极层(45)，其设置在与第一基极层(4)相同的平面中并且在其侧部，-第二栅电极(35)，其设置在发射极侧(11)的顶部，以及–第一导电类型的第二源区(55)，其设置在发射极侧(11)上嵌入第二基极层(45)中，并且延伸到第二栅电极(35)下面的区中，所述第二源区(55)相比漂移层(6)具有更高的掺杂浓度，其中第二栅电极(35)通过第二绝缘层(36)与第二基极层(45)、第二源区(55)和漂移层(6)电绝缘。
功率半导体装置

[发明专利]穿通半导体装置及其生产方法-CN201080061071.2有效
发明人： M.拉希莫;A.科普塔;J.沃贝基;W.雅尼施 -专利权人： ABB技术有限公司
申请日： 2010-11-10 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：提出一种最大穿通半导体装置(1)、例如绝缘栅双极晶体管(IGBT)或二极管及其生产方法。MPT半导体装置(1)包括具有按照下列顺序的层的至少二层结构：集电极金属化部分(3)、沟道区(10)、具有预定掺杂浓度ND的基极层(4)、缓冲层(5)和集电极金属化部分(7)。基极层的厚度W通过公式（I）来确定，其中，半导体装置的穿通电压V_pt是在半导体装置的击穿电压V_bd的70%至99%之间，以及其中，厚度W是到沟道区(10)的结与缓冲层(5)之间的基极层(4)的最小厚度。通过所提供的设计规则，可提供具有低电损耗和软截止特性的IGBT或二极管。可使用厚度小于10μm的浅缓冲层(5)。这种薄缓冲层可易于使用例如离子注入技术来生产。
半导体装置及其生产方法

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