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[发明专利]β伏打设备及方法-CN201080061778.3有效
发明人： 阿密特·拉尔;史蒂文·田 -专利权人：康奈尔大学
申请日： 2010-11-19 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： G21H1/00 文献下载
摘要：示例性的削薄的β伏打器件，包括：厚度在约3到50微米之间的N+掺杂的碳化硅(SiC)基质；紧邻所述SiC基质的底部表面布置的导电层；紧邻所述SiC基质的顶部表面布置的N-掺杂的SiC外延层；紧邻所述N-掺杂的SiC外延层的顶部表面布置的P+掺杂的SiC外延层；紧邻所述P+掺杂的SiC外延层的顶部表面布置的欧姆导电层；以及紧邻所述欧姆导电层的顶部表面布置的放射性同位素层。所述放射性同位素层可以是63Ni、147Pm或3H。该器件可以并联或串联地堆叠。还公开了制造所述器件的方法。
设备方法

[发明专利]自供电的压电表面声波装置和方法-CN200980154130.8有效
发明人： 阿密特·拉尔;史蒂文·田 -专利权人：康奈尔大学
申请日： 2009-11-10 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H02N2/00 文献下载
摘要：自主的自供电设备包括放射性同位素供电的电流脉冲发生器，电流脉冲发生器包括具有悬臂的弹簧组件，以及与电流脉冲发生器并联连接的压电表面声波(P-SAW)结构。由于连续发射β粒子(电子)，因此正电荷积聚在电气绝缘的63Ni薄膜上，其中β粒子被收集在悬臂上。积聚的电荷最终将悬臂拉进放射性同位素薄膜中，直到放电发生为止。放电生成瞬时的磁场和电场，瞬时的磁场和电场可以激发腔的RF模式，在腔中发生放电。压电-SAW谐振器被连接到放电组件，以控制RF频率输出。一种用于生成调谐的RF信号的方法包括向P-SAW谐振器输入能量脉冲、激发其谐振频率、以及输出具有调谐到谐振器频率的频率的RF信号。
供电压电表面声波装置方法

[发明专利]用于高精度和高分辨率的晶圆级纳米加工方法的光网格-CN200980144531.5有效
发明人： 阿密特·拉尔;吉水宪政 -专利权人：康奈尔大学
申请日： 2009-09-09 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： B23Q17/09 文献下载
摘要：用于在图样光投影照射时感测纳米加工元件(16)的位置的晶圆级纳米计量系统(10)，所述图样光投影限定了一网格或位置测量准具，该系统包括稳频激光发射器(12)，该稳频激光发射器被配置为以选定的频率生成激光发射，其中该激光发射形成发散的光束，该光束被配置为照射被具有邻近面的目标加工对象(18)所占据的选定区域。光图样生成器(14)被激光(12)所照射，并生成图样光投影网格或准具，以投影到目标加工对象(18)上。可移动的工具或纳米加工元件(16)承载着光传感器阵列(50)，该传感器阵列检测所述光投影网格的至少一部分，并且响应于所述检测，生成网格位置数据，以用于控制工具(16)的位置。
用于高精度高分辨率晶圆级纳米加工方法网格