专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种低温度系数CMOS基准电压源及芯片-CN202310755535.9在审
  • 姚若河;陈志彤;耿魁伟;刘玉荣;朱映彬 - 华南理工大学
  • 2023-06-25 - 2023-09-29 - G05F1/567
  • 本发明公开了一种低温度系数CMOS基准电压源及芯片,属于集成电路技术领域。其中基准电压源包括:μnT2电流产生电路,用于产生一个与μnVTH2成正比的电流I1;基准电压输出电路,包括镜像单元和基准单元,所述镜像单元用于按照预设比例复制电流I1,产生电流I2作用于基准单元;所述基准单元包括NMOS管和PMOS管,其中NMOS管的VGS呈现为凹曲线,PMOS管的VSG呈现凸曲线,将VGS和VSG两者进行叠加,得到一个低温度系数基准电压VREF。本发明利用沟道调制效应使NMOS的VGS呈现凹曲线,利用电子和空穴迁移率温度系数不同的特性使PMOS的VSG呈现凸曲线,将两者叠加进行二次温度补偿,得到一个低温度系数CMOS基准电压VREF,显著地降低了电压基准的温度系数。
  • 一种温度系数cmos基准电压芯片

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