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[发明专利]用于确定重叠误差的方法和设备-CN201180035218.5有效
发明人： M·范德斯卡;A·邓鲍夫;A·富克斯;M·库干斯;K·巴哈特塔卡里雅;M·库比斯;S·摩根 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2011-07-12 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种确定重叠误差的方法。测量具有过程引起的不对称性的重叠目标。构造目标的模型。例如通过移动结构中的一个修改模型以补偿不对称性。使用修改的模型计算由不对称性引起的重叠误差。通过从测量的重叠误差中减去由不对称性引起的重叠误差确定产品目标中的重叠误差。在一个示例中，通过改变不对称性p(n′)、p(n″)来修改模型，对多种散射仪测量选配方案重复计算由不对称性引起的重叠误差，确定产品目标中的重叠误差的步骤使用计算的由不对称性引起的重叠误差以选择用于测量产品目标的优化的散射仪测量选配方案。
用于确定重叠误差方法设备

[发明专利]检验方法和设备-CN201080046242.4有效
发明人： L·费斯塔彭;A·邓鲍夫 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2010-09-08 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： G03F1/84 文献下载
摘要：检验方法和检验设备可用于例如通过光刻技术的器件制造中检测半导体晶片上的处理缺陷。用移动测量斑沿着扫描路径照射管芯的条带。检测散射辐射以获得角度分辨光谱，其被在条带上进行空间积分。将散射数据与通过测量或计算获得的参考光谱库比较。基于比较，确定在条带处管芯的缺陷的存在。测量斑被横跨晶片沿着扫描路径轨迹扫描，该轨迹包括大的(恒定的)速度部分，角度分辨光谱的获取被进行，以全扫描速度完成比较。如果沿着条带横跨管芯在Y方向上执行长的获取，那么由位置变化造成的获取的光谱的变化将主要依赖于斑的X位置。因为未沿着高速扫描路径轨迹执行斑与晶片的对准，所以将发生斑位置变化。参考光谱库被针对于在管芯上的各个X位置处的扫描路径范围获得，以允许高速测量斑的X位置的变化。
检验方法设备

[发明专利]具有空间滤光片的全息掩模检查系统-CN201080050478.5无效
发明人： R·萨拉尔德森;A·邓鲍夫;E·凯蒂;Y·沙玛莱;R·雅克布 -专利权人： ASML控股股份有限公司
申请日： 2010-11-12 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： G03H1/00 文献下载
摘要：公开了用于全息掩模检查的设备、方法和光刻系统。全息掩模检查系统(300，600，700)包括照射源(330)、空间滤光片(350)和图像传感器(380)。照射源配置成将辐射束(331)照射到掩模(310)的目标部分上。空间滤光片(350)布置在光学系统(390，610，710)的傅里叶变换光瞳平面中，其中空间滤光片接收来自所述掩模的目标部分的被反射的辐射束(311)的至少一部分。光学系统布置成组合(360，660，740)被反射的辐射束(311)的所述部分与参考辐射束(361，331)以产生组合的辐射束。此外，图像传感器(380)配置成捕获组合的辐射束的全息图像。图像可以包含一个或更多的掩模缺陷。
具有空间滤光全息检查系统

[发明专利]量测方法和设备、光刻系统以及光刻处理单元-CN201080034105.9有效
发明人： H·克拉莫;A·邓鲍夫;H·麦根斯;H·斯米尔德;A·斯盖勒肯斯;M·库比斯 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2010-07-27 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：在确定在光刻过程中使用的光刻设备在衬底上的聚焦量的方法中，光刻过程被用于在衬底上形成结构，所述结构具有至少一个特征，所述至少一个特征在所印刷的轮廓中具有作为光刻设备在衬底上的聚焦量的函数而变化的不对称度。周期结构的第一图像在用第一辐射束照射所述结构的同时被形成和检测，使用非零级衍射辐射的第一部分形成所述第一图像。周期结构的第二图像在用第二辐射束照射所述结构的同时被形成和检测。使用非零级衍射辐射的与衍射光谱中的第一部分对称地相对的第二部分形成所述第二图像。测量的光谱的第一部分和第二部分强度的比值被确定并且用以确定周期结构的轮廓中的不对称度和/或提供衬底上的聚焦量的指示。在相同仪器中，跨过被检测部分的强度变化被确定为跨过结构的过程引起的变化的测量。结构的具有不期望的过程变化的区域可以被识别并且被排除到结构测量之外。
方法设备光刻系统以及处理单元

[发明专利]量测方法和设备、光刻设备、光刻处理单元和包括量测目标的衬底-CN201080037150.X有效
发明人： H·斯米尔德;A·邓鲍夫;W·考恩;阿诺·布里克;A·库兰;H·柏莱曼斯;R·普拉格 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2010-08-05 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种量测设备布置成以离轴照射模式照射多个目标。仅利用一个第一级衍射束获得目标的图像。在目标是复合光栅的情况下，可以根据不同光栅的图像的强度获得重叠测量。重叠测量可以被针对于由光栅在像场中的位置变化引起的误差进行校正。
方法设备光刻处理单元包括目标衬底

[发明专利]物体检查系统和方法-CN201080034422.0有效
发明人： V·伊万诺夫;A·邓鲍夫;V·班尼恩;L·斯卡克卡巴拉兹;N·伊欧萨德 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2010-07-02 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： G03F1/84 文献下载
摘要：用于物体检查的方法和系统包括基于不想要的微粒与将要被检查的物体相比由于其不同的材料带来的不同的响应，使用分光技术检查物体表面上的不想要的微粒。使用来自物体表面的次级光子发射的能量分辨光谱术和/或时间分辨光谱术获得拉曼和光致发光光谱。将要被检查的物体可以例如是在光刻过程中使用的图案形成装置，诸如掩模版，在这种情况下，可以检测例如金属、金属氧化物或有机物微粒的存在。方法和设备非常敏感，因而能够检测EUV掩模版的图案侧上的小的微粒(例如亚100nm，其至亚50nm)。
物体检查系统方法

[发明专利]重叠测量的方法、光刻设备、检查设备、处理设备和光刻处理单元-CN201080026875.9有效
发明人： A·邓鲍夫 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2010-06-03 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：为了改善重叠测量，通过使用散射术由对准传感器在光刻设备中测量衬底上的产品标识光栅。之后，关于产品标识光栅的横向轮廓的信息，诸如其不对称性，由所述测量确定。在将重叠标识光栅印刷到抗蚀剂膜上之后，重叠标识光栅相对于产品标识光栅的横向重叠被通过散射术和利用已确定的不对称性信息结合适合的过程模型进行测量。可以将对准传感器数据用于首先重新构建产品光栅，该信息被前馈至散射仪，其测量产品和抗蚀剂光栅的叠层，由该叠层散射的光被用于重新构建叠层的模型，以计算重叠。所述重叠之后可以可选地被反馈至光刻设备，用于校正重叠误差。
重叠测量方法光刻设备检查处理单元

[发明专利]物体检查系统和方法-CN201080027901.X有效
发明人： A·邓鲍夫;Y·乌拉迪米尔斯基;Y·沙玛莱;L·斯卡克卡巴拉兹;R·萨拉尔德森;R·雅各布斯 -专利权人： ASML荷兰有限公司;ASML控股股份有限公司
申请日： 2010-04-13 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： G01N21/94 文献下载
摘要：本发明公开用于物体检查的系统和方法，尤其是用在光刻过程中的掩模版检查。所述方法包括用干涉测量法结合参照辐射束与探测辐射束；和存储它们的复场图像。然后将一个物体的复场图像与参照物体的复场图像对比，以确定差值或差异。所述系统和方法在掩模版的缺陷检查中尤其有用。
物体检查系统方法

[发明专利]用于光刻技术的检查方法-CN201080020718.7有效
发明人： A·邓鲍夫;H·克拉莫;P·海恩 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2010-05-04 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种方法用以确定在衬底上的光刻工艺中使用的光刻设备的聚焦。光刻工艺用以在衬底上形成至少两个周期结构。每个结构具有至少一个特征，所述至少一个特征具有以衬底上的光刻设备的聚焦的不同函数变化的、在相对的侧壁角之间的不对称度。测量通过引导辐射束到至少两个周期结构上而产生的光谱，并确定不对称度的比值。使用所确定的比值以及每一个特征的聚焦和侧壁不对称度之间的关系以确定衬底上的聚焦。
用于光刻技术检查方法

[发明专利]重叠测量设备、光刻设备和使用这种重叠测量设备的器件制造方法-CN200980123676.7有效
发明人： A·邓鲍夫 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2009-05-14 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：重叠测量设备具有偏振光源，用于用偏振光束照射样品，和光学系统，用以捕获由样品散射的光。光学系统包括偏振器，用于传送与偏振光束的偏振方向正交的正交偏振分量。检测器测量正交偏振分量的强度。连接至检测器的处理单元布置成使用从正交偏振分量得出的不对称数据处理重叠计算测量的正交偏振分量。
重叠测量设备光刻使用这种器件制造方法

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