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[发明专利]用于亲水性有机溶剂的纯化方法-CN201680074603.3在审
发明人：大場薫;高野贤治;饭田正则;阿部真之介;益户孝;岸崎治;石桥亮;山下右祐 -专利权人：陶氏环球技术有限责任公司
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： B01J39/05 文献下载
摘要：描述了通过离子交换树脂的混合床从亲水性有机溶剂中去除离子型污染物的方法。在此类方法的一些实施例中使用具有有特定持水量的凝胶型强酸阳离子型离子交换树脂和凝胶型阴离子型离子交换树脂的离子交换树脂的混合床。
离子交换树脂亲水性有机溶剂混合床凝胶型离子型污染物强酸阳离子方法描述阴离子型持水量去除

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200710197182.6有效
发明人：野间崇;北川胜彦;大塚久夫;铃木彰;关嘉则;高尾幸弘;山口惠一;和久井元明;饭田正则 -专利权人：三洋电机株式会社;关东三洋半导体股份有限公司
申请日： 2004-08-06 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制造方法，其谋求改善由芯片尺寸封装件构成的半导体装置的制造方法，提高成品率和可靠性。在半导体基板(302)上仅在第一配线(301)存在的区域形成能露出第一配线的窗口(303)。由此通过增大半导体基板(302)与未图示的玻璃基板介由绝缘膜和树脂粘接的区域，防止发生裂纹和剥离。而且窗口(303)形成后，沿切割线形成切口(30)，再把该切口用保护膜覆盖后进行用于分离半导体装置成各个半导体芯片的切割。因此，能极力抑制由刀片的接触导致的分离的半导体芯片的断面和边缘部剥离。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200510106862.3有效
发明人：野间崇;冈田和央;山田紘士;饭田正则 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-09-26 - 公布日： 2006-03-29 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法，在芯片尺寸封装型半导体装置的制造方法中，提高其可靠性。在半导体衬底(10)的表面介由第一绝缘膜(11)形成支承体(14)。然后，将半导体衬底(10)的一部分从该背面选择性地进行蚀刻而形成开口部(10w)后，在该背面形成第二绝缘膜(17)。然后，选择性地蚀刻开口部(10w)的底部的第一绝缘膜(11)及第二绝缘膜(16)，露出该开口部(10w)的底部的焊盘电极(12)。然后，在从半导体衬底(10)的背面到位于开口部(10w)的侧壁和底部的边界的第二绝缘膜上，选择性地形成有第三抗蚀层(18)。之后，按照规定的图案，选择性地形成与开口部(10w)的底部的焊盘电极(12)电连接，并在半导体衬底(10)的背面上延伸的配线层(19)。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200410056261.1有效
发明人：野间崇;北川胜彦;大塚久夫;铃木彰;关嘉则;高尾幸弘;山口惠一;和久井元明;饭田正则 -专利权人：三洋电机株式会社;关东三洋半导体股份有限公司
申请日： 2004-08-06 - 公布日： 2005-02-16 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制造方法，其谋求改善由芯片尺寸封装件构成的半导体装置的制造方法，提高成品率和可靠性。在半导体基板(302)上仅在第一配线(301)存在的区域形成能露出第一配线的窗口(303)。由此通过增大半导体基板(302)与未图示的玻璃基板介由绝缘膜和树脂粘接的区域，防止发生裂纹和剥离。而且窗口(303)形成后，沿切割线形成切口(30)，再把该切口用保护膜覆盖后进行用于分离半导体装置成各个半导体芯片的切割。因此，能极力抑制由刀片的接触导致的分离的半导体芯片的断面和边缘部剥离。
半导体装置及其制造方法