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[发明专利]智能半导体开关-CN201510454231.4有效
发明人： D·I·莫海;I-I·克里斯特;A·芬尼;B-E·马泰;A·科布扎鲁 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明的各个实施方式涉及智能半导体开关。一种半导体器件包括利用第一类型的掺杂剂进行掺杂的半导体衬底、以及由一个或多个晶体管单元所组成的垂直晶体管。每个晶体管单元具有形成于该衬底之中并且利用第二类型的掺杂剂进行掺杂的第一区，并且该第一区与周围衬底一起形成第一pn结。至少一个第一阱区形成于该衬底中，并且利用第二类型的掺杂剂进行掺杂，以与该衬底一起形成第二pn结。该第一阱区经由半导体开关电连接至该垂直晶体管的第一区。该半导体器件包括检测电路，其集成于该衬底之中并且被配置为检测该第一pn结是否被反向偏置。该开关在该第一pn结被反向偏置时断开，并且该开关在该第一pn结未反向偏置时闭合。
衬底半导体开关反向偏置掺杂剂第一区半导体器件垂直晶体管晶体管单元掺杂的阱区闭合检测电路智能电连接断开半导体掺杂检测配置

[发明专利]智能半导体开关-CN201510409533.X在审
发明人： D·I·莫海;A·芬尼;A·阿波斯托尔;A·V·丹奇维;A·科布扎鲁 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-07-13 - 公布日： 2016-02-10 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本公开涉及智能半导体开关。一种半导体器件包括半导体衬底，半导体衬底包括垂直晶体管并且具有第一类型的掺杂剂。晶体管的每个晶体管单元具有形成在衬底中的体区域并且具有第二类型的掺杂剂。体区域与衬底形成第一pn结。第一阱区域形成在衬底中并且具有第二类型的掺杂剂，从而与衬底形成第二pn结。开关将该第一阱区域连接至体区域。第二阱区域形成在衬底中并且具有第二类型的掺杂剂以与衬底形成第三pn结。检测电路集成在第二阱区域中并且用于检测第一pn结是否被反向偏置。开关将第一阱区域与晶体管单元的体区域连接或断开，并且当第一pn结被反向偏置时，开关被断开，并且当第一pn结未被反向偏置时，开关被闭合。
智能半导体开关