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[发明专利]隔离膜和电化学装置-CN201810640157.9有效
发明人： 郭科兵;郭东阳;孔更金;陶兴华 -专利权人：宁德新能源科技有限公司
申请日： 2018-06-20 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01M50/411 文献下载
摘要：本申请涉及一种隔离膜和电化学装置。本申请提供一种隔离膜，包括：多孔基材；以及多孔层；其中，所述多孔层设置在所述多孔基材的表面，所述多孔层包括无机颗粒和粘结剂，所述多孔基材在第一方向的绝对塑性变形率为40％～1800％。本申请提供的隔离膜提高了锂离子电池的安全性能。
隔离电化学装置

[发明专利]隔离膜和锂离子电池-CN201810159514.X有效
发明人：郭东阳;孔更金;郭科兵;陶兴华 -专利权人：宁德新能源科技有限公司
申请日： 2018-02-26 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01M10/0525 文献下载
摘要：本发明提供了一种隔离膜和锂离子电池，该隔离膜包括多孔基材；以及第一涂层，设置在所述多孔基材的至少一个表面上，其中，所述第一涂层包括芳香族聚酰胺。本发明通过使用芳纶涂层，在高温或常温条件下，该涂层中含有的芳香族聚酰胺在电解质中溶剂和锂盐作用下产生溶胀或增塑，提高隔离膜延伸率，同时芳纶涂层与极片活性物质或粘结剂作用，提高了电芯的安全性能。
隔离锂离子电池

[发明专利]一种在2D碳毡内部原位生长Si3N4纳米线的方法-CN201510315385.5有效
发明人：卢锦花;郭科兵;宋强;李伟;李贺军 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2015-06-10 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： C01B21/068 文献下载
摘要：本发明涉及一种在2D碳毡内部原位生长Si3N4纳米线的方法，采用前驱体浸渍‑热解的方法，在碳毡内部原位生长Si3N4纳米线，克服了传统CVD方法在大厚度高密度多孔预制体中渗透性差的问题，实现了Si3N4纳米线在整体预制体中由内部至表面的均匀生长。本方法中，前驱体的成分比例、浸渍方法和热处理过程对实验结果的影响很大。通过调节实验参数，可以在碳毡内部得到分布均匀的Si3N4纳米线，对于提升2D碳毡在多维尺度上的增强效果十分有利。本发明方法，使Si3N4纳米线在碳毡内部的分布密度可控，克服了传统CVD方法在碳毡内部生长纳米线渗透性差的缺点。本方法具有成本低、周期短和易实现规模化高效率生产的优点。
一种内部原位生长 si3n4 纳米方法