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[发明专利]一种基于钙钛矿自供电行为的光敏传感器-CN201811592530.4有效
发明人： 阮丝园;胡子阳;诸跃进 -专利权人：宁波大学
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H10K30/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于钙钛矿自供电行为的光敏传感器，包括依次层状分布二氧化硅层、钙钛矿层以及金属电极层，二氧化硅层、钙钛矿层和金属电极层通过外接导线连通形成回路，二氧化硅层用于降低暗电流，外接导线上串联有电流表，当光照射至钙钛矿层，回路产生光电流。本发明利用二氧化硅对载流子的阻挡作用，使得在暗态条件下对暗态电流进行降低，钙钛矿受光激发，产生载流子，由于其产生的载流子相比暗态来说极大地增加了，克服了二氧化硅层的阻挡作用，在回路中形成了光生电流，并被电流表探测到，由此来判断钙钛矿层是否受到光照。此外二氧化硅层还能提供光照下和暗态下更大的电流比值。
一种基于钙钛矿供电行为光敏传感器

[发明专利]一种高导电p型非晶态透明导电薄膜材料及其制备方法-CN202210722076.X在审
发明人：杨长;耿方娟;王亮君;阮丝园;杨佳霖 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种高导电p型非晶态透明导电薄膜材料及其制备方法，属于光电子材料领域。本发明针对现有透明导电薄膜材料在非晶态时的p型导电率低这一难题，基于碘硫化亚铜材料获得具有极高p型电导率的非晶态透明薄膜，其分子式为CuIxSy。采用化学方法合成薄膜，通过硫与碘这两种重离子的协同作用调控薄膜的透明性和导电性。所制备的p型非晶CuIxSy薄膜不仅具有媲美商用ITO透明导电薄膜的电导率，还在可见光范围具有高透明性。本发明采用的原材料成本低廉，制备技术简易且适合规模化生产。
一种导电晶态透明薄膜材料及其制备方法